Produkte > GS0

Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 2 3 4  Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
GS0650111LMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-011-1-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3.2A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+4.51 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650111LTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.07 EUR
24+9.96 EUR
100+7.95 EUR
500+6.91 EUR
1000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650111LTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650111LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.19 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.95 EUR
500+6.91 EUR
1000+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650111LTRXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-011-1-L-TR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650112LMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650112LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650112LMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-011-2-L-MR
auf Bestellung 485 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+10.22 EUR
10+6.83 EUR
100+4.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650112LMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650112LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.65 EUR
31+7.54 EUR
100+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650112LMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-011-2-L-MR
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+4.78 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650112LMRXUSA1Infineon TechnologiesGaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650112LTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+8.31 EUR
500+7.26 EUR
1000+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650112LTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650112LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.65 EUR
23+10.42 EUR
100+8.31 EUR
500+7.26 EUR
1000+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650112LTRXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-011-2-L-TR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-011-6-L-MR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650116LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LMRXUSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 700V; 12.2A; PDFN8
Technology: GaN
Drain current: 12.2A
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Case: PDFN8
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650116LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.67 EUR
26+9.23 EUR
100+7.04 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-011-6-L-MR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650116LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
24+10.79 EUR
27+8.65 EUR
100+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-011-6-LR-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRMRXUSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 700V; 12.2A; PDFN8
Technology: GaN
Drain current: 12.2A
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Case: PDFN8
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-011-6-LR-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 70 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 2.4mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 3.2A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650116LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.95 EUR
29+8.16 EUR
100+6.51 EUR
500+5.65 EUR
1000+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRTRXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-011-6-LR-TR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LRTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650116LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.51 EUR
500+5.65 EUR
1000+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LTRXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-011-6-L-TR
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.45 EUR
30+7.91 EUR
100+6.45 EUR
500+5.51 EUR
1000+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650116LTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650116LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 12.2 A, 0.18 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.45 EUR
500+5.51 EUR
1000+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650146LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650146LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.38 EUR
31+7.68 EUR
100+5.09 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LMRXUSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 700V; 15.2A; PDFN8
Technology: GaN
Drain current: 15.2A
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Case: PDFN8
On-state resistance: 138mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.7nC
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LRMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650146LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LRMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-014-6-LR-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 437 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.61 EUR
10+7.1 EUR
100+5.12 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LRMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650146LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+13.99 EUR
27+8.7 EUR
100+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LRMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-014-6-LR-MR
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 138mOhm @ 4A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+4.59 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LRTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+8.25 EUR
500+7.18 EUR
1000+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LRTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650146LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.59 EUR
23+10.35 EUR
100+8.25 EUR
500+7.18 EUR
1000+5.94 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 2.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.138ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+11.92 EUR
24+9.96 EUR
100+8.12 EUR
500+6.91 EUR
1000+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650146LTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650146LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+8.12 EUR
500+6.91 EUR
1000+5.62 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650182LMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-018-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+7.84 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650182LMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650182LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.61 EUR
16+14.55 EUR
20+10.9 EUR
50+10.15 EUR
100+9.42 EUR
250+8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650182LMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-018-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
auf Bestellung 493 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.17 EUR
10+11.73 EUR
