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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMS6681ZON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 30V 21.1A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS6681ZONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS6681Z - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 122 A, 3200 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 122A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 73W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 28930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.88 EUR
48+4.91 EUR
100+3.67 EUR
500+2.95 EUR
1000+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS6681ZonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10380 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.1A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS6681Z-PON SemiconductorFDMS6681Z-P
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
307+2.13 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7556SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 3922 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7556SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A POWER56
auf Bestellung 582000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7556SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A POWER56
auf Bestellung 583774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7556SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7556S - MOSFET, N CH, 25V, 49A, POWER56
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+2.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7556SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 35A POWER56
auf Bestellung 583774 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7558SON Semiconductor
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7558SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 32A/49A 8PQFN
auf Bestellung 11404 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 331 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7558SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 2374 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7560SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 2617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7560SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7560S - MOSFET, N CH, 25V, 49A, POWER56
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7560SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 30A/49A 8PQFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5945 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 3036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
409+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 409 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7570SFairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 13 V
auf Bestellung 17297 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
458+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 458 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7570SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 1800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7572SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7572S - MOSFET, N CH, 25V, 49A, POWER56
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 78050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7572SON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V N-Channel PowerTrench SyncFET
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7572SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 25V 23A/49A 8PQFN
auf Bestellung 81825 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
357+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 357 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7578ON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 28A 5.8mOhm N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 2418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7578onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 17A/28A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1625 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7578ON Semiconductor
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7580onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/29A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 13 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7580ON Semiconductor / FairchildMOSFET 25V 20A 7.5mOhm N-Ch PowerTrench
auf Bestellung 2025 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7580onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 15A/29A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 13 V
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
10+2.57 EUR
100+2 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7600ASonsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7600ASFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/22A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 22A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
278+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7602SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 30/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 30/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 12/7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28/46nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7602SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 17A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 6214 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.81 EUR
10+2.43 EUR
100+1.64 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7602SonsemiMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench
auf Bestellung 3568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.94 EUR
10+2.53 EUR
100+1.76 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.29 EUR
3000+1.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7602SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 17A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.06 EUR
6000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7606Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A, 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 11.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
307+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 307 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7606ON Semiconductor / FairchildMOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7606ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7606 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 2540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
368+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 368 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608Sonsemi / FairchildMOSFETs PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V
auf Bestellung 8590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.93 EUR
100+0.92 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.88 EUR
3000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
557+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 557 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7608S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
auf Bestellung 26301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.31 EUR
12+1.88 EUR
100+1.46 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.81 EUR
6000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
189+0.93 EUR
192+0.88 EUR
195+0.83 EUR
198+0.79 EUR
250+0.74 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
557+1.17 EUR
1000+1.07 EUR
10000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 557 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Supplier Device Package: Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.95 EUR
6000+0.9 EUR
9000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.81 EUR
6000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A/15A POWER56
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 1290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
589+1 EUR
Mindestbestellmenge: 589 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608SONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30/30V; 22/30A; 2.2/2.5W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/30V
Drain current: 22/30A
Power dissipation: 2.2/2.5W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20/±20V
On-state resistance: 13.9/8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24/30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7608SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/15A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+0.9 EUR
195+0.88 EUR
198+0.84 EUR
250+0.82 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
auf Bestellung 37648 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.3 EUR
100+1.56 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.1A/12.4A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
413+1.58 EUR
500+1.4 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620SON Semiconductor
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
Part Status: Active
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1 EUR
6000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.1A/12.4A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620SonsemiMOSFETs 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3828 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+2.34 EUR
100+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.15 EUR
3000+1.01 EUR
6000+1 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.1A/12.4A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7620S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 10.1A/12.4A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
413+1.58 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 413 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620S-F106onsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620S-F106onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.19 EUR
11+2.02 EUR
100+1.36 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620S-F106onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 10.1A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A, 12.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: Power56
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620S_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V POWER56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620S_F065onsemi / FairchildMOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7620S_F065Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V POWER56
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7621SON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.15 EUR
500+2.81 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.34 EUR
10+4.14 EUR
100+2.89 EUR
500+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
auf Bestellung 6387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.54 EUR
51+4.57 EUR
100+2.95 EUR
500+2.57 EUR
1500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650onsemi / FairchildMOSFETs 30/20V N-Chan PowerTrench
auf Bestellung 10959 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
10+3.72 EUR
100+2.32 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.24 EUR
3000+2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 36A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14965 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
207+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 207 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 36A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650ONS/FAIДіоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS7650 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 990 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 990µohm
auf Bestellung 6387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.95 EUR
500+2.57 EUR
1500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650DConsemiMOSFETs 30V N-Chnl Dual Cool Pwr Trench MOSFET
auf Bestellung 14307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+3.42 EUR
100+2.87 EUR
500+2.43 EUR
3000+2.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 47A 8-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 47A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 47A POWER56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14765 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 47A 8-Pin DFN EP T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650DCON Semiconductor
auf Bestellung 2950 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650DConsemi / FairchildMOSFETs 30V N-Chnl Dual Cool Pwr Trench MOSFET
auf Bestellung 15083 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+3.42 EUR
100+2.87 EUR
500+2.43 EUR
3000+2.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 47A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 447 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+2.12 EUR
84+2.06 EUR
85+1.99 EUR
100+1.9 EUR
250+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7650DConsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 47A POWER56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14765 pF @ 15 V
auf Bestellung 5111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.14 EUR
10+4.02 EUR
100+2.8 EUR
500+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7656ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS7656ASonsemi / FairchildMOSFETs PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET
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1+3.52 EUR
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500+1.62 EUR
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FDMS7656ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 31A/49A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 39 Stücke:
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FDMS7658ASON Semiconductor
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FDMS7658ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/70A 8PQFN
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FDMS7658ASonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 29A/70A 8PQFN
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FDMS7658ASonsemi / FairchildMOSFET PT7 30/20V Nch PowerTrench SyncFET
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FDMS7660onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5565 pF @ 15 V
auf Bestellung 4168 Stücke:
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7+3.45 EUR
10+2.87 EUR
100+2.28 EUR
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FDMS7660ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
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472+1.38 EUR
525+1.23 EUR
1000+1.11 EUR
10000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
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FDMS7660ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
472+1.38 EUR
525+1.23 EUR
1000+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7660onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5565 pF @ 15 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS7660onsemi / FairchildMOSFETs 30/20V Nch Power Trench
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2+2.51 EUR
10+1.69 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.04 EUR
3000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7660ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 25A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS7660onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5565 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.56 EUR
6000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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