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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
auf Bestellung 11505 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.35 EUR
10+4.82 EUR
50+3.72 EUR
100+3.37 EUR
500+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V -40A 60mOhm 120nC
auf Bestellung 7235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.4 EUR
10+3.36 EUR
100+2.39 EUR
500+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5210PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 2853 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.15 EUR
66+3.55 EUR
100+2.87 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3406 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.82 EUR
93+1.81 EUR
100+1.73 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.56 EUR
2000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBFInternational RectifierMOSFET P-CH 100V 40A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 0.12µC
Gate-source voltage: ±20V
auf Bestellung 3198 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.75 EUR
35+2.5 EUR
40+2.18 EUR
50+1.99 EUR
100+1.81 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.42 EUR
1250+1.38 EUR
2000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 79956 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.42 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.93 EUR
10000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBF
Produktcode: 113380
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Id, A: 40 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2700/180
Montage: THT
auf Bestellung: 193 St.
  • 193 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 79960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.31 EUR
104+1.63 EUR
105+1.55 EUR
500+1.48 EUR
1000+1.4 EUR
2000+1.33 EUR
5000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210PBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 40 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2700 @ 25, Qg, нКл = 180 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 24 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210SMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 1902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.55 EUR
86+2.71 EUR
127+1.69 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210SMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - IRF5210S - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: NO
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Power MOSFETs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 1902 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.71 EUR
127+1.69 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210SPBFIRF5210SPBF Транзисторы HEXFET
auf Bestellung 108 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210SPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+6.7 EUR
103+6.28 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210SPBFInternational RectifierP-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210SPBF
Produktcode: 37137
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Id, A: 38 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2780/150
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.56 EUR
10+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210SPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 A, Ptot, Вт = 3,1, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мOм @ 38 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210SPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLInfineonTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRL-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLHRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
auf Bestellung 7534 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.57 EUR
10+3.61 EUR
50+2.76 EUR
100+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 17455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.32 EUR
40+5.91 EUR
100+4.15 EUR
500+4.07 EUR
1000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 336 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.36 EUR
24+3.57 EUR
27+3.18 EUR
31+2.76 EUR
100+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.19 EUR
52+3.12 EUR
100+2.09 EUR
250+2 EUR
500+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.63 EUR
55+2.95 EUR
56+2.81 EUR
100+1.98 EUR
250+1.87 EUR
500+1.42 EUR
1600+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.89 EUR
2400+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
auf Bestellung 28352 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+3.53 EUR
100+2.45 EUR
500+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 85600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 542 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.19 EUR
52+3.24 EUR
100+2.21 EUR
250+2.17 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInternational RectifierP-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 17485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.8 EUR
500+3.72 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
92+1.89 EUR
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IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800+1.64 EUR
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF5210STRLPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 200 Од. ви
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRF5210STRLPBF
Produktcode: 199795
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRF5210STRRIR
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IRF5210STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC
auf Bestellung 1630 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.06 EUR
10+4.61 EUR
100+3.37 EUR
500+3.08 EUR
800+2.62 EUR
2400+2.48 EUR
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IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+3.47 EUR
500+3.08 EUR
1000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF5210STRRPBF
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+3.47 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+3.47 EUR
500+3.08 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF5210STRRPBFInternational RectifierP-Channel, 100 V, 170 W, D2PAK-3 Транзистори
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IRF522IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
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IRF522 RHARRISTO-220 04+
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF523HARRISIRF523
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
789+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 789 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF523Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
568+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 568 Stücke
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IRF523HARRISIRF523
auf Bestellung 1664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
789+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 789 Stücke
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IRF530Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STMN-кан. MOSFET 100V, 14A, 0.115Ом, 60Вт, -55...+175, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530
Produktcode: 175506
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SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 14 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 26/670
Montage: THT
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1+1.08 EUR
10+0.98 EUR
100+0.86 EUR
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IRF530STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 16 Amp
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530Vishay SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 670 @ 25, Qg, нКл = 26, Rds = 0,16 Ом @ 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530
Produktcode: 14593
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 14 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 670/26
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SiliconixTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305JSMicro SemiconductorTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 35A; 110W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 JSMICRO TIRF5305 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305UMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ -25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 110 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305International RectifierP-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305UMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305Infineon / IRMOSFETs MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -31A, 60 mOhm, 42 nC Qg, TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305International RectifierP-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, TO-220AB (HEXFET) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305LIR/FAIRCHILD
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305LPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 31A TO-262 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305LPBF
Produktcode: 89217
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.02 EUR
100+1.9 EUR
250+1.78 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 68326 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.47 EUR
99+1.71 EUR
107+1.52 EUR
119+1.31 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 68323 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+1.75 EUR
108+1.59 EUR
121+1.39 EUR
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
599+1.09 EUR
1000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 599 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 5932 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.57 EUR
111+2.09 EUR
135+1.59 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.17 EUR
5000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+2.02 EUR
70+1.21 EUR
81+1.05 EUR
93+0.92 EUR
104+0.82 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF
Produktcode: 40618
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 31 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: THT
auf Bestellung: 374 St.
  • 374 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+1.37 EUR
10+1.24 EUR
100+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 18428 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.63 EUR
10+2.99 EUR
50+2.26 EUR
100+2.03 EUR
500+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.98 EUR
2000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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112+1.56 EUR
148+1.14 EUR
154+1.06 EUR
162+0.96 EUR
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IRF5305PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
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2+2.67 EUR
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500+1.12 EUR
1000+1.06 EUR
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IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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60+2.92 EUR
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126+1.24 EUR
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IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF5305SInternational RectifierP-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
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IRF5305SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF5305SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRF5305SPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 60mOhms 42nC
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IRF5305SPBFInternational RectifierP-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
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IRF5305SPBF
Produktcode: 185643
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JSMICROTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 31 А
Montage: SMD
auf Bestellung: 11 St.
  • 11 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+1.73 EUR
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IRF5305SPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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