50+9.4 EUR
100+8.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650182LMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650182LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+18.61 EUR
16+14.55 EUR
20+10.9 EUR
50+10.15 EUR
100+9.42 EUR
250+8.68 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650182LTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650182LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+22.94 EUR
15+16.27 EUR
19+11.72 EUR
50+10.95 EUR
100+10.2 EUR
250+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650182LTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650182LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 18 A, 0.11 ohm, 4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+22.94 EUR
15+16.27 EUR
19+11.72 EUR
50+10.95 EUR
100+10.2 EUR
250+10.02 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650186LRMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-018-6-LR-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+6.16 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650186LRMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.27 EUR
20+11.88 EUR
25+8.84 EUR
50+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650186LRMRXUSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 700V; 23A; PDFN8
Technology: GaN
Drain current: 23A
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Case: PDFN8
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650186LRMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650186LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.27 EUR
20+11.88 EUR
25+8.84 EUR
50+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650186LRMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-018-6-LR-MR
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5.5A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.89 EUR
10+9.38 EUR
50+7.45 EUR
100+6.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650186LRTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.72 EUR
16+14.6 EUR
19+11.65 EUR
50+10.15 EUR
100+8.46 EUR
250+8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650186LRTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650186LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 23 A, 0.09 ohm, 4.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 4.2nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.72 EUR
16+14.6 EUR
19+11.65 EUR
50+10.15 EUR
100+8.46 EUR
250+8.29 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650302LMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.83 EUR
12+20.3 EUR
14+15.32 EUR
50+14.09 EUR
100+12.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650302LMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-030-2-L-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+10.08 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650302LMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650302LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.83 EUR
12+20.3 EUR
14+15.32 EUR
50+14.09 EUR
100+12.9 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650302LMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-030-2-L-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.36 EUR
10+14.78 EUR
50+11.96 EUR
100+11.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650302LTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.5 EUR
11+21.27 EUR
50+20.82 EUR
100+20.37 EUR
250+19.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650302LTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650302LTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.068 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+23.5 EUR
11+21.27 EUR
50+20.82 EUR
100+20.37 EUR
250+19.94 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LLMRXUMA1Infineon TechnologiesGS-065-030-6-LL-MR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+6.24 EUR
500+6.03 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LLMRXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN POWER TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
auf Bestellung 525 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.87 EUR
10+12.96 EUR
50+10.44 EUR
100+9.82 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LLMRXUMA1Infineon TechnologiesGS-065-030-6-LL-MR
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+8.5 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LLMRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.51 EUR
14+17.64 EUR
17+13.26 EUR
50+10.66 EUR
100+10.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LLMRXUMA1Infineon TechnologiesGS-065-030-6-LL-MR
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+8.5 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LLMRXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+10.16 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LLMRXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GAN POWER TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+8.73 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LLMRXUMA1Infineon TechnologiesGS-065-030-6-LL-MR
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+9.89 EUR
100+9.26 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LLMRXUMA1Infineon TechnologiesGS-065-030-6-LL-MR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
250+6.24 EUR
500+5.9 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LLMRXUMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; GaN; unipolar; HEMT; 700V; 20A; Idm: 67A; TOLL
Technology: GaN
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Kind of transistor: HEMT
Type of transistor: N-JFET
Gate-source voltage: -10...7V
Kind of package: tape
Case: TOLL
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 67A
Gate charge: 6.7nC
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LLTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650306LLTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+28.24 EUR
11+22.86 EUR
13+17.62 EUR
50+13.6 EUR
100+13.36 EUR
250+13.11 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRMRXUSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; 700V; 40A; PDFN8
Technology: GaN
Drain current: 40A
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Case: PDFN8
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.87 EUR
12+20.33 EUR
14+15.34 EUR
50+13.52 EUR
100+11.67 EUR
250+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
auf Bestellung 755 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.38 EUR
10+14.8 EUR
50+11.98 EUR
100+11.58 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650306LRMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+25.87 EUR
12+20.33 EUR
14+15.34 EUR
50+13.52 EUR
100+11.67 EUR
250+10.15 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS-065-030-6-LR-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
250+10.09 EUR
750+9.46 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10+27.81 EUR
12+19.66 EUR
16+13.86 EUR
50+12.96 EUR
100+12.05 EUR
250+11.72 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS0650306LRTRXUMA1INFINEONDescription: INFINEON - GS0650306LRTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.054 ohm, 6.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9+27.81 EUR
12+19.66 EUR
