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IPD60R380C6ATMA1

Description: INFINEON - IPD60R380C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm

auf Bestellung 2353 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

55+	4.55 EUR
76+	3.06 EUR
111+	1.94 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 55 Stücke

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IPD60R380C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R380C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IPD60R380C6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

auf Bestellung 2658 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.27 EUR
10+	2.92 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.43 EUR
2500+	1.33 EUR
5000+	1.26 EUR

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IPD60R380C6ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

auf Bestellung 13880 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.32 EUR
5000+	1.24 EUR
7500+	1.19 EUR
12500+	1.18 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R380C6ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.7A; Idm: 30A; 83W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Drain current: 6.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R380C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.21 EUR
5000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R380C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	2.08 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R380C6BTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-2 CoolMOS C6

auf Bestellung 458 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPD60R380E6

auf Bestellung 40000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD60R380E6

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 650V 10.6A DPAK-2

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IPD60R380E6ATMA2

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R380E6ATMA2 - IPD60R380 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 6650 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

445+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 445 Stücke

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IPD60R380E6ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

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IPD60R380E6ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

394+	1.65 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 394 Stücke

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IPD60R380E6ATMA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

auf Bestellung 6650 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

315+	1.75 EUR

Mindestbestellmenge: 315 Stücke

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IPD60R380E6ATMA2

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5150 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

394+	1.65 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 394 Stücke

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IPD60R380E6BTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD60R380E6BTMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK

auf Bestellung 7551 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

394+	1.65 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.32 EUR

Mindestbestellmenge: 394 Stücke

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IPD60R380E6BTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 650V 10.6A DPAK-2

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IPD60R380E6BTMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R380E6BTMA1 - IPD60R380 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 7551 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

445+	1.65 EUR

Mindestbestellmenge: 445 Stücke

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IPD60R380P6

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD60R380P6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380P6ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V

auf Bestellung 4747 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.94 EUR
10+	2.5 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380P6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380P6ATMA1

Description: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm

auf Bestellung 2122 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.46 EUR
141+	1.54 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380P6ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.6A; 83W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 83W
Gate charge: 19nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 10.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380P6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380P6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

auf Bestellung 7256 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.92 EUR
10+	2.48 EUR
100+	1.68 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.21 EUR
2500+	1.14 EUR
5000+	1.08 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380P6ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380P6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380P6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380P6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 10.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.67 EUR
5000+	0.65 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380P6ATMA1

Description: INFINEON - IPD60R380P6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.6 A, 0.342 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.342ohm

auf Bestellung 2122 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

61+	4.12 EUR
95+	2.46 EUR
141+	1.54 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 61 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380P6BTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 600V 10.6A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380P6BTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R380P6BTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 877 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R385CP

MOSFET N-Ch 600V 9A DPAK-2 CoolMOS CP Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD60R385CP(Transistor)
Produktcode: 48539

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R385CPATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

auf Bestellung 45000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.7 EUR
5000+	1.59 EUR
7500+	1.57 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R385CPATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.63 EUR
5000+	1.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R385CPATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	2.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R385CPATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

271+	2.42 EUR
500+	2.14 EUR
1000+	1.93 EUR

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IPD60R385CPATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

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44+	3.97 EUR
63+	2.69 EUR
64+	2.53 EUR
100+	1.78 EUR
250+	1.7 EUR
500+	1.36 EUR
1000+	1.2 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

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IPD60R385CPATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.57 EUR
5000+	1.54 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R385CPATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1288 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	2.01 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

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IPD60R385CPATMA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R385CPATMA1 - IPD60R385 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 102 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 102 Stücke

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IPD60R385CPATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

auf Bestellung 46946 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.62 EUR
10+	3.63 EUR
100+	2.5 EUR
500+	2.02 EUR
1000+	1.93 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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IPD60R385CPATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.97 EUR
63+	2.75 EUR
64+	2.63 EUR
100+	1.88 EUR
250+	1.84 EUR
500+	1.5 EUR
1000+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

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IPD60R385CPATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 600V 9A DPAK-2

auf Bestellung 5288 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.87 EUR
10+	3.8 EUR
100+	2.62 EUR
500+	2.12 EUR
1000+	1.96 EUR
2500+	1.82 EUR
5000+	1.64 EUR

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IPD60R385CPATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.64 EUR
5000+	1.48 EUR
7500+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R385CPATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R385CPATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.7A; Idm: 27A; 83W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.385Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 83W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CP
Drain current: 5.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R385CPBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD60R385CPBTMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 100 V

