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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FF450R12ME4PBOSA1Infineon TechnologiesEconoDUAL™3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC/ pre-applied Thermal Interface Material
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12ME4PBOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 450A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+301.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12ME4P_B11Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+332.63 EUR
12+280.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12ME4_B11Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT Module 450A 1200V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+407.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: ECONODUAL 3 WITH TRENCHSTOP IGBT
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 69 nF @ 25 V
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+277.89 EUR
10+245.56 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12ME7B11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF450R12ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.5 V, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 [Trench Stop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: -
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+280.89 EUR
5+252.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+313.59 EUR
10+240.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R12ME7BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+276.02 EUR
10+255.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17IE4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1700V 450A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17IE4BOSA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 620A 2800W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Power - Max: 2800 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 620 A
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 450A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME3EUPECMODULE
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME3Infineon TechnologiesIGBT Modules N-CH 1.7KV 605A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME3BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 605A 2250W
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 450A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Configuration: Half Bridge Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 40.5 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 2250 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 605 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME3ENGSEMIKRON1O11 A3-3
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT 1700V 450A
auf Bestellung 45 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+394.04 EUR
10+310.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4
Produktcode: 190910
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4InfineonIGBT4 - E4, 450A Силові IGBT-модулі
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4B11BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 600A 2500W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 2500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Part Status: Discontinued at Digi-Key
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4B11BPSA1Infineon TechnologiesFF450R17ME4B11BPSA1
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4B11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-311
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 2500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: AG-ECONOD
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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FF450R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 600A 2500W MOD
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Configuration: 2 Independent
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Power - Max: 2500 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 A
Part Status: Active
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: Module
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+320.55 EUR
10+277.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 600A 2500W 11-Pin ECONOD-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4BOSA
Produktcode: 222021
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 600A 2500W 11-Pin ECONOD-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4BOSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; Ic: 605A; AG-ECONOD-3; 2.5kW; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor
Collector current: 605A
Case: AG-ECONOD-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 900A
Power dissipation: 2.5kW
Technology: Field Stop; Trench
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4BOSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 1700V 600A 2500W 11-Pin ECONOD-3 Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4BOSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF450R17ME4BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.95 V, 2.5 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.95V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.95V
Verlustleistung Pd: 2.5kW
Verlustleistung: 2.5kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 600A
Produktpalette: EconoDUAL 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 600A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+447.27 EUR
5+383.37 EUR
10+324.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4PB11BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 450A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4PB11BOSA1Infineon TechnologiesHigh Reliability IGBT Modules IC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4PB11BOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1700V 450A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+319.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4PBOSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1700V 900A 20MW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 25 V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+347.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4PBOSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 450 A dual IGBT module
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4P_B11Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 450 A dual IGBT module
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME4_B11Infineon TechnologiesIGBT Modules IGBT Module 450A 1700V
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 1700 V, 450 A dual IGBT module
auf Bestellung 13 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+402.23 EUR
50+364.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME7B11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF450R17ME7B11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 450 A, 1.7 V, 20 mW, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Verlustleistung: 20mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: EconoDUAL 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+299.81 EUR
5+276.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R17ME7B11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-ECONOD
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 450A Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2312.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules XHP HV
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF450R33T3E3B5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
Dauer-Kollektorstrom: 450A
usEccn: 3A228.c
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: 3A228.c
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3kV
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: XHP3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-6
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 450A Tray
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1327.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5P2BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules XHP HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5P2BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-6
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5P3BPMA1Infineon TechnologiesIGBT Modules XHP HV
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5P3BPMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP3K33
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP3K33
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5P3BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-6
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5P4BPMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-6
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5P4BPMA1Infineon TechnologiesIGBT Modules XHP HV
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5P6BPMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-6
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-6
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 84 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3B5P6BPMA1Infineon TechnologiesIGBT Modules XHP HV
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FF450R33T3E3BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 3300 V, 450 A dual IGBT module
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2665.87 EUR
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FF450R33T3E3BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 450A 10-Pin AG-XHP100-3 Tray
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2453.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF450R33T3E3BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.5 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.5V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 3.3kV
Dauerkollektorstrom: 450A
Anzahl der Pins: 10Pin(s)
Produktpalette: XHP 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 3.3kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 450A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+2389.66 EUR
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FF450R33T3E3BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 1000000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3BPSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Module N-CH 3300V 450A 10-Pin AG-XHP100-3 Tray
