Produkte > NTM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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| NTMT045N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT045N065SC1 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 197A; 94W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 39A Pulsed drain current: 197A Power dissipation: 94W Case: TDFN4 Gate-source voltage: -5...18V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 105nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Technology: SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT045N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN tariffCode: 85414900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 187W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm | auf Bestellung 1134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT045N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin TDFN EP T/R | auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT045N065SC1 | onsemi | SiC MOSFETs SIC MOS PQFN88 650V | auf Bestellung 5818 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT045N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - MOSFET Module Configuration:- tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: - Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TDFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm directShipCharge: 25 | auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT045N065SC1 | onsemi | Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V | auf Bestellung 6516 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT045N065SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin TDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT045N065SC1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN tariffCode: 85414900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Verlustleistung: 187W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 18V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm | auf Bestellung 1134 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT061N60S5F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin TDFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT061N60S5F | onsemi | Description: SUPERFET5 FRFET, 61MOHM, PQFN88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 20.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 4.6mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 400 V | auf Bestellung 1602 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT061N60S5F | ONN | auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| NTMT061N60S5F | onsemi | MOSFETs SUPERFET5 FRFET 61MOHM PQFN88 | auf Bestellung 2562 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT061N60S5F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin TDFN EP T/R | auf Bestellung 30225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT061N60S5F | onsemi | Description: SUPERFET5 FRFET, 61MOHM, PQFN88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 20.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 4.6mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT061N60S5F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin TDFN EP T/R | auf Bestellung 13651 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT061N60S5F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin TDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT061N60S5F | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 41A; Idm: 146A; 255W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 41A Pulsed drain current: 146A Power dissipation: 255W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 61mΩ Mounting: SMD Gate charge: 76nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT061N60S5H | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT061N60S5H | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT061N60S5H | onsemi | MOSFETs SF5 600V FAST 61MOHM FOR | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 339-343 Tag (e) |
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| NTMT064N65S3H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TDFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT064N65S3H | onsemi | MOSFETs 650V 64MOHM MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT064N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin TDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT064N65S3H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT064N65S3H | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 260W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 40A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 260W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 82nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT064N65S3H | ON Semiconductor | auf Bestellung 2585 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| NTMT064N65S3H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 260W Bauform - Transistor: TDFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT064N65S3H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 260W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT080N60S5 | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Bulk Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 212W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.4mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3029 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT090N65S3HF | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 36A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 272W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT090N65S3HF | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V | auf Bestellung 5084 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT090N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMT090N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 272W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT090N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 4-Pin TDFN EP T/R | auf Bestellung 936 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT090N65S3HF | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 272W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT090N65S3HF | onsemi | MOSFETs SF3 FRFET 650V 90MOHM PQFN88 | auf Bestellung 2998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT090N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMT090N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 272W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | auf Bestellung 2520 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT090N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 36A 4-Pin TDFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT095N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 30A 4-Pin TDFN EP Reel | auf Bestellung 9798 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT095N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 30A 4-Pin TDFN EP Reel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT095N65S3H | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V | auf Bestellung 20841 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT095N65S3H | onsemi | MOSFETs SF3 FAST 95MOHM PQFN88 | auf Bestellung 2699 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT095N65S3H | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 84A; 208W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 208W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 58nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT095N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 30A 4-Pin TDFN EP Reel | auf Bestellung 3029 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT095N65S3H | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V | auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT100N60S5H | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Bulk Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.7mA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2616 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT110N65S3HF | onsemi | MOSFETs SF3 FRFET 650V 110MOHM PQFN88 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT110N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMT110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT110N65S3HF | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT110N65S3HF | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 240W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 69A Gate charge: 62nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT110N65S3HF | ONN | auf Bestellung 2725 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| NTMT110N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMT110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT110N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 30A 4-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT110N65S3HF | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT110N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 30A 4-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT125N60S5H | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Bulk Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 152W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.1mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2037 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT125N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin TDFN EP Reel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT125N65S3H | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT125N65S3H | onsemi | MOSFETs SF3 FAST 125MOHM PQFN88 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT150N65S3HF | onsemi | MOSFETs SF3 FRFET 650V 150MOHM PQFN88 | auf Bestellung 2729 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT150N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMT150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.121 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2961 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT150N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT150N65S3HF | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V | auf Bestellung 22620 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT150N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMT150N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.121 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 192W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.121ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.121ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 2961 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT150N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT150N65S3HF | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 192W; TDFN4 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 0.15Ω Drain current: 24A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 192W Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Case: TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT150N65S3HF | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 540µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 400 V | auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT185N60S5H | onsemi | Description: SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88 Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA Power Dissipation (Max): 116W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT185N60S5H | onsemi | Description: SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA Power Dissipation (Max): 116W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerTSFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT185N60S5H | onsemi | MOSFETs SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT190N65S3H | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 129W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT190N65S3H | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 45A; 129W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Power dissipation: 129W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 31nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 45A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT190N65S3H | onsemi | MOSFETs SF3 FAST 190MOHM PQFN88 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT190N65S3H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMT190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 129W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 129W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.156ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT190N65S3H | ONN | auf Bestellung 2910 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| NTMT190N65S3H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMT190N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.156 ohm, TDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 129W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TDFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.156ohm | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT190N65S3H | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 129W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.4mA Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT190N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 16A 4-Pin TDFN EP Reel | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT190N65S3HF | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 50A; 162W; TDFN4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 162W Case: TDFN4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 34nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 50A | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT190N65S3HF | onsemi | MOSFETs SF3 FRFET 650V 190MOHM PQFN88 | auf Bestellung 960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT190N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMT190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 162W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT190N65S3HF | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V | auf Bestellung 2935 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMT190N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 4-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT190N65S3HF | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerTSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 162W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1610 pF @ 400 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT190N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 4-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMT190N65S3HF | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMT190N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.159 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 162W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 162W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III FRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.159ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMT190N65S3HF | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 20A 4-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMTS001N06CLTXG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 398.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 398.2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4423 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMTS001N06CLTXG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMTS001N06CLTXG | ON Semiconductor | auf Bestellung 5950 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||
| NTMTS001N06CLTXG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R | auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| NTMTS001N06CLTXG | onsemi | MOSFETs T6 60V LL PQFN8*8 EXPANSION | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMTS001N06CLTXG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 398.2A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 398.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.81mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 5W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMTS001N06CLTXG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 56.9A 8-Pin DFNW EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMTS001N06CTXG | ON Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 376 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8705, Qg, нКл = 113, Rds = 0,91, Ugs(th) = 4, Р, Вт = 244, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMTS001N06CTXG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 53.7A 8-Pin TDFNW EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMTS001N06CTXG | onsemi | MOSFETs T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI | auf Bestellung 6658 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMTS001N06CTXG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 376A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 30 V | auf Bestellung 5372 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| NTMTS001N06CTXG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 53.7A 8-Pin TDFNW EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| NTMTS001N06CTXG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 53.7A/376A 8DFNW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.7A (Ta), 376A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.91mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 244W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8705 pF @ 30 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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