Produkte > IRL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IRLML6302PBF | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6302PBF | Infineon | MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6302TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6302TR/C4STH | IR | SOT-23 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | UMW | MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | KLS | MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | International Rectifier/Infineon | P-канальний ПТ з керуванням логічного рівня, Udss, В = 20, Id = 780 мА, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 97 @ 15, Qg, нКл = 3,6 @ 4,45, Rds = 600 мОм @ 610 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА,... Транзистори К Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 11 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | TAIWAN | MOSFET P-CH 20V 780mA SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 0.78A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 24 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF Produktcode: 45727
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V Drain-Strom Id, A: 0,78 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,60 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 97/2,4 Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung Montage: SMD | auf Bestellung: 116 St.
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| IRLML6302TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT P-Ch -0.62A 600mOhm 2.4nC LogLvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRLML6302TRPBF - IRLML6302 20V SINGLE N-CHANNEL LEAD FRE tariffCode: 85423990 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2755 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | MOSFET 20V 0.78A (4.9A pulse), P Channel SOT-23-3 | auf Bestellung 3490 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 780mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.45 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 97 pF @ 15 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF-1 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML6302TRPBF-1-ML | MOSLEADER | Description: P -20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLML6302TRPBF | IRLML6302TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal | auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML6344 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6344 | HOTTECH | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3W; -55°C~150°C; Substitute: YJL3400A-F2-0000HF; IRLML6344 SOT23 TIRLML6344 c Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2280 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6344TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 37mOhm; 5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6344TR; SP001574050; IRLML6344TR UMW TIRLML6344 UMW Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 850 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6344TR | UMW | Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6344TR | Infineon | Transistor N-MOSFET; 30V; 12V; 37mOhm; 5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6344TR; IRLML6344; SP001574050; MA005540618; IRLML6344; IRLML6344TR TIRLML6344 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6344TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6344TR; SP001574050; IRLML6344TR HXY MOSFET TIRLML6344 HXY Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6344TR | Infineon | Transistor N-MOSFET; 30V; 12V; 37mOhm; 5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6344TR; IRLML6344; SP001574050; MA005540618; IRLML6344; IRLML6344TR TIRLML6344 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2022 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6344TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 5A SOT23 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6344TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6344TR; SP001574050; IRLML6344TR HXY MOSFET TIRLML6344 HXY Anzahl je Verpackung: 250 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6344TR-(SOT-23) | KLS | IRLML6344TR-(SOT-23) IRLML6344TR Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори | auf Bestellung 5825 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6344TR-ES | ElecSuper | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3W; -55°C~150°C; Substitute: YJL3400A-F2-0000HF; IRLML6344 SOT23 TIRLML6344 c Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1160 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6344TRPBF Produktcode: 208132
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | TECH PUBLIC | Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm | auf Bestellung 8175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6344TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 102680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF Produktcode: 42697
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V Drain-Strom Idd, A: 5 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/6,8 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD | verfügbar: 4 St.
auf Bestellung: 4299 St.
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| IRLML6344TRPBF | Infineon | Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори | auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6344TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6344TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.029 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm | auf Bestellung 8175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 8009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 5.0A 29mOhm 30V 2.5V drv capable | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 4 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | TYS | Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 102680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6344TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5 A, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 650 @ 25, Qg, нКл = 6,8 @ 4,5 В, Rds = 29 мОм @ 5 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 2610 Од. Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 5A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6344TRPBF-ML | MOSLEADER | Description: N 30V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6346 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6346TR | UMW | Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23 Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLML6346TR | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 80mOhm; 3,4A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6346TR; SP001578770; IRLML6346 TIRLML6346 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 6368 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6346TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 80mOhm; 3,4A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6346TR; SP001578770; IRLML6346TR UMW TIRLML6346 UMW Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6346TRPBF | Infineon | N-MOSFET, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3 Транзистори | auf Bestellung 45 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 51999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6346TRPBF | International Rectifier | Транзистор N-MOSFET, польовий, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm | auf Bestellung 12771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 6000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,4 А, Ptot, Вт = 1,3, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 270 @ 24, Qg, нКл = 2,9 @ 4,5 В, Rds = 63 мОм @ 3,4 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 51999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6346TRPBF | International Rectifier | N-MOSFET, 30В, 2,7А. Idm: 17А, 0,8А, SOT-23-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF Produktcode: 48281
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В Drain-Strom Idd, A: 2,7 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 63 мОм Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 270/2,9 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD | verfügbar: 20 St.
auf Bestellung: 1109 St.
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| IRLML6346TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML6346TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.4 A, 0.063 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm | auf Bestellung 12771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6346TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 17A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 80mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.9nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 3.4A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 24 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 3.4A 63mOhm 30V 2.5V drv capable | auf Bestellung 39124 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLML6346TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 3.4A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 3566 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401 | MLCCBASE | Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 MLCCBASE TIRLML6401 MLC Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401 | HUASHUO | Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1805 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401 | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | auf Bestellung 3330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401 | HXY MOSFET | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 HXY MOSFET TIRLML6401 HXY Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401 | TECH PUBLIC | Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TEC Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 2201 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401 | Infineon | MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | auf Bestellung 3330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401 | UMW | Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401 | HUASHUO | Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401 TR | IR | auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML6401-3 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | auf Bestellung 8555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401-3 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401-3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV Verlustleistung: 1.3W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 2V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm | auf Bestellung 8555 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401-T1 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| IRLML6401GPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -12V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401GTRPBF | IR | 09+ QFP100 | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401GTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 20500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLML6401GTRPBF-ML | MOSLEADER | Description: P -12V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 300000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLML6401PBF | Infineon / IR | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401TR | KEXIN | Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 KEX Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401TR | International Rectifier/Infineon | P-канальный ПТ (Vds=12V, Id=4.3A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds=0.05 R, P=1.3W, -55 to +150C)... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401TR Produktcode: 53008
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLML6401TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) FET Type: P-Channel Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLML6401TR | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401TR | JGSEMI | Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR JGSEMI TIRLML6401 JGS Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401TR | UMW | Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 UMW TIRLML6401 UMW Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401TR | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 1520 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401TR | VBsemi | Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 43 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401TR | Infineon | Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 TIRLML6401 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2660 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401TR-VB | VBsemi | Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 VBS Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLML6401TR/1F1A | IR | 09+ | auf Bestellung 3018 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