16+13.86 EUR
50+12.96 EUR
100+12.05 EUR
250+11.72 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS069
auf Bestellung 14500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS069 SOP-8
Produktcode: 107644
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-0P1JMEAN WELL USA Inc.Description: AC/DC WALL MOUNT ADAPTER 3.3V 4W
Power (Watts): 4 W
Part Status: Active
Region Utilized: Europe
Input Connector: CEE 7/16
Current - Output (Max): 1.21A
Form: Wall Mount (Class II)
Input Type: Fixed Blade
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 11.0mm
Polarization: Positive Center
Voltage - Output: 3.3V
Packaging: Box
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-11P1JMEAN WELLWall Mount AC Adapters 6W 7.5V 0.8A 2 pole EURO plug
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-11P1JMean-Well USA, Inc.Plug-In Adapter Single-OUT 7.5V 0.8A 6W Carton
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+26.73 EUR
10+24.42 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-11P1JMEAN WELLAC/DC, 6W, Вход: 90-264VAC, Выход: 7.5В/0.8А, корпус 32х66х42.5мм, 0...50 С MEAN WELL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-11P1JMEAN WELL USA Inc.Description: AC/DC WALL MOUNT ADAPTER 7.5V 6W
Efficiency: Level VI
Form: Wall Mount (Class II)
Approval Agency: CE, GS
Input Type: Fixed Blade
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Cord Length: 47.2" (1.20m)
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 11.0mm
Polarization: Positive Center
Voltage - Output: 7.5V
Size / Dimension: 2.60" L x 1.26" W x 1.67" H (66.0mm x 32.0mm x 42.5mm)
Packaging: Box
Power (Watts): 6 W
Part Status: Active
No Load Power Consumption: 75mW (Max)
Region Utilized: Europe
Input Connector: CEE 7/16
Current - Output (Max): 800mA
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.7 EUR
5+29.88 EUR
10+28.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-11P1JMEAN WELLAC/DC, 6W, Вход: 90-264VAC, Выход: 7.5В/0.8А, корпус 32х66х42.5мм, 0...50 С AC/DC-адаптеры
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-1P1JMean-Well USA, Inc.Plug-In Adapter Single-OUT 5V 1A 5W Carton
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-1P1JMEAN WELLAC/DC, 6W, Вход: 90-264VAC/127-370VDC, Выход: 5В/1А, корпус 32х66х42.5мм, 0...50 С AC/DC-адаптеры
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-1P1JMEAN WELL USA Inc.Description: AC/DC WALL MOUNT ADAPTER 5V 5W
Packaging: Box
Size / Dimension: 2.60" L x 1.26" W x 1.67" H (66.0mm x 32.0mm x 42.5mm)
Voltage - Output: 5V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 11.0mm
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 47.2" (1.20m)
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Input Type: Fixed Blade
Approval Agency: CE, GS
Form: Wall Mount (Class II)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 1A
Input Connector: CEE 7/16
Region Utilized: Europe
No Load Power Consumption: 75mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 5 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-1P1JMean-Well USA, Inc.Plug-In Adapter Single-OUT 5V 1A 5W Carton
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-1P1JMEAN WELLAC/DC, 6W, Вход: 90-264VAC/127-370VDC, Выход: 5В/1А, корпус 32х66х42.5мм, 0...50 С MEAN WELL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-1P1JMEAN WELLCategory: Plug-in Power Supplies
Description: Power supply: switching; mains power supply,mains,plug-in; 5VDC
Type of power supply: switching
Kind of power supply: mains; mains power supply; plug-in
Output voltage: 5V DC
Maximum output current: 1A
Power: 5W
Kind of output connector: 5,5/2,1
Body dimensions: 32x66x42.5mm
Supply voltage: 90...264V AC
Protection: anti-overload OPP; anti-overvoltage OVP; short circuit protection SCP
Conform to the norm: Energy efficiency Level VI
Length of output cable: 1.2m
Efficiency: 68%
Connector variant: straight
Polarisation: positive inner pin
Operating temperature: 0...40°C
Operating modes: constant voltage
Connectors for the country: Europe
Manufacturer series: GS06E
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-1P1JMEAN WELLWall Mount AC Adapters 5W 5V 1.0A 2 pole EURO plug
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-1P1J
Produktcode: 26344
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
1+10.7 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-2P1JMean-Well USA, Inc.Plug-In Adapter Single-OUT 9V 0.66A 6W Carton
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-2P1JMEAN WELLAC/DC, 6W, Вход: 90-264VAC, Выход: 9В/0.66А, корпус 32х66х42.5мм, 0...50 С AC/DC-адаптеры
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-2P1JMEAN WELLCategory: Plug-in Power Supplies
Description: Power supply: switching; mains power supply,mains,plug-in; 9VDC
Type of power supply: switching
Kind of power supply: mains; mains power supply; plug-in
Output voltage: 9V DC
Maximum output current: 0.66A
Power: 6W
Kind of output connector: 5,5/2,1
Body dimensions: 32x66x42.5mm
Supply voltage: 90...264V AC
Protection: anti-overload OPP; anti-overvoltage OVP; short circuit protection SCP
Conform to the norm: Energy efficiency Level VI
Length of output cable: 1.2m
Efficiency: 75%
Connector variant: straight
Polarisation: positive inner pin
Manufacturer series: GS06E
Operating temperature: 0...40°C
Connectors for the country: Europe
Operating modes: constant voltage
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+21.28 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-2P1JMEAN WELLWall Mount AC Adapters 6W 9V 0.66A 2 pole EURO plug
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-2P1J
Produktcode: 106790
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
MeanWellNetzteile und Ladegeräte > Netzgeräte im Plastikgehäuse (Stecker- und Tischnetzteile)
Beschreibung: Mit integriertem Netzstecker (Wand-)
Eingangsspannung Uin, V: 90...264 VAC
Ausgangsspannung Uout, V: 9 V
Ausgangsstrom Iout, A: 0,66 A
Leistung, W: 6 W
Abmessungen, mm: 32x66x42,5 mm
Produkt ist nicht verfügbar
1+16.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-2P1JMEAN WELL USA Inc.Description: AC/DC WALL MOUNT ADAPTER 9V 6W
Packaging: Box
Size / Dimension: 2.60" L x 1.26" W x 1.67" H (66.0mm x 32.0mm x 42.5mm)
Voltage - Output: 9V
Polarization: Positive Center
Output Connector: Barrel Plug, 2.1mm I.D. x 5.5mm O.D. x 11.0mm
Voltage - Input: 90 ~ 264 VAC
Cord Length: 47.2" (1.20m)
Operating Temperature: 0°C ~ 50°C
Input Type: Fixed Blade
Approval Agency: CE, GS
Form: Wall Mount (Class II)
Efficiency: Level VI
Current - Output (Max): 660mA
Input Connector: CEE 7/16
Region Utilized: Europe
No Load Power Consumption: 75mW (Max)
Part Status: Active
Power (Watts): 6 W
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.73 EUR
5+29.89 EUR
10+28.23 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-2P1JMean-Well USA, Inc.Plug-In Adapter Single-OUT 9V 0.66A 6W Carton
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+29.08 EUR
10+27.23 EUR
20+25.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GS06E-2P1JMEAN WELLAC/DC, 6W, Вход: 90-264VAC, Выход: 9В/0.66А, корпус 32х66х42.5мм, 0...50 С MEAN WELL
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:    << Vorherige Seite ]  1 2 3 4  Nächste Seite >> ]