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IPD60R3K3C6
Produktcode: 167569

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IPD60R3K3C6

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 650V 1.7A DPAK-2 CoolMOS C6

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD60R3K3C6

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD60R3K3C6

MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 (DPak) Транзистори

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IPD60R3K3C6

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD60R3K3C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.4 EUR
5000+	0.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R3K3C6ATMA1

Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm

auf Bestellung 181 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

93+	2.7 EUR
158+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 93 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 17500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.44 EUR
5000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.48 EUR
5000+	0.45 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; Idm: 4A; 18.1W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 3.3Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 18.1W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ C6
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

779+	0.23 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 779 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 973 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

318+	0.55 EUR
343+	0.49 EUR
346+	0.46 EUR
371+	0.42 EUR
372+	0.4 EUR
500+	0.35 EUR

Mindestbestellmenge: 318 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Description: INFINEON - IPD60R3K3C6ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 3.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18.1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.3ohm

auf Bestellung 181 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.7 EUR
158+	1.48 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 12500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.48 EUR
5000+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 973 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

346+	0.5 EUR
371+	0.46 EUR
372+	0.45 EUR
500+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 346 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6ATMA1

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 650V 1.7A DPAK-2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K3C6BTMA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 650V 1.7A DPAK-2 CoolMOS C6

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K4CEAUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; 29W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 3.17Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 29W
Gate charge: 4.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Case: DPAK; TO252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K4CEAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs CONSUMER

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K4CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.24 EUR
5000+	0.21 EUR
7500+	0.2 EUR
17500+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K4CEAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

auf Bestellung 2106 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

15+	1.46 EUR
23+	0.92 EUR
100+	0.58 EUR
500+	0.45 EUR
1000+	0.4 EUR

Mindestbestellmenge: 15 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K4CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K4CEAUMA1

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K4CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 25000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.24 EUR
5000+	0.23 EUR
7500+	0.21 EUR
12500+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R3K4CEAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 29W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R3K4CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R400CE

Infineon Technologies

MOSFET CONSUMER

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IPD60R400CEATMA1

MOSFET N-CH 600V TO-252-3 Транзистори

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IPD60R400CEATMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 10.3A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

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IPD60R400CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 22500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.79 EUR
5000+	0.71 EUR
7500+	0.69 EUR
10000+	0.62 EUR
12500+	0.6 EUR
17500+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R400CEAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

auf Bestellung 16936 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.14 EUR
11+	1.99 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.05 EUR
1000+	0.95 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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IPD60R400CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.76 EUR
5000+	0.68 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R400CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.76 EUR
5000+	0.69 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R400CEAUMA1

Description: INFINEON - IPD60R400CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14.7 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 112W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm

auf Bestellung 4761 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.5 EUR
113+	2.07 EUR
170+	1.26 EUR
500+	0.92 EUR
1000+	0.83 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD60R400CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.83 EUR
5000+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD60R400CEAUMA1

Infineon Technologies

MOSFETs CONSUMER

auf Bestellung 4025 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.2 EUR
10+	2.01 EUR
100+	1.33 EUR
500+	1.06 EUR
1000+	0.94 EUR
2500+	0.86 EUR
5000+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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IPD60R400CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2420 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	2.01 EUR
95+	1.81 EUR
157+	1.07 EUR
200+	0.98 EUR
1000+	0.86 EUR
2000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

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IPD60R400CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

97+	1.8 EUR
104+	1.65 EUR
145+	1.17 EUR
250+	1.12 EUR
500+	0.86 EUR
1000+	0.7 EUR

Mindestbestellmenge: 97 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R400CEAUMA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 600V 14.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 112W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.86 EUR
5000+	0.8 EUR
7500+	0.76 EUR
12500+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R400CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

87+	2.01 EUR
95+	1.81 EUR
157+	1.07 EUR
200+	0.98 EUR
1000+	0.86 EUR
2000+	0.79 EUR

Mindestbestellmenge: 87 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD60R400CEAUMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

76+	2.31 EUR
105+	1.63 EUR
148+	1.13 EUR
500+	0.87 EUR
1000+	0.8 EUR
2500+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 76 Stücke

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IPD60R400CEAUMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.3A; Idm: 30A; 112W; PG-TO252
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 112W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ CE
Drain current: 9.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO252

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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