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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2.01 EUR
188+1.24 EUR
287+0.75 EUR
500+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.29 EUR
200+0.84 EUR
282+0.57 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
378+0.46 EUR
380+0.45 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 378 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 619 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.67 EUR
100+0.51 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.44 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K0PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V
auf Bestellung 3962 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.07 EUR
17+1.3 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEInfineon technologies
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
auf Bestellung 2556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
212+1.09 EUR
328+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.92 EUR
10+1.18 EUR
100+0.76 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.3 EUR
7500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 213800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1757+0.37 EUR
10000+0.32 EUR
100000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 1757 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
auf Bestellung 2556 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.89 EUR
212+1.09 EUR
328+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.29 EUR
7500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.7A; 38W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 38W
Gate charge: 6.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 62500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.38 EUR
30000+0.35 EUR
45000+0.31 EUR
60000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEBTMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 600V 2.3A DPAK-2
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R2K1CEBTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3-313
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.69 EUR
10+3.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360CFD7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
auf Bestellung 1879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.84 EUR
80+2.9 EUR
100+2.46 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 2433 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.06 EUR
10+2.62 EUR
100+1.87 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.33 EUR
2500+1.17 EUR
5000+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3-313
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 492 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360CFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 43W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
auf Bestellung 1879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.46 EUR
500+1.84 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360CFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+1.82 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
171+1.02 EUR
173+0.98 EUR
176+0.92 EUR
179+0.87 EUR
250+0.82 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 74 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
64+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
auf Bestellung 8516 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.72 EUR
10+2.38 EUR
100+1.59 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1892 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
173+1.01 EUR
176+0.98 EUR
179+0.94 EUR
250+0.9 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.86 EUR
122+1.76 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.94 EUR
88+1.95 EUR
125+1.34 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
2500+0.86 EUR
5000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.94 EUR
88+1.92 EUR
125+1.3 EUR
500+1 EUR
1000+0.88 EUR
2500+0.76 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.05 EUR
5000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 41W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
auf Bestellung 1467 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+4.8 EUR
82+2.86 EUR
122+1.76 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
497+1.31 EUR
552+1.17 EUR
1000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 497 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SInfineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SInfineon
auf Bestellung 500000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SAUMA1Infineon
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 41W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 41W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.03 EUR
127+1.36 EUR
179+0.94 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
2500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
auf Bestellung 1579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.73 EUR
13+1.71 EUR
100+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 2286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
122+1.92 EUR
184+1.17 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 2445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.96 EUR
100+1.29 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4132 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.03 EUR
127+1.32 EUR
179+0.9 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.61 EUR
2500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SAUMA1InfineonMOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
auf Bestellung 2286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.27 EUR
122+1.92 EUR
184+1.17 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SE8228AUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360P7SE8228AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 41W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.95 EUR
138+1.68 EUR
174+1.24 EUR
500+1 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 29148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
752+0.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 752 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1760 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 752 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
auf Bestellung 2259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.98 EUR
12+1.88 EUR
100+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SE8228AUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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752+0.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 752 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360P7SE8228AUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 41W; DPAK3
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 702mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 41W
Gate charge: 13nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
449+0.39 EUR
456+0.38 EUR
463+0.36 EUR
471+0.35 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.64 EUR
133+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1762 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+0.68 EUR
442+0.38 EUR
449+0.36 EUR
456+0.35 EUR
463+0.32 EUR
471+0.31 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360PFD7SAUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 715mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 43W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ PFD7
Drain current: 6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
198+0.88 EUR
200+0.86 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 198 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360PFD7SAUMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPD60R360PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+4.45 EUR
88+2.64 EUR
133+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
616+1.06 EUR
1000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 616 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesMOSFETs CONSUMER
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.31 EUR
100+1.51 EUR
500+1.2 EUR
1000+1.06 EUR
2500+0.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R360PFD7SAUMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-344
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
auf Bestellung 1008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
10+2.19 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R380C6Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
auf Bestellung 4889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.57 EUR
10+2.92 EUR
100+1.96 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.49 EUR
2500+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R380C6Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R380C6Infineon
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2
auf Bestellung 2658 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+2.92 EUR
100+1.96 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.33 EUR
5000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
auf Bestellung 13880 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.32 EUR
5000+1.24 EUR
7500+1.19 EUR
12500+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R380C6ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; Idm: 30A; 83W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Drain current: 6.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.21 EUR
5000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPD60R380C6ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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