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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STP3NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+1.86 EUR
96+1.81 EUR
108+1.57 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60Z.STP3NK60ZFP
auf Bestellung 32670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.82 EUR
50+2.36 EUR
100+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.11 EUR
102+1.67 EUR
112+1.48 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.09 EUR
2000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.3 EUR
2000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60ZFPSTTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP STP3NK60ZFP TSTP3NK60zfp
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-3.3ohms Zener SuperMESH 2.4A
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.82 EUR
10+2.39 EUR
100+2.12 EUR
500+1.7 EUR
1000+1.57 EUR
2000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.51A; 20W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.51A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 163 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+3.25 EUR
42+2.06 EUR
49+1.77 EUR
54+1.58 EUR
100+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+2.11 EUR
103+1.7 EUR
112+1.52 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.18 EUR
2000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3NK60ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.4 A, 3.6 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.6ohm
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+5.77 EUR
88+2.64 EUR
100+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK60ZP
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK80Z
Produktcode: 53546
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Drain-Source-Spannung Uds, V: 800 V
Drain-Strom Idd, A: 2,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 485/19
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.17 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 Volt 2.5A Zener SuperMESH
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.25 EUR
10+2.39 EUR
100+2.15 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK80ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.57A; 70W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.57A
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.06 EUR
42+2.06 EUR
47+1.83 EUR
54+1.59 EUR
59+1.45 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK80ZSTMMOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB (Аналог BUZ80A) Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+1.73 EUR
135+1.26 EUR
145+1.13 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.84 EUR
5000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
auf Bestellung 2041 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+5.34 EUR
88+2.64 EUR
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 5814 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.31 EUR
146+1.19 EUR
500+1.07 EUR
1000+0.93 EUR
5000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK80ZSTMN-CHANNEL 800V - 3.8W - 2.5A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 25 V
auf Bestellung 804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
50+2.43 EUR
100+2.19 EUR
500+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK80ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 4,5Ohm; 2,5A; 70W; -55°C ~ 150°C; STP3NK80Z TSTP3NK80Z
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
25+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK80ZFPST10+ QFP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90
auf Bestellung 319 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.71 EUR
2000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3 A, 4.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 90W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.1ohm
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.5 EUR
78+3 EUR
100+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.7 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZSTTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP3NK90Z TSTP3NK90Z
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
auf Bestellung 904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.38 EUR
50+2.65 EUR
100+2.39 EUR
500+1.93 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.15 EUR
155+1.09 EUR
500+1.02 EUR
1000+1 EUR
2000+0.94 EUR
5000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90Z
Produktcode: 185207
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZSTMN-Channel 900V 3A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 13629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+1.15 EUR
155+1.06 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.92 EUR
2000+0.84 EUR
5000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.45 EUR
10+2.7 EUR
100+2.43 EUR
500+2.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 90W; TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+3.65 EUR
31+2.82 EUR
35+2.45 EUR
43+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZFPSTTransistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 4,8Ohm; 3A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP3NK90ZFP TSTP3NK90ZFP
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZFP
Produktcode: 114735
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Drain-Source-Spannung Uds, V: 900 В
Drain-Strom Idd, A: 3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 4,8 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 590/22,7
Bemerkung: Isoliertes Gehäuse
Montage: THT
auf Bestellung: 149 St.
