Produkte > BSS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| BSS84A-13P | MCC (Micro Commercial Components) | Description: IC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84A-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs P-Ch -60V 30V 225mW -0.17A 0.68A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84A-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: Interface Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 225mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 570000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.17A; Idm: -0.68A; 0.225W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -170mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -0.68A | auf Bestellung 1555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84A-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 60V 0.16A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS84A-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 160 mA, 7.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.8ohm | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 35 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -230mA Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -0.92A Technology: Trench | auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2270 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - BSS84AHZGT116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 1824 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84AHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 377 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 35 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AHZGT116 | ROHM Semiconductor | MOSFETs AECQ | auf Bestellung 1013 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84AHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -0.23A, SOT-23, SMALL S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SST3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AK | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AK,215 | Nexperia | MOSFETs BSS84AK/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 799208 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84AK,215 | Nexperia | SOT-23 Транзистори | auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AK,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AK,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AK,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm | auf Bestellung 11150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AK,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 168000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AK,215 | Diodes INC. | P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 180 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 36 @25, Rds = 7,5 Ом @ 100 мА, 10 В, Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,35 (Ta), 1,14 (Tc), Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 100 Од. вим: Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AK,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 180 mA, 7.5 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm | auf Bestellung 11150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AK,215 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AK,215 Produktcode: 180993
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| Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld | Produkt ist nicht verfügbar
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| BSS84AK,215 | NEXPERIA | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.12A; 420mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.12A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AK,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 168000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AK,215 | Nexperia | Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 180mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AK,215; BSS84AK.215; BSS84AK,215 TBSS84ak | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AK,215 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AK,215-CN | CHIPNOBO | Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84AK,215(ES); BSS84AK,215; BSS84AK.215; ESS84K; BSS84AK CHIPNOBO TBSS84ak CNB | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AK-B215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AK-BR | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AK-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS84AK-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 500 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AK-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 60V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AK-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-23 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 9 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AK-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BSS84AK-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 500 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AK/DG/B2215 | NXP USA Inc. | Description: P-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKM,315 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKM,315 | Nexperia | MOSFETs BSS84AKM/SOT883/XQFN3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 21208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKM,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 7.5 ohm, SOT-883, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 5750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKMB,315 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006B-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKMB,315 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R | auf Bestellung 8930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKMB,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 6 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKMB,315 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R | auf Bestellung 9083 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKMB,315 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R | auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKMB,315 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R | auf Bestellung 8930 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKMB,315 | Nexperia | MOSFETs BSS84AKMB/SOT883B/XQFN3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKMB,315 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 230 mA, 4.5 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 230MA DFN1006B-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKMB,315 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.23A 3-Pin DFN-B T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 420mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKQBZ | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.27A 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKQBZ | Nexperia | MOSFETs BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3 | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84AKQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: BSS84AKQB/SOT8015/DFN1110D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +12V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKQBZ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 270 mA, 3.8 ohm, DFN1110D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 420mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1110D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKS | Nexperia | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKS | NXP | 2P-MOSFET 50V 160mA 7.5Ω 445mW BSS84AKS,115 BSS84AKS NXP TBSS84aks Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84AKS | Analog Power Inc. | Description: MOSFET P-CH 60V 0.4A SC70-6 Packaging: Bulk Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 445mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 83534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 132 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKS,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -0.1A; 445mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.1A Power dissipation: 445mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.35nC | auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 279000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKS,115 | Nexperia | MOSFETs BSS84AKS/SOT363/SC-88 | auf Bestellung 3216 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKS,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKS,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 160 mA tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 160mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 445mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | auf Bestellung 83534 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKS,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 13861 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84AKS,115 | Nexperia | MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 279000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKS,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.16A 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKS/ZLX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 445mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKT,115 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 150MA SC75 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), 770mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKV,115 | Nexperia | MOSFETs BSS84AKV/SOT666/SOT6 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKV,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 33250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84AKV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BSS84AKV,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 50 V, 170 mA, 170 mA, 4.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 170mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 500mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 500mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKV,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.17A 6-Pin SOT-666 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKV,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW Drain to Source Voltage (Vdss): 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-666 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 32000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84AKV,115 | NEXPERIA | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -110mA; Idm: -0.7A; 500mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -110mA Power dissipation: 0.5W Case: SOT666 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -0.7A Gate charge: 0.35nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKV115 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA BSS84AKV - SMALL SI Packaging: Bulk Part Status: Active | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKVL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKVL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 49664 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84AKVL | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKVL | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 50V 0.18A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| BSS84AKVL | Nexperia | MOSFETs BSS84AK/SOT23/TO-236AB | auf Bestellung 56035 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84AKW | Good-Ark Semiconductor | Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.3A, -60 | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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