Produkte > IPD
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| IPD60R600P7ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm | auf Bestellung 373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs LOW POWER_NEW | auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V | auf Bestellung 4288 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600P7S | Infineon Technologies | Infineon CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600P7S | Infineon | auf Bestellung 85000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 | auf Bestellung 35974 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 85000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 30W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 30W Gate charge: 9nC Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ P7 Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 | auf Bestellung 2095 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 47500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm | auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 3495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 47500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 35000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1380 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600P7SAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R600P7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm | auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 12751 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V | auf Bestellung 1717 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | 600V Cool MOS P7 Power Transistor | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600PFD7SAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 31W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm | auf Bestellung 5595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 3792 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R600PFD7SAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R600PFD7SAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 31W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517ohm | auf Bestellung 5595 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2165 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER PG-TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R600PFD7SAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7179 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R600PFD7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 600V; 4A; Idm: 14A Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 1.219Ω Mounting: SMD Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Version: ESD Technology: CoolMOS™ PFD7 Drain current: 4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R650CE | Infineon technologies | auf Bestellung 5057 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD60R650CE | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R650CEATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R650CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Power Dissipation (Max): 63W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | auf Bestellung 1475 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R650CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 82W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm | auf Bestellung 2479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R650CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.2A; Idm: 19A; 82W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 0.65Ω Mounting: SMD Pulsed drain current: 19A Power dissipation: 82W Gate charge: 20.5nC Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ CE Drain current: 6.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO252-3 | auf Bestellung 2157 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1728 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R650CEAUMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPD60R650CEAUMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.9 A, 0.65 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 82W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS CE productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.65ohm | auf Bestellung 2479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2470 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R650CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 9.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R650CEAUMA1 (60S650CE) Produktcode: 201269
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
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| IPD60R650CEBTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R650CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET CONSUMER | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R750E6 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R750E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 5.7A DPAK-2 | auf Bestellung 2040 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R750E6ATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R750E6BTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252 | auf Bestellung 36500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 662 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R800CE | Infineon technologies | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| IPD60R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R800CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 5.6A DPAK-2 | auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R800CEATMA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R800CEATMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R800CEATMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPD60R800CEATMA1 - IPD60R800 - 600V COOLMOS N-CHANNEL POWER tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R800CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.4A Power dissipation: 74W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 17.2nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1827 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 472500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R800CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 600V Drain current: 8.4A Power dissipation: 74W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 17.2nC | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 1474 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs CONSUMER | auf Bestellung 6862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 7500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 8.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R800CEAUMA1 | Infineon Technologies | Description: CONSUMER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-TO252-3-344 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 373 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R950C6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R950C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 4.4A DPAK-2 CoolMOS C6 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R950C6 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 100 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| IPD60R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 60000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IPD60R950C6ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | auf Bestellung 2221 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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