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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMC3016LNS-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LNS-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.88 EUR
162+1.44 EUR
247+0.87 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3016LNS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3016LNS-7Diodes ZetexCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3016LNS-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LNS-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1869 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.88 EUR
162+1.44 EUR
247+0.87 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3016LNS-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
auf Bestellung 2133 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.46 EUR
4000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3016LNS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
21+1.02 EUR
100+0.7 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3016LSDDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3016LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3016LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3016LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3016LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2.01 EUR
201+1.15 EUR
309+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3016LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3016LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2.01 EUR
201+1.15 EUR
309+0.69 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3018LSDDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3018LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3020UDVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3020UDVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 20A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.18W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383pF @ 15V, 782pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V, 42mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V, 13.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3020UDVW-13Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3020UDVW-7Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3020UDVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3020UDVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 20A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.18W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383pF @ 15V, 782pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V, 42mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V, 13.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXD)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3020UDVWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.18W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383pF @ 15V, 782pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V, 42mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V, 13.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3020UDVWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.18W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), 17A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383pF @ 15V, 782pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 6A, 10V, 42mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V, 13.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: TO252-4
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Power dissipation: 2.75W
Drain current: 6.8/-9.4A
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5K
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.51 EUR
100+1.08 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.63 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3021LK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 14 A, 14 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
135+1.73 EUR
210+1.02 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9.4A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 9.4A/6.8A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LK4-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3021LK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 14 A, 14 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 22W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 22W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
108+2.32 EUR
135+1.73 EUR
210+1.02 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 108 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
126+1.99 EUR
200+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 126 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13
Produktcode: 88668
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 1894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.96 EUR
18+1.23 EUR
25+1.02 EUR
50+0.9 EUR
100+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Kind of transistor: complementary pair
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Power dissipation: 2.5W
Drain current: 7/-8.5A
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+4.05 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET COMP PAIR
auf Bestellung 1131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+1.13 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3021LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 152 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSD-13DIODES/ZETEXTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3021LSD-13 DMC3021LSD-7 DMC3021LSD TDMC3021LSD
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 888 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; automotive industry
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
153+1.52 EUR
235+0.92 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A, 7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 1476 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
17+1.27 EUR
25+1.06 EUR
50+0.94 EUR
100+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 30V Comp Pair
auf Bestellung 16137 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.96 EUR
10+0.92 EUR
100+0.8 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3021LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+2.62 EUR
153+1.52 EUR
235+0.92 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LDV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3025LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.4 EUR
182+1.27 EUR
280+0.76 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.39 EUR
6000+0.37 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
auf Bestellung 5762 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.07 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LDV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3025LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2260 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.4 EUR
182+1.27 EUR
280+0.76 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
auf Bestellung 47960 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
24+0.9 EUR
100+0.62 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LDV-13Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Power DI
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LDV-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N/P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
auf Bestellung 1963 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.07 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.4 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 15A POWERDI3333
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.42 EUR
6000+0.39 EUR
10000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LDV-7Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET Power DI
auf Bestellung 44000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LNS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7.2A PWRDI3333
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 6.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LNS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LNS-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
auf Bestellung 1130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.68 EUR
10+1.02 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.46 EUR
2000+0.38 EUR
4000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LNS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 7.2A PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 6.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSD-13DiodesMOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO Транзистори
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12026 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.4 EUR
25+0.87 EUR
100+0.56 EUR
500+0.43 EUR
1000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
240+0.96 EUR
356+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.5/-8.5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.02/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSD-13Diodes INC.Транзистор польовий N+P, Udss, В = 30, Id = 6,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 501 @ 15, Rds = 20 мОм @ 7,4 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 4,2 А,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 95 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3025LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 940 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
164+1.52 EUR
240+0.96 EUR
356+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 164 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSD-13DIODES/ZETEXTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3025LSD DMC3025LSD TDMC3025LSD
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
60+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.33 EUR
5000+0.31 EUR
7500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET
auf Bestellung 251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V, 590pF @ 25V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 480161 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
17+1.26 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 390000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SO
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V, 5.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 501pF @ 15V, 590pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 477500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.51 EUR
5000+0.48 EUR
7500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
auf Bestellung 6732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.93 EUR
10+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.56 EUR
2500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+2.55 EUR
157+1.48 EUR
240+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.61 EUR
5000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/4.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3025LSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3025LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2661 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.55 EUR
157+1.48 EUR
240+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3026LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N & P Comp FET Enh 20Vgss Low Rdson
auf Bestellung 946 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.06 EUR
100+0.69 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3026LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
150+1.55 EUR
228+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3026LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V, 1241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
16+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3026LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641pF @ 15V, 1241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V, 10.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3026LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.5A/6.2A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3026LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3026LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2044 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
111+2.27 EUR
177+1.31 EUR
272+0.79 EUR
500+0.61 EUR
1000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 111 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3028LSDDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3028LSD - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+2.05 EUR
199+1.17 EUR
234+0.92 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3028LSDDIODES/ZETEXN/P-MOSFET 30V 6.6A/6.8A 28mΩ 1.8W DMC3028LSD Diodes TDMC3028LSD
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3028LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7.4/-7.1A
Power dissipation: 2.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.028/0.025Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
85+1 EUR
130+0.65 EUR
205+0.42 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 85 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3028LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8-Pin SO T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3028LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 472pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 39926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.9 EUR
18+1.18 EUR
25+0.99 EUR
50+0.87 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3028LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
5000+0.36 EUR
7500+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3028LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET SOP-8L
auf Bestellung 9235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.73 EUR
10+1.08 EUR
100+0.7 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3028LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A, 6.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 472pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 38680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.46 EUR
7500+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3028LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8-Pin SO T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
5000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMC3028LSD-13DIODES/ZETEXTrans MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A Automotive 8-Pin SO T/R DMC3028LSDX-13 TDMC3028LSDX
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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