Produkte > BSP
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| BSP126,135 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP126,135 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 250V 0.375A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP126/S911,115 | NXP Semiconductors | BSP126/S911,115 | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP126/S911,115 | NXP Semiconductors | BSP126/S911,115 | auf Bestellung 195767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP126/S911115 | NXP | Description: NXP - BSP126/S911115 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 204767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP126/S911115 | NXP USA Inc. | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 375mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SC-73 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP127 | PH | 09+ | auf Bestellung 16772 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP128 | PH | 09+ | auf Bestellung 12430 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP129 Produktcode: 100165
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP129 E6327 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP129 H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 331 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | auf Bestellung 3106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP129 H6327 | Infineon | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP129 H6906 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 50mA SOT-223-3 | auf Bestellung 9579 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP129 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP129 L6327 | Infineon | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP129 L6906 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP129E6327 | Infineon | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP129E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP129E6327T | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1514 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | auf Bestellung 4956 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 98000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP129H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | auf Bestellung 6195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223 Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Technology: SIPMOS™ Drain current: 50mA Kind of channel: depletion Drain-source voltage: 240V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT223 On-state resistance: 6.5Ω Mounting: SMD | auf Bestellung 975 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 98000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP129H6327XTSA1 Produktcode: 139226
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 1514 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 12550 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP129H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 240 V, 350 mA, 6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 240V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm | auf Bestellung 6195 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 7000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6327XTSA1 | Infineon | Transistor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129 TBSP129 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 4548 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6906XTSA1 | Infineon | МОП-транзистор 240V 6Ohm 0.05Amp, SOT-223-3 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 23800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 23800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 240V 350mA SOT-223-3 | auf Bestellung 9421 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 30341 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129H6906XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP129H6906XTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP129H6906XTSA1 - BSP129 0.35A, 240V, NCHANEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 580 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP129L6327 Produktcode: 47967
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP129L6327 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP129L6327 | INFINEON | auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP129L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP129L6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP129L6327HTSA1 - BSP129 0.35A, 240V, NCHANEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 770 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP129L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 236388 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129L6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 236388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP129L6906 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSP129L6906 - BSP129 0.35A, 240V, NCHANEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 910 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP129L6906 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP129L6906 | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP129L6906HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 350mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 108µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4-21 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 240 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 108 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP130 | NXP | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP130 | Nexperia | MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP130 Produktcode: 41803
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP130 T/R | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE-7 MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP130,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 300V 350MA SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP130,115 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 300V 350MA SOT223 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 250mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP130,115 | Nexperia | MOSFET TAPE-7 MOSFET | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP130,115 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 300V 0.35A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 5000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP130,115 | Nexperia | Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP1313-05H2.5 LF | BESTAR | Case: SMD; Frequency: 4100Hz; Sound pressure: 85dB; Dimensions: 17/13/2.5 mm; Voltage: 12 V BSP1313-05H2.5 LF FHD PBBSP1313-05H2.5 LF Anzahl je Verpackung: 50 Stücke | auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BSP135 | INF | 09+ | auf Bestellung 36772 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP135 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Channel Depletion MOSFETs (60 V to 600 V) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP135 Produktcode: 73096
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP135 E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP135 E6327 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP135 E6906 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP135 E6906 | Infineon Technologies | Array | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP135 H6327 Produktcode: 219814
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| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP135 H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | auf Bestellung 5388 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP135 H6433 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL MOSFETS | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP135 H6906 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 20mA SOT-223-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP135 L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP135 L6433 | Infineon Technologies | GaN FETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP135 L6906 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP135-L6327 | NXP | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP135E | INFINEON | 09+ DIP-4 | auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP135H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm | auf Bestellung 15564 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 | auf Bestellung 2643 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP135H6327XTSA1 | Infineon | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 120mA SOT-223-3 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| BSP135H6327XTSA1 Produktcode: 119867
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| BSP135H6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSP135H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 120 mA, 45 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V Verlustleistung: 1.8W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 45ohm | auf Bestellung 15564 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BSP135H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45Ohm @ 120mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 94µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 146 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | auf Bestellung 4428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| BSP135H6327XTSA1 | Infineon | N-MOSFET 0.12A 600V 1.8W 45Ω BSP135 TBSP135 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke | auf Bestellung 50 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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