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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIHP17N60D-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N60D-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 48A; 277.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 277.8W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.76 EUR
10+3.42 EUR
100+3.09 EUR
500+2.51 EUR
2000+2.34 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80AE-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 800V 15A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP17N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+7.9 EUR
62+3.78 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V
auf Bestellung 848 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.75 EUR
50+3.39 EUR
100+3.07 EUR
500+2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80AEF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 32A
Gate charge: 63nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80AEF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP17N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.305 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.15 EUR
48+4.91 EUR
100+3.26 EUR
500+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80AEF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 15A Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
auf Bestellung 923 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.94 EUR
10+4.52 EUR
100+3.17 EUR
500+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80AEF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 15A Tube
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80AEF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.95 EUR
10+4.57 EUR
100+3.19 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.57 EUR
2000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80E-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3906 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.39 EUR
10+5.99 EUR
100+4.94 EUR
500+4.58 EUR
1000+4.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80E-BE3VishayN Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80E-GE3VishayE Series Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2408 pF @ 100 V
auf Bestellung 774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.94 EUR
10+7.29 EUR
100+5.24 EUR
500+4.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 45A
Gate charge: 122nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP17N80E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 208W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
auf Bestellung 996 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+13.09 EUR
28+8.52 EUR
100+6.1 EUR
500+4.88 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP17N80E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1826 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.97 EUR
10+7.33 EUR
100+5.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP180N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP180N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP180N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP180N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.155 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 19
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.155
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP180N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.51 EUR
10+5.57 EUR
100+4.16 EUR
500+3.47 EUR
1000+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP180N60E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 19A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP186N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs TO220 600V 18A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.65 EUR
10+4.44 EUR
100+4.06 EUR
500+3.77 EUR
1000+3.5 EUR
2000+3.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP186N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.79 EUR
10+5.81 EUR
50+4.52 EUR
100+4.11 EUR
500+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP18N50C-E3
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP18N50C-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP18N50C-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 5941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+4.49 EUR
100+3.28 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.51 EUR
2000+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP18N50C-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 500V; 18A; 223W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Power dissipation: 223W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: 30V
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: single transistor
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
300+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP18N50C-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 18A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP18N50C-E3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP18N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 223W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.5 EUR
59+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP18N60E-GE3VishayEL Series Power MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP18N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP18N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 202mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP190N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.07 EUR
10+6 EUR
100+4.25 EUR
500+3.7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP190N65E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP190N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 100 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP190N65E-GE3VishayMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 909 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.9 EUR
10+5.89 EUR
100+4.19 EUR
500+3.64 EUR
1000+3.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP20N50E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP20N50E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7 EUR
10+4.57 EUR
100+3.39 EUR
500+2.83 EUR
1000+2.64 EUR
2000+2.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP20N50E-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 19A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP20N50E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP20N50E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.1 EUR
10+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N60EF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 600V
auf Bestellung 7616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.58 EUR
10+4.96 EUR
100+3.22 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N60EF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N60EF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N60EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1925 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.07 EUR
10+6.09 EUR
100+5.59 EUR
1000+3.61 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 53A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 176mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Gate charge: 84nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N65EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N65EF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 21
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 208
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 208
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N80AE-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N80AE-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP21N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17.4 A, 0.205 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.85 EUR
10+4.56 EUR
100+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N80AE-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 850V Vds; 30V Vgs TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N80AEF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 16.3A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N80AEF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 16.3A N-CH MOSFET
auf Bestellung 690 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+4.88 EUR
100+3.42 EUR
500+2.78 EUR
1000+2.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N80AEF-GE3Vishay SiliconixN-Channel 800 V 16.3A TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N80AEF-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP21N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16.3 A, 0.25 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 179W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.07 EUR
54+4.32 EUR
100+2.81 EUR
500+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP21N80AEF-GE3Vishay SiliconixDescription: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
auf Bestellung 980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.69 EUR
10+5.03 EUR
100+3.53 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N60AE-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3573 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.46 EUR
10+4.38 EUR
100+3.97 EUR
500+3.72 EUR
1000+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N60AE-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V
auf Bestellung 1938 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.46 EUR
50+4.38 EUR
100+3.99 EUR
500+3.28 EUR
1000+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N60AE-BE3VishayN Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHP22N60AE-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 49A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 49A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHP22N60AE-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHP22N60AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1451 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N60AEL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N60AEL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1757 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHP22N60E
Produktcode: 89433
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHP22N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
auf Bestellung 844 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.72 EUR
10+6.45 EUR
50+5.05 EUR
100+4.59 EUR
500+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N60E-E3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SiHP22N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 2207 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.57 EUR
10+6.37 EUR
100+4.52 EUR
500+3.8 EUR
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SIHP22N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SIHP22N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHP22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 668 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.34 EUR
34+6.99 EUR
100+5.46 EUR
500+4.65 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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SIHP22N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+8.03 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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SIHP22N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 681 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.92 EUR
10+5.32 EUR
100+4.44 EUR
500+4.08 EUR
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SIHP22N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
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SIHP22N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SIHP22N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+5.9 EUR
19+4.59 EUR
20+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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SIHP22N60E-GE3-XVishay / SiliconixMOSFET
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SIHP22N60EFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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SIHP22N60EFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+1.55 EUR
134+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
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SIHP22N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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SIHP22N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 100 V
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SIHP22N60EF-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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SIHP22N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Nch 600V Vds 30V Vgs TO-220AB; w/diode
auf Bestellung 1710 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.85 EUR
10+5.84 EUR
100+4.24 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.28 EUR
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SIHP22N60EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
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SIHP22N60EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 197mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHP22N60S-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N65E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP22N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.27 EUR
10+7.39 EUR
100+5.45 EUR
500+4.84 EUR
1000+4.33 EUR
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SIHP23N60E-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 23A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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SIHP23N60E-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 600V 23A N-CH MOSFET
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.58 EUR
10+3.89 EUR
100+3.53 EUR
500+3.2 EUR
1000+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHP23N60E-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
auf Bestellung 382 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.56 EUR
50+3.87 EUR
100+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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