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1797.82 EUR
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FF450R33T3E3P2BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules XHP HV
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 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FF450R33T3E3P2BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FF450R33T3E3P3BPMA1Infineon TechnologiesIGBT Modules XHP HV
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FF450R33T3E3P3BPMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-3
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 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FF450R33T3E3P4BPMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-3
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3P4BPMA1Infineon TechnologiesIGBT Modules XHP HV
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 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3P6BPMA1Infineon TechnologiesIGBT Modules XHP HV
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 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R33T3E3P6BPMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 450A AG-XHP100-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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FF450R33T3E3_B5Infineon TechnologiesInfineon IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
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FF450R45T3E4B5BPSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 4.5KV 450A AG-XHP100-3
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 450A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-XHP100-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 450 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 4500 V
Power - Max: 1500000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 76600 pF @ 25 V
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+2698.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R45T3E4B5BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF450R45T3E4B5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 450 A, 2.35 V, 1500 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
Verlustleistung: 1500kW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 450A
Produktpalette: XHP 3 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 4.5kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+3728.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF450R45T3E4B5BPSA1Infineon TechnologiesIGBT Modules 4500 V, 450 A dual IGBT module
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3172.24 EUR
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FF45MR12W1M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 25A Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF45MR12W1M1B11BOMA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+158.88 EUR
10+143.97 EUR
24+143.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF45MR12W1M1B11BOMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
auf Bestellung 32 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+122.43 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF45MR12W1M1B11BOMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 1.2KV 25A Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF45MR12W1M1B11BOMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 25A; AG-EASY1BM-2; Idm: 50A
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 50A
Case: AG-EASY1BM-2
Gate-source voltage: -10...20V
On-state resistance: 45mΩ
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Technology: CoolSiC™; SiC
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-Fit
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+89.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF45MR12W1M1B11BOMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA
Supplier Device Package: AG-EASY1BM-2
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF45MR12W1M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY1BM
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Supplier Device Package: AG-EASY1BM
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.55V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 25A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Chassis Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF45MR12W1M1PB11BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules LOW POWER EASY
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF4910001Diodes IncorporatedCrystals Crystal Ceramic SEAM4025 T&R 1K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF4910001Diodes IncorporatedDescription: CRYSTAL 49.1520MHZ 20PF SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 20pF
Size / Dimension: 0.157" L x 0.098" W (4.00mm x 2.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±20ppm
Frequency Tolerance: ±10ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.030" (0.75mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 30 Ohms
Frequency: 49.152 MHz
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF4910001Diodes ZetexCrystal FUND 4-Pin Mini-CSMD T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF4MR12KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesDescription: MEDIUM POWER 62MM
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF4MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules N
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+540.36 EUR
10+506.11 EUR
30+480.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF4MR12W2M1HB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 170A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 594nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
Supplier Device Package: Module
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+352.61 EUR
15+306.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF4MR12W2M1HB11BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF4MR12W2M1HB11BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 170 A, 1.2 kV, 4000 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+482.15 EUR
5+438.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF4MR12W2M1HB70BPSA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER EASY
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 594nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+376.52 EUR
15+330.76 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF4MR12W2M1HB70BPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF4MR12W2M1HB70BPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 4000 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20mW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: EasyDUAL 2B CoolSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+514.95 EUR
5+468.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF4MR12W2M1HB70BPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
auf Bestellung 51 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+370.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2B
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 20mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17600pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 594nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 80mA
Supplier Device Package: AG-EASY2B
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+449.27 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF4MR12W2M1HPB11BPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
auf Bestellung 36 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+493.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF4MR20KM1HHPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF4MR20KM1HHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 280 A, 2 kV, 5300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 280A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1163.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FF4MR20KM1HHPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36100pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 300A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1170nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA
Supplier Device Package: AG-62MMHB
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1+1095.59 EUR
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FF4MR20KM1HHPSA1Infineon TechnologiesDiscrete Semiconductor Modules CoolSiC MOSFET half bridge module 2000 V
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1+838.78 EUR
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FF4MR20KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET 2N-CH 2000V AG-62MMHB
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V (2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36100pF @ 1.2kV
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 300A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1170nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.15V @ 168mA
Supplier Device Package: AG-62MMHB
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+1104.67 EUR
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FF4MR20KM1HPHPSA1Infineon TechnologiesMOSFET Modules 62 mm C-Series module with CoolSiC Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material
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1+1111.03 EUR
8+989.19 EUR
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FF4MR20KM1HPHPSA1INFINEONDescription: INFINEON - FF4MR20KM1HPHPSA1 - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 245 A, 2 kV, 5300 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.15V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: 62mm C Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+1008.6 EUR
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FF4U03LDBelden Inc.Description: FXU FRAME OM4 03P
Packaging: Bulk
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FF4U03SDBelden Inc.Description: FXU FRAME OM4 03P
Packaging: Bulk
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FF4U03SSBelden Inc.Description: FXU FRAME OM4 03P
Packaging: Bulk
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