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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMP10H400SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 2.3A/6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta), 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 13.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.09 EUR
16+1.31 EUR
100+0.86 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 2.3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 185000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SEQ-13 Transistor
Produktcode: 220542
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SK3Diodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SK3-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8A; 42W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -8A
Power dissipation: 42W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.56 EUR
5000+0.51 EUR
7500+0.5 EUR
12500+0.48 EUR
17500+0.45 EUR
25000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 42W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.7 EUR
150+1.56 EUR
227+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V P-CH MOSFET
auf Bestellung 130707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.2 EUR
10+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SK3-13DiodesMOSFET P-CH 100V 9A TO252 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H400SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 9 A, 0.24 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 42W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
auf Bestellung 2215 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+2.7 EUR
150+1.56 EUR
227+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H400SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1239 pF @ 25 V
auf Bestellung 31818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2SDiodes IncorporatedMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
auf Bestellung 190000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.13 EUR
50000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-13Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
auf Bestellung 9061 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.39 EUR
100+0.25 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 190000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
auf Bestellung 199121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
26+0.82 EUR
43+0.5 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
2000+0.19 EUR
5000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.093 EUR
9000+0.076 EUR
99000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7DiodesMOSFET P-CH 100V 270MA SOT23 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
auf Bestellung 17889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
50+0.42 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET 100V 20Vgss 87pF
auf Bestellung 51223 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.74 EUR
10+0.55 EUR
100+0.31 EUR
500+0.21 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
9000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 380mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+1.07 EUR
379+0.61 EUR
610+0.36 EUR
885+0.24 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1590+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1590 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1590+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 1590 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
15000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 225000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.093 EUR
9000+0.079 EUR
99000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R DMP10H4D2S-7 TDMP10H4D2S-7 Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
200+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP10H4D2S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 270 mA, 4.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 8332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+1.07 EUR
379+0.61 EUR
610+0.36 EUR
885+0.24 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.11 EUR
9000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7-50Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V SOT23 T&R 3K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2S-7-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2SQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2SQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT23 T&R 10K
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2SQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.27A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP10H4D2SQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 8102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.46 EUR
100+0.26 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1100UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1100UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.065 ohm, X2-WLB0808, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 670mW
Bauform - Transistor: X2-WLB0808
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
256+0.9 EUR
393+0.55 EUR
519+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1100UCB4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1100UCB4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2.5 A, 0.065 ohm, X2-WLB0808, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 670mW
Bauform - Transistor: X2-WLB0808
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2353 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
256+0.9 EUR
393+0.55 EUR
519+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1100UCB4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2.6A; Idm: -13A; 1.1W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2.6A
Pulsed drain current: -13A
Power dissipation: 1.1W
Case: X2-WLB0808-4
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2.5A WLB0808
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 670mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: X2-WLB0808-4
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.3V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
29+0.74 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1100UCB4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 2564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
10+0.64 EUR
100+0.43 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 5 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1.02 EUR
34+0.63 EUR
100+0.33 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1200UFR4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1200UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.07 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+1.31 EUR
314+0.74 EUR
500+0.43 EUR
642+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1200UFR4-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -2A; 1.26W; X2-DFN1010-3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -2A
Power dissipation: 1.26W
Case: X2-DFN1010-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 514 pF @ 5 V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.2 EUR
6000+0.19 EUR
21000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1200UFR4-7Diodes IncorporatedMOSFETs P-Ch Enh Mode FET Vdss -12V 8Vgss
auf Bestellung 5993 Stücke:
Lieferzeit 290-294 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.81 EUR
100+0.52 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1200UFR4-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1200UFR4-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 2 A, 0.07 ohm, X2-DFN1010, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1010
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 735 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+1.31 EUR
314+0.74 EUR
500+0.43 EUR
642+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1200UFR4-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 2A 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedMOSFETs 12V P-CH ENH MOSFET LOW RDSon High PERF
auf Bestellung 4940 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.43 EUR
10+0.99 EUR
100+0.68 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.48 EUR
3000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 613mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357.4 pF @ 10 V
auf Bestellung 13810 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
