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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI4463CDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463CDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SI4463D
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4463DYFAIRCHILDSI4463DY
auf Bestellung 142228 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.59 EUR
10000+1.39 EUR
100000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463DYFAIRCHILDSI4463DY
auf Bestellung 18300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.59 EUR
10000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
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SI4463DYFAIRCHILDSI4463DY
auf Bestellung 11635 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.59 EUR
10000+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463DYONSEMIDescription: ONSEMI - SI4463DY - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 188516 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
472+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 472 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463DYFairchild SemiconductorDescription: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4481 pF @ 10 V
auf Bestellung 183632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
267+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 267 Stücke
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SI4463DYFAIRCHILDSI4463DY
auf Bestellung 8924 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
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SI4463DYFAIRCHILDSI4463DY
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
335+2 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 335 Stücke
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SI4463DY-T1SI0006+
auf Bestellung 4970 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4463DY-T1-E3VISHAYSO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4463DY-TI
auf Bestellung 960 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4463DYT1VISHAYSO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4463DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 35000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4463M1307CAMSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
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 Mindestbestellmenge: 490 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463M1307CAMRSilicon LabsRF Transceiver Transceiver AEC-Q100
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 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463M1307CGMSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +13/-116dBm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4463M1307CGMRSilicon LabsRF Transceiver TXRX SubG +13/-116dBm
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464SI09+ SOP8
auf Bestellung 1006 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI4464(Transistor)
Produktcode: 58348
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SI4464-B0B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/TRX SI4464
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B0B-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/TRX SI4464
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4464-B1B-FM - HF-Transceiver, 119MHz bis 1.05GHz, 4FSK/4GFSK, FSK/GFSK, MSK/GMSK, OOK, 1.8-3.6V, QFN-20
tariffCode: 85423990
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: 85mA
Bauform - HF-IC: QFN
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung
IC-Gehäuse / Bauform: QFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenz, min.: 119MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Empfangsstrom: 13.6mA
Empfindlichkeit (dBm): -97dBm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Übertragungsrate: 1Mbps
Frequenzgang HF, max.: 1.05GHz
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: 5A991.b.4.b
Frequenzgang HF, min.: 119MHz
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Frequenz, max.: 1.05GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+20.61 EUR
16+15.46 EUR
25+13.3 EUR
50+12.72 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tray
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+19.4 EUR
10+16.56 EUR
25+15.59 EUR
100+14.29 EUR
490+12.99 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.09 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMSiLabsRF TXRX+MCU ISM<1GHZ VFQFN-20 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMSilicon LabsQFN 20/I°/TRX SI4464
Anzahl je Verpackung: 75 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
auf Bestellung 2005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.78 EUR
10+14.45 EUR
25+13.48 EUR
100+12.35 EUR
250+11.52 EUR
500+11.13 EUR
1000+10.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
auf Bestellung 1650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+13.09 EUR
16+11.3 EUR
25+10.38 EUR
100+8.92 EUR
490+8.06 EUR
980+7.45 EUR
1470+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMRSilicon LabsRF Transceiver +20 dBm sub-GHz Transceiver
auf Bestellung 4586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+19.87 EUR
10+15.24 EUR
25+15.23 EUR
100+13.92 EUR
250+13.2 EUR
500+12.7 EUR
1000+12.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4464-B1B-FMR - HF-TXRX, 119MHZ-1.05GHZ, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85176200
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Übertragungsstrom: 85mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Frequenzgang HF, max.: 1.05MHz
Übertragungsrate: 1Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 119MHz
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: 5A991.b
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenzgang HF, min.: 119MHz
rohsCompliant: YES
SVHC: To Be Advised
Empfindlichkeit (dBm): -97dBm
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Frequenz, max.: 1.05MHz
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Empfangsstrom: 13.6mA
euEccn: NLR
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.44 EUR
14+16.9 EUR
25+14.54 EUR
50+13.9 EUR
100+13.26 EUR
250+12.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.41 EUR
10+19.14 EUR
25+18.02 EUR
100+16.51 EUR
250+15.61 EUR
500+14.99 EUR
1000+14.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMRSilicon LabsПриемопередатчик РЧ, F,ГГц = 0.119...1.050, Pвх, Вт = 10/13 мА RX, Pвых, Вт = 20 дБм, Uпит, В = 1.8...3.6,... Інтегральні мікросхеми Корпус: QFN-20 Очікується: 415 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMRSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI4464-B1B-FMR - HF-TXRX, 119MHZ-1.05GHZ, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85176200
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Übertragungsstrom: 85mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Bauform - HF-IC: QFN-EP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK
Frequenzgang HF, max.: 1.05MHz
Übertragungsrate: 1Mbps
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 119MHz
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: 5A991.b
Ausgangsleistung (dBm): 20dBm
HF-Primärfunktion: Transceiver
Frequenzgang HF, min.: 119MHz
rohsCompliant: YES
