Produkte > IPD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IPD60R280PFD7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 7A; Idm: 31A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 549mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 51W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ PFD7 Drain current: 7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R280PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R280PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V | auf Bestellung 1414 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R280PFD7SAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R280PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.233 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 51W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 51W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.233ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.233ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | auf Bestellung 2261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R280PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1776 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R280PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R280PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 51W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 180µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 656 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K0C6ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.5A; Idm: 6A; 22.3W; PG-TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 22.3W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ C6 Drain current: 1.5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K0C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K0C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K0C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K0C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K0C6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R2K0C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K0C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_LEGACY | auf Bestellung 2839 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R2K0C6BTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R2K0C6BTMA1 - IPD60R2K0 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 11 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K0C6BTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 760mA, 10V Power Dissipation (Max): 22.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | auf Bestellung 2310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | auf Bestellung 190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 25 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung Pd: 20W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 20W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.626ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm | auf Bestellung 636 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 619 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | auf Bestellung 2310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R2K0PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 20W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm | auf Bestellung 636 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R | auf Bestellung 2390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K0PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 134 pF @ 400 V | auf Bestellung 3962 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R2K1CE | Infineon technologies | auf Bestellung 2440 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPD60R2K1CE | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K1CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K1CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm | auf Bestellung 2551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K1CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K1CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K1CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K1CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 213800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K1CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K1CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K1CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K1CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R2K1CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.7 A, 2.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 38W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm | auf Bestellung 2551 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K1CEAUMA1 | Infineon | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPD60R2K1CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.7A; 38W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 2.1Ω Mounting: SMD Power dissipation: 38W Gate charge: 6.7nC Polarisation: unipolar Drain current: 3.7A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Case: DPAK; TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K1CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K1CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 126 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R2K1CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K1CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 62500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R2K1CEBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K1CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 2.3A DPAK-2 | auf Bestellung 16 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R2K1CEBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Power Dissipation (Max): 22W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 760mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3-313 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V | auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R360CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R360CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 43W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 43W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.295ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm | auf Bestellung 1879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360CFD7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3-313 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360CFD7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R360CFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.295 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 43W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CFD7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm | auf Bestellung 1879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 2433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R360CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1892 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 | auf Bestellung 3669 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 74 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1892 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 41W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm | auf Bestellung 1467 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12029 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 12029 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 41W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Power dissipation: 41W Gate charge: 13nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 6A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1413 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R360P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.305 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 41W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm | auf Bestellung 1467 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7S | Infineon | auf Bestellung 500000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPD60R360P7S | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7SAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 41W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm | auf Bestellung 2286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 2445 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R360P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 41W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Power dissipation: 41W Gate charge: 13nC Polarisation: unipolar Drain current: 9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Case: DPAK; TO252 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360P7SAUMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | auf Bestellung 3049 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4132 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7SAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R360P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 41W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm | auf Bestellung 2286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 4132 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7SAUMA1 | Infineon | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IPD60R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7SE8228AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9A; 41W; DPAK3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 702mΩ Mounting: SMD Power dissipation: 41W Gate charge: 13nC Polarisation: unipolar Drain current: 9A Drain-source voltage: 600V Case: DPAK3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 29148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 41W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V | auf Bestellung 2259 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R360P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7SE8228AUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R360P7SE8228AUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 41W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R360P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IPD60R360P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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