Produkte > BSS
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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| BSS84KW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 198000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84KW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84KW-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 5 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84KW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84KW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84KW-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84L | onsemi | MOSFETs PFET SOT23 50V 130MA 10.0 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1 | LRC | SOT23 | auf Bestellung 5286 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1 | onsemi | MOSFETs 50V 130mA P-Channel | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1(PD) | LRC | O4+ SOT-23 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1/PD | LRC | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS84LT1/SP | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.2nC | auf Bestellung 32704 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | onsemi | MOSFETs 50V 130mA P-Channel | auf Bestellung 225565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | On Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 130mA SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 14495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84LT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V | auf Bestellung 93204 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84LT1G | ON-Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84LT1G TBSS84 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | ON Semiconductor | P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 30 @ 5, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 42 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | ON-Semiconductor | Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: BSS84; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI; BSS84 TBSS84 Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 174 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84LT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V | auf Bestellung 93000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ) Produktcode: 188580
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Lieblingsprodukt
| JSCJ | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В Drain-Strom Id, A: 0,13 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,7 Ом Montage: SMD | auf Bestellung: 2491 St.
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| BSS84LT1G (SOT-23, ON) Produktcode: 160080
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Lieblingsprodukt
| ON | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 50 В Drain-Strom Id, A: 0,13 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,7 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 36/ | Produkt ist nicht verfügbar
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| BSS84LT1PD | LRC | 04+ SOT-23 | auf Bestellung 9100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84LT7G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84LT7G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84LT7G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84LT7G | onsemi | MOSFETs PFET SOT23 50V 130MA 10.0 | auf Bestellung 891 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84LT7G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84P Produktcode: 122858
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Lieblingsprodukt
| Infineon | Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld Gehäuse: SOT-23 Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 В Drain-Strom Id, A: 0,17 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 15/1 Montage: SMD | auf Bestellung: 487 St.
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| BSS84P | Infineon | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84P | AnBon | Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84 TBSS84p ANB Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 216 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84P | INFINEON | 09+ TSSOP | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84P | AnBon | Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84 TBSS84p ANB Anzahl je Verpackung: 500 Stücke | auf Bestellung 1684 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84P E6433 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS84P E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84P H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 10830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84P H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84P H6327 | Infineon Technologies | P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 19 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10 В, Rds = 8 Ом @ 170 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84P H6433 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3 | auf Bestellung 12423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84P INFINEON | Infineon | P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84PH6327XTSA2 TBSS84p Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84P INFINEON | Infineon | P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84PH6327XTSA2 TBSS84p Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 4301 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84P INFINEON | Infineon | P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P H6327 TBSS84p Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84P INFINEON | Infineon | P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84PH6327XTSA2 TBSS84p Anzahl je Verpackung: 100 Stücke | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84P L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs P-Ch -60V 170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84P L6327 | Infineon Technologies | P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 170 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 19 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10 В, Rds = 8 Ом @ 170 мA, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА, Р, Вт = 0,36 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84P L6433 | Infineon Technologies | GaN FETs P-Ch -60V 170mA SOT-23-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84P L7894 | INFINEON | 0731NO | auf Bestellung 7710 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84P-E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84P-L6327 | Infineon | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS84PD | LRC | 04+ 23 | auf Bestellung 51100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84PE6327 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||||
| BSS84PH6327 | Infineon technologies | auf Bestellung 9008 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 66558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 508118 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3 | auf Bestellung 49767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 477000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm | auf Bestellung 378007 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 66558 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 507000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84PH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -140mA Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.37nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ | auf Bestellung 1327 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 477000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm | auf Bestellung 378007 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH6433XTMA1 | Infineon | SOT-23 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84PH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84PH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm | auf Bestellung 2659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84PH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1304 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3 | auf Bestellung 677 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84PH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm | auf Bestellung 2659 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH7874XTSA1 | Infineon Technologies | BSS84PH7874XTSA1 | auf Bestellung 132000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH7874XTSA1 | Infineon Technologies | BSS84PH7874XTSA1 | auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH7874XTSA1 | Infineon Technologies | BSS84PH7874XTSA1 | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH7894XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -170mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -170mA Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Mounting: SMD Gate charge: 1nC Kind of channel: enhancement Technology: SIPMOS™ Application: automotive industry | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84PH7894XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PH7894XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84PW | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84PW | Infineon | auf Bestellung 2430 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||||
| BSS84PW H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V 150mA SOT-323-3 | auf Bestellung 314 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84PW H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSS84PW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V 150mA SOT-323-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84PW L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327 Infineon | Infineon | P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 TBSS84pw INF Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 730 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84PWH6327 Infineon | Infineon | P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 TBSS84pw INF Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84PWH6327 Infineon | Infineon | P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PW H6327 TBSS84pw INF Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSS84PWH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V 150mA SOT-323-3 | auf Bestellung 1250 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon | P-Channel 60V 150mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS84PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 150 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm | auf Bestellung 9830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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