SVHC: To Be Advised
Empfindlichkeit (dBm): -97dBm
IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP
Versorgungsspannung, min.: 1.8V
Frequenz, max.: 1.05MHz
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Empfangsstrom: 13.6mA
euEccn: NLR
auf Bestellung 881 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.44 EUR
14+16.9 EUR
25+14.54 EUR
50+13.9 EUR
100+13.26 EUR
250+12.58 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMRSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
Part Status: Not For New Designs
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMRSilicon Laboratories+20 dBm Sub-GHz Transmitter
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMRSilicon LabsQFN 20/I°/TRX SI4464
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1B-FMR
Produktcode: 60025
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Modulare Elemente > IC Radiomodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464-B1X-FMSilicon LabsDescription: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad
Sensitivity: -126dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz
Type: TxRx Only
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Power - Output: 20dBm (Max)
Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA
Data Rate (Max): 1Mbps
Current - Transmitting: 70mA ~ 85mA
Supplier Device Package: 20-QFN (4x4)
GPIO: 4
Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK
RF Family/Standard: General ISM < 1GHz
Serial Interfaces: SPI
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DYVISHAY09+
auf Bestellung 168 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.89 EUR
5000+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
65+2.77 EUR
91+1.89 EUR
92+1.8 EUR
128+1.25 EUR
250+1 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4464DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.08 EUR
111+1.94 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 13000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.21 EUR
5000+1.13 EUR
7500+1.09 EUR
12500+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.26Ω
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 2.5W
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.89 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.96 EUR
92+1.92 EUR
128+1.34 EUR
250+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.24 EUR
10+2.05 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.46 EUR
2500+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4464DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 2486 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.2 EUR
76+3.08 EUR
111+1.94 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 13284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.7 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Polarisation: unipolar
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.26Ω
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 2.5W
Pulsed drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 200V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
auf Bestellung 2111 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.16 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8
auf Bestellung 3610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.36 EUR
10+2.15 EUR
100+1.89 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.38 EUR
2500+1.32 EUR
5000+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4464DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 4026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.76 EUR
106+2.03 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4464DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 4026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.38 EUR
85+2.76 EUR
106+2.03 EUR
500+1.63 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4464DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465SIEMENS01+ SOP
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4465ADY
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
auf Bestellung 8675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.12 EUR
64+3.67 EUR
100+2.74 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.67 EUR
10+3.03 EUR
100+2.43 EUR
250+2.32 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.74 EUR
2500+1.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.11 EUR
63+2.82 EUR
114+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3010 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V
auf Bestellung 9470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.07 EUR
10+3.28 EUR
100+2.26 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.67 EUR
2500+1.64 EUR
5000+1.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+4.11 EUR
63+2.76 EUR
114+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4465ADY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET, -8V, 13.7A, SOIC
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: 13.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 1.8
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 6.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 450
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 2487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.32 EUR
53+4.45 EUR
56+3.86 EUR
60+3.58 EUR
100+3.32 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2003 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+0.84 EUR
213+0.82 EUR
216+0.8 EUR
220+0.76 EUR
223+0.74 EUR
250+0.71 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADYT1
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465ADYT1E3
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465DYVishay / SiliconixMOSFETs 8V 14A 2.5W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465DY
auf Bestellung 1790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465DY-T1SILICONIX
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si4465DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465DYADY-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465DYT1VISHAY07+ SO-8
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4465DYT1E3VISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4466SISOP-8
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4466DYFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI4466DYVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SI41
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SI4466DYFAIRCHILD07+ SO-8
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SI4466DYonsemi / FairchildMOSFETs SO8 NCH 20V
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SI4466DY-T1VISHAY0403+
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SI4466DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
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SI4466DY-T1-E3VISHAYSO-8
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SI4466DY-T1-E3-10
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SI4466DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO
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Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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SI4466DYT1VISHAY07+ SO-8
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