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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BSC27-T1089N BSC62D(S)Строчный трансформатор для TV
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC27-T1123Строчный трансформатор для TV
auf Bestellung 86 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC27-Z1001=BSC25-1003AСтрочный трансформатор для TV
auf Bestellung 141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC28-5305A(брак)Строчный трансформатор для TV
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC28-N2326Строчный трансформатор для TV
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BSC29-0108Строчный трансформатор для TV
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC29-0134 (BSC25-N0594)Строчный трансформатор для TV
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC29-0165Строчный трансформатор для TV
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC29-0177Строчный трансформатор для TV
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC29-0197GBSC29-0197G
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC29-3802-12RСтрочный трансформатор для TV
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC29-N1103AСтрочный трансформатор для TV
auf Bestellung 161 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC29-T1123BСтрочный трансформатор для TV
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC29-T6018HСтрочный трансформатор для TV
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC29-Z1415AСтрочный трансформатор для TV
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC2A20DLYY-03LCD, Character, 20x2, 180.0x40.0, інтерфейс 4/8 Bit, підсвітка yellow-green, можлива заміна, Ampire AC202BYJLY71H-AR
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC300AEssentraMounting Fixings
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.59 EUR
25+9.04 EUR
50+8.51 EUR
100+8.04 EUR
250+7.68 EUR
500+7.35 EUR
1000+7.01 EUR
2500+6.85 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 2903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.01 EUR
10+3.92 EUR
100+2.7 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.09 EUR
2500+1.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3 GInfineonBSC320N20NS3 G BSC320N20NS3G MOSFET N-CH 200V 36A, TDSON-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 55809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.43 EUR
250+3.11 EUR
1000+2.25 EUR
3000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 36A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 11374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.62 EUR
10+3.52 EUR
100+2.67 EUR
500+2.15 EUR
1000+2.09 EUR
2500+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 2894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.63 EUR
42+4.18 EUR
51+3.3 EUR
100+3.01 EUR
200+2.94 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.36 EUR
2000+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
auf Bestellung 11637 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.56 EUR
10+4.27 EUR
100+2.96 EUR
500+2.42 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC320N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 36 A, 0.032 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
auf Bestellung 55809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.62 EUR
53+4.43 EUR
250+3.11 EUR
1000+2.25 EUR
3000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 36A; 125W; PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 36A
On-state resistance: 32mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 200V 36A, TDSON-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.63 EUR
35+4.81 EUR
40+4.08 EUR
100+3.62 EUR
250+3.19 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC320N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 36A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 1933 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+5.63 EUR
35+4.91 EUR
40+4.24 EUR
100+3.82 EUR
250+3.45 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3 GInfineonСиловой MOSFET Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3 GInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.61 EUR
10000+0.55 EUR
20000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 26565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.28 EUR
10+1.44 EUR
100+0.95 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.68 EUR
2500+0.64 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 23A; 32W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 23A
Power dissipation: 32W
Case: PG-TDSON-8
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 5286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+1.27 EUR
94+0.9 EUR
133+0.64 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.44 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.55 EUR
10000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 179 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 882267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.18 EUR
162+1.44 EUR
225+0.95 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.6 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1InfineonMOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.55 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 23A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 7896 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.87 EUR
10+1.33 EUR
100+0.98 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.65 EUR
5000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
auf Bestellung 11448 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.34 EUR
15+1.48 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.51 EUR
10000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.52 EUR
10000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC340N08NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 23 A, 0.034 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 506093 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
112+2.25 EUR
157+1.48 EUR
219+0.98 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.62 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 112 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 756 @ 40, Qg, нКл = 9,1 @ 10 В, Rds = 34 мОм @ 12 A, 10 В, Ugs(th) = 3,5 В @ 12 мкА, Р, Вт = 2,5, 32, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 23 A,... Транзистори Корпус: PG-TDSON-8-5 Од
Anzahl je Verpackung: 5000 Stücke
verfügbar 50 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 28633 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
298+0.58 EUR
310+0.56 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.48 EUR
5000+0.45 EUR
10000+0.43 EUR
25000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 40 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.56 EUR
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BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 18361 Stücke:
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163+1.07 EUR
171+1.01 EUR
226+0.75 EUR
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BSC340N08NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 7A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC340N08NS3GATMA1 Transistor
Produktcode: 219437
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BSC350N20NSFDInfineon TechnologiesInfineon TRENCH >=100V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC350N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC350N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 35A 8-Pin TDSON EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC350N20NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.62 EUR
250+3.67 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC350N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.72 EUR
10+4.66 EUR
25+4.36 EUR
100+3.52 EUR
250+3.45 EUR
500+2.89 EUR
