Produkte > SI4
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| SI4464DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4464DY-T1-E3 | VISHAY | 05+ | auf Bestellung 38000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4464DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 13000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4464DY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4464DY-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4464DY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | auf Bestellung 2486 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4464DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4464DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm | auf Bestellung 4026 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4464DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A Polarisation: unipolar Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Gate charge: 18nC On-state resistance: 0.26Ω Drain current: 2.2A Power dissipation: 2.5W Pulsed drain current: 8A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4464DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4464DY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4464DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm | auf Bestellung 4026 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4464DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V | auf Bestellung 2111 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4464DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4464DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 200V Vds 20V Vgs SO-8 | auf Bestellung 3610 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4464DY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4464DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4464DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4465 | SIEMENS | 01+ SOP | auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si4465ADY | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V | auf Bestellung 6899 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4465ADY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-E3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 13.7 A, 9000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV Verlustleistung: 6.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm | auf Bestellung 8675 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4465ADY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 7 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 2003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4465ADY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4465ADY-T1-GE3 - P CHANNEL MOSFET, -8V, 13.7A, SOIC Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 8 Dauer-Drainstrom Id: 13.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 1.8 MSL: MSL 1 - Unlimited Verlustleistung Pd: 6.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: P Channel Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 450 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | auf Bestellung 2487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4465ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4465ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4465ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 3010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4465ADY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 8.0V 13.7A 3.0W 9.0mohm @ 4.5V | auf Bestellung 9470 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4465ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 8V 13.7A 8-Pin SOIC N T/R | auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4465ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 8V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.7A (Ta), 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4465ADYT1 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4465ADYT1E3 | SIVHAY | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4465DY | Vishay / Siliconix | MOSFETs 8V 14A 2.5W | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4465DY | auf Bestellung 1790 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4465DY-T1 | SILICONIX | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| Si4465DY-T1-E3 | VISHAY | 07+ SO-8 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4465DYADY-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4465DYT1 | VISHAY | 07+ SO-8 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4465DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4466 | SI | SOP-8 | auf Bestellung 1100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4466DY | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO8 NCH 20V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4466DY | Fairchild Semiconductor | Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4466DY | Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT SI41 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4466DY | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4466DY-T1 | VISHAY | 0403+ | auf Bestellung 16199 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4466DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4466DY-T1-E3 | VISHAY | SO-8 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4466DY-T1-E3-10 | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4466DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 20V 9.5A 8SO Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4466DYT1 | VISHAY | 07+ SO-8 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4466DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4467 | SI | SOP-8 | auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4467-A2A-AM | Silicon Labs | RF Transceiver Transceiver AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 490 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4467-A2A-AMR | Silicon Labs | RF Transceiver Transceiver AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4467-A2A-IM | SiLabs | IC RF TxRx Only General ISM < 1GHz 142MHz ~ 1.05GHz 20-VFQFN Exposed Pad Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4467-A2A-IM | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4467-A2A-IM | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4467-A2A-IM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -133dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 12.5dBm (Max) Current - Receiving: 10.9mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA ~ 24mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 4 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 1999 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4467-A2A-IM | Silicon Labs | RF Transceiver +20 dBm sub-GHz transmitter | auf Bestellung 2457 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4467-A2A-IM | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4467-A2A-IM | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | auf Bestellung 1750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4467-A2A-IMR | Silicon Labs | RF Transceiver +20 dBm sub-GHz transmitter | auf Bestellung 7536 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4467-A2A-IMR | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4467-A2A-IMR | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4467-A2A-IMR | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4467-A2A-IMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -133dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 12.5dBm (Max) Current - Receiving: 10.9mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA ~ 24mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 4 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 27500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4467DY | Fairchild Semiconductor | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8237 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | auf Bestellung 784 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4467DY | FAIRCHILD | SI4467DY | auf Bestellung 334 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4467DY | FAIRCHILD | 09+ | auf Bestellung 5318 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4467DY | ONSEMI | Description: ONSEMI - SI4467DY - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 1009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4467DY-BAA005AP | onsemi | onsemi | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4467DY-T1 | VISHAY | SOP-8 | auf Bestellung 118500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4467DY-T1 SOP-8 | VISHAY | auf Bestellung 98700 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4467DY-T1* | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| Si4467DY-T1-E3 | VISHAY | 07+ SO-8 | auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| Si4467DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | СНЯТ С ПРОИЗВОДСТВА Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4467DY-T1-QA | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4467DY-T1SOP- | auf Bestellung 42500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4467DY-T1SOP-8 | VISHAY | auf Bestellung 92500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4467DY-TI | auf Bestellung 38000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| SI4467DYBAA005AP | onsemi | Description: MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4467DYT1 | VISHAY | 07+ SO-8 | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4467DYT1E3 | VISHAY | auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4467EY-T1-E3 | VISHAY | auf Bestellung 51800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| SI4468-A2A-AM | Silicon Labs | RF Transceiver Transceiver AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 490 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4468-A2A-AMR | Silicon Labs | RF Transceiver Transceiver AEC-Q100 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4468-A2A-IM | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2450 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4468-A2A-IM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4468-A2A-IM - HF-Transceiver, 142MHz bis 1.05GHz, 4FSK/4GFSK, FSK/GFSK, MSK/GMSK, OOK, 1.8-3.8V, HQFN-20 tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: - Bauform - HF-IC: HQFN Ausgangsleistung (dBm): 20dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Anwendungsbereiche HF-Transceiver: IEEE 802.11g & WMBus, drahtlose Sensornetze, Hausautomatisierung, industrielle Prozesssteuerung IC-Gehäuse / Bauform: HQFN HF-Primärfunktion: Transceiver Frequenz, min.: 142MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfangsstrom: 13mA Empfindlichkeit (dBm): -133dBm HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 1Mbps Frequenzgang HF, max.: 1.05GHz Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: 5A991.b Frequenzgang HF, min.: 142MHz Versorgungsspannung, max.: 3.8V Frequenz, max.: 1.05GHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4468-A2A-IM | Silicon Labs | RF Transceiver +20 dBm sub-GHz transmitter | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4468-A2A-IM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -133dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 20dBm (Max) Current - Receiving: 10.9mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 44.5mA ~ 88mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 4 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | auf Bestellung 2170 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4468-A2A-IM Produktcode: 108307
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Lieblingsprodukt
| Silicon Laboratories Inc | IC > IC Analog Radiobereich | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4468-A2A-IMR | Silicon Labs | RF Transceiver +20 dBm sub-GHz transmitter | auf Bestellung 3767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SI4468-A2A-IMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -133dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.8V Power - Output: 20dBm (Max) Current - Receiving: 10.9mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 44.5mA ~ 88mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 4 Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4468-A2A-IMR | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4468-A2A-YM0 | Silicon Labs | RF Transceiver | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4468-A2A-YM0R | Silicon Labs | RF Transceiver | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| SI4468-A2B-IM | Silicon Labs | RF Transceiver TXRX SubG +20dBm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