21+1.04 EUR
100+0.71 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1245UFCL-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1245UFCL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.6 A, 0.025 ohm, X1-DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 613mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.4 EUR
203+1.14 EUR
296+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1245UFCL-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 6.6A 7-Pin DFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1245UFCL-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 6.6A X1-DFN1616
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 613mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1357.4 pF @ 10 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.4 EUR
6000+0.39 EUR
9000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1245UFCL-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1245UFCL-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6.6 A, 0.025 ohm, X1-DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 613mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X1-DFN1616
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
104+2.4 EUR
203+1.14 EUR
296+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 104 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1520EHoffman Enclosures, Inc.Description: PANEL FITS 150X200MM
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1555UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V
auf Bestellung 115723 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
49+0.43 EUR
59+0.36 EUR
68+0.31 EUR
100+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1555UFA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1555UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 200 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.81 EUR
511+0.45 EUR
814+0.26 EUR
981+0.21 EUR
1232+0.18 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 12V 200MA 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.84 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55.4 pF @ 10 V
auf Bestellung 110000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.13 EUR
30000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1555UFA-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP1555UFA-7B - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 200 mA, 0.4 ohm, X2-DFN0806, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360mW
Bauform - Transistor: X2-DFN0806
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
308+0.81 EUR
511+0.45 EUR
814+0.26 EUR
981+0.21 EUR
1232+0.18 EUR
5000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 308 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1555UFA-7BDiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 12V 0.2A 3-Pin X2-DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP1555UFA-7BDiodes IncorporatedMOSFETs 12 P-Ch Enh FET 8 VGS 55.4pF 0.84nC
auf Bestellung 7675 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.61 EUR
10+0.37 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
2500+0.14 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2002UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 60A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 12609 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.74 EUR
10+3.55 EUR
100+2.45 EUR
500+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V P-Ch Enh FET 12Vgss 104W
auf Bestellung 3304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.76 EUR
10+3.31 EUR
100+2.49 EUR
500+2.14 EUR
1000+2.07 EUR
2500+1.8 EUR
5000+1.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2002UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2002UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 585 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12826 pF @ 10 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2002UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2002UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 60 A, 1300 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 982 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+5.97 EUR
54+4.34 EUR
100+2.81 EUR
500+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2003UPS-13Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 150 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 8352 @ 10, Qg, нКл = 177, Rds = 2,2 мОм, Ugs(th) = 1,4 В, Р, Вт = 1,4, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerTDFN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2003UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 150A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
auf Bestellung 13447 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.61 EUR
10+2.28 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2003UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 2200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 4895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.39 EUR
141+1.52 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2003UPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 150A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8352 pF @ 10 V
auf Bestellung 12500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+1 EUR
5000+0.94 EUR
7500+0.9 EUR
12500+0.86 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2003UPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -120A; Idm: -350A; 2.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -350A
Drain current: -120A
Drain-source voltage: -20V
Gate charge: 177nC
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 2.7W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2003UPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
auf Bestellung 3793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.64 EUR
10+2.32 EUR
100+1.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2003UPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2003UPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 150 A, 2200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
Verlustleistung: 1.4W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
auf Bestellung 4895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.07 EUR
98+2.39 EUR
141+1.52 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT-26
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.48 EUR
6000+0.45 EUR
15000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004DMK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 500mW -20Vdss
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+1.05 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-26 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004DWK
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual P-Channel
auf Bestellung 7235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.6 EUR
100+0.32 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 83769 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.86 EUR
37+0.57 EUR
100+0.38 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004DWK-7DIODESSOT23-6
auf Bestellung 2065 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT363
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
auf Bestellung 81000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
21000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004K
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP2004K-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.7 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 550mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5555 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
513+0.49 EUR
758+0.31 EUR
1469+0.14 EUR
1656+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 513 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 444000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.087 EUR
6000+0.071 EUR
12000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMP2004K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 550mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 16 V
auf Bestellung 358614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
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Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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DMP2004K-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 20V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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