  • 149 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
1+0.94 EUR
10+0.89 EUR
100+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 8295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
99+1.78 EUR
109+1.59 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.11 EUR
2000+0.99 EUR
5000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 99 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 4.1 Ohm typ., 3 A SuperMESH Power MOSFET in TO-220FP package
auf Bestellung 1030 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.13 EUR
10+2.62 EUR
100+1.77 EUR
500+1.44 EUR
1000+1.29 EUR
2000+1.2 EUR
6000+1.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.89A; 25W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.89A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 422 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
44+1.94 EUR
58+1.49 EUR
67+1.29 EUR
93+0.92 EUR
100+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZFPSTMN-Channel 900V 3A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZFPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP3NK90ZFP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 3 A, 4.8 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.8ohm
auf Bestellung 1481 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+4.22 EUR
105+2.21 EUR
138+1.56 EUR
500+1.33 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 8304 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.52 EUR
99+1.71 EUR
109+1.5 EUR
500+1.12 EUR
1000+1 EUR
2000+0.87 EUR
5000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 3 А, Ptot, Вт = 25, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 590 @ 25, Qg, нКл = 22,7 @ 10 В, Rds = 4,8 Ом @ 1,5 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 50 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 3A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP3NK90ZFP(3N90)
auf Bestellung 5500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP4-2-ZBPhoenix ContactUnspecified Connectors STP4-2-ZB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4000QFF
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4000QFP
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP4000QPBQFP132
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP400N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 120A TO220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 377 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP400N4F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 40V 120A STripFET VI DeepGATE
Produkt ist nicht verfügbar
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STP400N4F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.5 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
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STP40102660STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD,MBB; L: 660mm; W: 102mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Material: metallized film bag
Version: ESD; MBB
Closing system: for welding
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Length: 660mm
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
Thickness: 0.1mm
Width: 102mm
Features of antistatic elements: open
Type of antistatic accessories: protection bag
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+49.28 EUR
5+46.42 EUR
10+43.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40152660STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD,MBB; L: 660mm; W: 152mm; Thk: 100um; 100pcs.
Type of antistatic accessories: protection bag
Version: ESD; MBB
Length: 660mm
Width: 152mm
Thickness: 0.1mm
Closing system: for welding
Material: metallized film bag
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Features of antistatic elements: open
Quantity in set/package: 100pcs.
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2+61.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STP4020QFP
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40254660STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD,MBB; L: 660mm; W: 254mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Material: metallized film bag
Version: ESD; MBB
Closing system: for welding
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Length: 660mm
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
Thickness: 0.1mm
Width: 254mm
Features of antistatic elements: open
Type of antistatic accessories: protection bag
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+99.25 EUR
5+93.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40406660STATICTECCategory: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD,MBB; L: 660mm; W: 406mm; Thk: 100um; 100pcs.
Material: metallized film bag
Version: ESD; MBB
Closing system: for welding
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Length: 660mm
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
Thickness: 0.1mm
Width: 406mm
Features of antistatic elements: open
Type of antistatic accessories: protection bag
Quantity in set/package: 100pcs.
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+149.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4045CP
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP4093PGA
auf Bestellung 840 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40FP10
auf Bestellung 2441 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40L15CW
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40L40CT
auf Bestellung 7000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP40N03L
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N03L-20
auf Bestellung 7600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STP40N05
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N05FI
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N06
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N06FI
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N10
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N10FI
auf Bestellung 18530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N10L
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N20STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 40 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N20ST
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.088 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.67 EUR
22+10.84 EUR
24+9.15 EUR
50+8.27 EUR
100+7.41 EUR
250+6.56 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.1 EUR
50+6.41 EUR
100+5.87 EUR
500+4.9 EUR
1000+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2
auf Bestellung 964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.15 EUR
10+8.6 EUR
100+6.34 EUR
500+5.63 EUR
1000+5.01 EUR
2000+4.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N60M2
Produktcode: 171525
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40N65M2STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 56.5nC
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 128A
Drain-source voltage: 650V
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 99mΩ
Technology: MDmesh™ M2
Drain current: 20A
Gate-source voltage: ±25V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NE03L
auf Bestellung 89000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NE03L MOS-N-FET 30V 40A 80W
Produktcode: 74164
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 40 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1850/29
Montage: THT
verfügbar: 10 St.
  • 10 St. - stock Köln
1+0.94 EUR
10+0.86 EUR
100+0.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NE03L-20
auf Bestellung 721 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF02L
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF03
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF03LSTMMOSFET 30V 40A TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF03LST09+
auf Bestellung 10018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF03LSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF03LSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP40NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.022 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
auf Bestellung 2067 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.07 EUR
96+2.44 EUR
154+1.4 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
auf Bestellung 334 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.17 EUR
50+1.49 EUR
100+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP40NF03LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 40 Amp
auf Bestellung 1262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.09 EUR
10+1.46 EUR
100+1.29 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.95 EUR
2000+0.81 EUR
6000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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