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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN0R7-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 12 V
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.58 EUR
10+4.31 EUR
100+3.01 EUR
500+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R7-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 153000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+2.5 EUR
3000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLCNXPMOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLCNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLCNXPN-MOSFET 100A 25V 272W 0.00099Ω PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC TPSMN0r9-25ylc
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 49500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
auf Bestellung 4273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.27 EUR
42+5.55 EUR
54+3.99 EUR
200+2.89 EUR
500+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.51 EUR
3000+1.4 EUR
4500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115
Produktcode: 124400
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Verschiedene Bauteile > Other components 3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 13750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+3 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.58 EUR
10000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 70500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 25V 100A
auf Bestellung 5441 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.8 EUR
10+2.95 EUR
100+2.01 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.48 EUR
1500+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 70500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+3 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.125mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1029 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+2.84 EUR
34+2.55 EUR
40+2.14 EUR
100+1.94 EUR
250+1.78 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R9-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.41V
Verlustleistung: 137W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
auf Bestellung 4273 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.99 EUR
200+2.89 EUR
500+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6775 pF @ 12 V
auf Bestellung 4533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.86 EUR
10+3.13 EUR
100+2.13 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLC/GFXNXP USA Inc.Description: PSMN0R9-25YLC/GFX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDX
Produktcode: 217048
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6721 pF @ 12 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.77 EUR
3000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.25 EUR
141+1.21 EUR
142+1.19 EUR
250+1.15 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
187+3.5 EUR
500+3.11 EUR
1000+2.81 EUR
Mindestbestellmenge: 187 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
140+1.2 EUR
141+1.14 EUR
142+1.09 EUR
250+1.05 EUR
500+1 EUR
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 140 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 238W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6721 pF @ 12 V
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.51 EUR
10+3.57 EUR
100+2.48 EUR
500+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4258 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
146+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 146 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 25V 300A
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+2.98 EUR
100+2.01 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.45 EUR
1500+1.36 EUR
3000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30ULD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN0R9-30ULD/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30ULD/2XNexperiaMOSFETs N-channel 30 V, 0.87 mOhm, 300 A level Application Specific MOSFET in SOT1023A enhanced package for UL2595
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30ULDXNexperiaMOSFETs SOT1023 N-CH 30V 300A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30ULDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30ULDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30ULDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLD/2XNexperiaMOSFETs N-channel 30 V, 0.87 mohm, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
auf Bestellung 1462 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
10+2.78 EUR
100+1.89 EUR
500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+2.03 EUR
100+1.98 EUR
250+1.92 EUR
500+1.88 EUR
1000+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 300A
auf Bestellung 3944 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+2.75 EUR
100+1.87 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.26 EUR
3000+1.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1692 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.93 EUR
100+1.84 EUR
250+1.76 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 1327 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.09 EUR
29+3 EUR
30+2.88 EUR
100+2.8 EUR
250+2.69 EUR
500+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN0R9-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 650 µohm, SOT-1023, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 349W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1023
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 650µohm
auf Bestellung 477 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.93 EUR
50+4.74 EUR
100+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.87mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 291W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56; Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7668 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.75 EUR
117+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN0R9-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+2.63 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.02 EUR
3000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+2.63 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.86 EUR
3000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
auf Bestellung 9192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.39 EUR
104+2.07 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.42 EUR
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
auf Bestellung 14794 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.56 EUR
10+2.26 EUR
100+1.52 EUR
500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 10500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+2.63 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.09 EUR
10000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.37 EUR
3000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 67053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
248+2.63 EUR
500+2.33 EUR
1000+2.09 EUR
10000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 248 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN102-200Y,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 21.5 A, 0.086 ohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 113W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
auf Bestellung 9192 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.77 EUR
69+3.39 EUR
104+2.07 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.42 EUR
5000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1568 pF @ 30 V
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+1.05 EUR
3000+0.96 EUR
4500+0.93 EUR
7500+0.88 EUR
10500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.84 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaTrans MOSFET N-CH Si 200V 21.5A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN102-200Y,115NexperiaMOSFETs PSMN102-200Y/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.24 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.02 EUR
1500+0.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN130-200DNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN130-200DNXP0910+ TO252
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN130-200D,118NexperiaMOSFET N-CH TRENCH 200V 20A
auf Bestellung 5839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN130-200D,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN130-200D,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN130-200D,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN130-200D,118-NEXNexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN130_2COD
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN165-200K
auf Bestellung 13161 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN165-200K,118NXPТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN165-200K,518Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 2.9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN165-200K518NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASEJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.55kW
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8+34.44 EUR
9+28.52 EUR
10+23.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASEJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-100ASE/SOT8000A/CCPAK1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 509 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36460 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASEJNexperiaTrans MOSFET N-CH GaN 100V 430A 12-Pin CCPAK EP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASEJNexperiaMOSFETs SOT8000 100V 430A
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.13 EUR
10+15.02 EUR
100+12.52 EUR
500+11.16 EUR
1000+10.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 430 A, 1040 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.55kW
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1040µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASFJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN1R0-100ASFJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 460 A, 990 µohm, CCPAK1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.55kW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CCPAK1212
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
auf Bestellung 835 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+43.05 EUR
8+30.14 EUR
10+22.87 EUR
50+19.28 EUR
100+19.06 EUR
250+16.34 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 460A 12-Pin CCPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN1R0-100ASFJNexperia USA Inc.Description: PSMN1R0-100ASF/SOT8000A/CCPAK1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.55kW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 539 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33624 pF @ 50 V
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.94 EUR
10+15.21 EUR
100+11.96 EUR
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