1000+2.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC350N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC350N20NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 35A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC350N20NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC350N20NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 35 A, 0.035 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2557 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+6.95 EUR
51+4.62 EUR
250+3.67 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC360N15NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 4905 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.13 EUR
10+3.28 EUR
100+2.24 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.69 EUR
2500+1.59 EUR
5000+1.51 EUR
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BSC360N15NS3 GInfineon
auf Bestellung 195000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC360N15NS3GInfineon
auf Bestellung 8671 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC360N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 75 V
auf Bestellung 25000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.19 EUR
10000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC360N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC360N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.98 EUR
250+2.19 EUR
1000+1.57 EUR
3000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC360N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 75 V
auf Bestellung 26347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.4 EUR
10+2.82 EUR
100+1.92 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.4 EUR
2000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC360N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC360N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.031 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10205 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.62 EUR
79+2.98 EUR
250+2.19 EUR
1000+1.57 EUR
3000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC40Brady CorporationDescription: (SOC) BSC40 SOC, 3"X42", CELLULO
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC430N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V TSON-8
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC430N25NSFDATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC430N25NSFDATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 36 A, 0.034 ohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS FD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 3430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.45 EUR
32+7.43 EUR
100+5.09 EUR
500+4.61 EUR
1000+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC430N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 36A 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC430N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 250V TSON-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSON-8-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.59 EUR
10+6.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC430N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
auf Bestellung 4831 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.53 EUR
10+6.66 EUR
100+4.96 EUR
500+4.65 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC430N25NSFDATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 250V 36A 8-Pin TSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC440N10NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 18A TDSON-8 OptiMOS 3
auf Bestellung 21940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.39 EUR
100+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.62 EUR
5000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC440N10NS3GInfineonTransistor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3GATMA1 TBSC440n10ns3
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+0.54 EUR
10000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC440N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.36 EUR
124+1.87 EUR
174+1.24 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.75 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.71 EUR
10000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 507 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
326+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 326 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC440N10NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC440N10NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 18 A, 0.038 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 29W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 20291 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
106+2.36 EUR
124+1.87 EUR
174+1.24 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.75 EUR
2500+0.74 EUR
5000+0.71 EUR
10000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 106 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 5.3A/18A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 12µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 810 pF @ 50 V
auf Bestellung 10345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.4 EUR
100+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC440N10NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 5.3A 8-Pin TDSON EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC4IV2BOSCH
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC500N20NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 24A TDSON-8
auf Bestellung 3401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.96 EUR
10+3.19 EUR
100+2.18 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.88 EUR
105+1.61 EUR
107+1.51 EUR
120+1.3 EUR
250+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 373 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+1.88 EUR
105+1.64 EUR
107+1.57 EUR
120+1.37 EUR
250+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
auf Bestellung 7285 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.49 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.58 EUR
1000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC500N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC500N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.25 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 200V 24A TDSON-8
auf Bestellung 2828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.61 EUR
10+3 EUR
100+2.05 EUR
500+1.63 EUR
5000+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 24A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3793 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
86+2.03 EUR
98+1.76 EUR
100+1.69 EUR
500+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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BSC500N20NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC500N20NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.05 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+6.38 EUR
62+3.78 EUR
100+2.63 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC500N20NS3GATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A TDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 100 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC520N15NS3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 150V 21A TDSON-8 OptiMOS 3
Produkt ist nicht verfügbar
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BSC520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 3420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.77 EUR
92+1.83 EUR
121+1.33 EUR
500+1.08 EUR
1000+0.84 EUR
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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BSC520N15NS3GATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 21A 8-Pin TDSON EP T/R
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BSC520N15NS3GATMA1INFINEONDescription: INFINEON - BSC520N15NS3GATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 21 A, 0.052 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 14079 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.59 EUR
86+2.71 EUR
130+1.65 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.15 EUR
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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