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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPreis
IRF5210SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210SPBFInternational RectifierP-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210SPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
auf Bestellung 303 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
98+5.63 EUR
103+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 98 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLInfineonTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF5210STRL; IRF5210S; IRF5210STRR; IRF5210S-GURT; IRF5 IRF5210STRL TIRF5210s
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 590 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.18 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRL-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 65mOhm; 30A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF5210S; IRF5210STRL; IRF5210STRR; SP001570130; SP001554020; SP001561786; IRF5210STRL-CN CHIPNOBO TIRF5210s CNB
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLHRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+3.66 EUR
24+3 EUR
27+2.67 EUR
31+2.32 EUR
100+1.92 EUR
500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.24 EUR
31+4.58 EUR
100+3.1 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInternational RectifierP-CH, 100 V, 40A, D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF
Produktcode: 199795
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.28 EUR
1600+2.13 EUR
2400+2.05 EUR
4000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+4.89 EUR
100+3.39 EUR
800+2.58 EUR
1600+2.36 EUR
2400+2.24 EUR
4000+2.11 EUR
5600+2.01 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 18230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 38 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2780 @ 25, Qg, нКл = 230 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 38 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Очікується: 200 Од. ви
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 82400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.16 EUR
1600+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
auf Bestellung 23172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.18 EUR
10+4.7 EUR
100+3.52 EUR
500+2.94 EUR
800+2.73 EUR
2400+2.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
auf Bestellung 5495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+6.34 EUR
10+4.17 EUR
100+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 82400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.14 EUR
1600+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 18230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRRIR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 40A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+2.92 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -100V HEXFET 60mOhms 120nC
auf Bestellung 1632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.93 EUR
10+3.87 EUR
100+2.83 EUR
500+2.59 EUR
800+2.2 EUR
2400+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+2.92 EUR
500+2.59 EUR
1000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsIRF5210STRRPBF
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+2.92 EUR
500+2.59 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRRPBFInternational RectifierP-Channel, 100 V, 170 W, D2PAK-3 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF522IR
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF522 RHARRISTO-220 04+
auf Bestellung 581 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF523HARRISIRF523
auf Bestellung 894 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
789+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 789 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF523HARRISIRF523
auf Bestellung 1664 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
789+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 789 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF523Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 2608 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
568+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 568 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530Vishay SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 14 А, Ptot, Вт = 88, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 670 @ 25, Qg, нКл = 26, Rds = 0,16 Ом @ 10 B, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 2...4 B,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530
Produktcode: 175506
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
SiliconixTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 14 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 26/670
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 16 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530STMN-кан. MOSFET 100V, 14A, 0.115Ом, 60Вт, -55...+175, TO-220 (STripFET MOSFET) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530
Produktcode: 14593
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 14
Rds(on), Ohm: 0.16
Ciss, pF/Qg, nC: 670/26
JHGF: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530SiliconixTrans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF530 TIRF530
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF530Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305International Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ -25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 110 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305Infineon / IRMOSFETs MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -31A, 60 mOhm, 42 nC Qg, TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305UMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305International RectifierP-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, TO-220AB (HEXFET) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF5305International RectifierP-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
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IRF5305UMWTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF5305; SP001564354; IRF5305 UMW TIRF5305 UMW
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF5305LIR/FAIRCHILD
auf Bestellung 1000 Stücke:
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IRF5305LInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF5305LPBFInternational RectifierMOSFET P-CH 55V 31A TO-262 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305LPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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IRF5305LPBF
Produktcode: 89217
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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IRF5305PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 18707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.93 EUR
50+2.42 EUR
100+2.18 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.62 EUR
2000+1.5 EUR
5000+1.37 EUR
10000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.99 EUR
149+0.95 EUR
161+0.84 EUR
500+0.72 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5305PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 6044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF5305PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+1.7 EUR
70+1.02 EUR
81+0.88 EUR
93+0.77 EUR
104+0.69 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.57 EUR
1250+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 3422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+1.35 EUR
110+1.32 EUR
126+1.12 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
222+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.44 EUR
103+1.41 EUR
120+1.18 EUR
500+0.93 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.76 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.86 EUR
2000+0.82 EUR
5000+0.78 EUR
10000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBF
Produktcode: 40618
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Id,A: 31
Rds(on),Om: 0.06
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: THT
auf Bestellung 507 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.47 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+1.7 EUR
100+1.6 EUR
250+1.5 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 9076 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.44 EUR
103+1.38 EUR
120+1.13 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.72 EUR
2000+0.68 EUR
5000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
auf Bestellung 12440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+2.22 EUR
100+1.5 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.09 EUR
2000+1.02 EUR
5000+0.97 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.86 EUR
2000+0.83 EUR
5000+0.81 EUR
10000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH Si 55V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
436+1.26 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 436 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SInternational RectifierP-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBF
Produktcode: 37024
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IRTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
Rds(on),Om: 0,06 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1200/63
/: SMD
auf Bestellung 169 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBFInternational RectifierP-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 60mOhms 42nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBF
Produktcode: 185643
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JSMICROTransistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Uds,V: 55 V
Id,A: 31 A
/: SMD
auf Bestellung 11 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305SPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STR
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLUMWDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLInfineonTranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLInfineonTranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305S; IRF5305STRL; IRF5305STRR; IRF5305S-GURT; IRF5305STRL TIRF5305s
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInternational RectifierP-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
auf Bestellung 318 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBF
Produktcode: 155127
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 11800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 17176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.68 EUR
10+3.01 EUR
100+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 23200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 92 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF5305STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 31 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 31A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 110W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 11800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63, Rds = 60 мОм @ 16 A , 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 10 В, Pb-free,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
auf Bestellung 16800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+1.56 EUR
1600+1.44 EUR
2400+1.38 EUR
4000+1.32 EUR
5600+1.28 EUR
8000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 2266 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+2.57 EUR
34+2.14 EUR
39+1.87 EUR
56+1.29 EUR
100+1.1 EUR
250+0.96 EUR
500+0.89 EUR
800+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 23200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT PCh -55V -31A 60mOhm 42nC
auf Bestellung 3284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.31 EUR
10+2.76 EUR
100+1.9 EUR
500+1.54 EUR
800+1.44 EUR
2400+1.39 EUR
4800+1.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRPBF
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.91 EUR
4000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH 60mOhm HEXFET -31A ID
auf Bestellung 720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.82 EUR
10+2.43 EUR
100+1.64 EUR
500+1.32 EUR
800+1.18 EUR
2400+1.11 EUR
4800+1.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5305STRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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