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IPI12CN10N G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 67A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 67A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4320 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI12CNE8N G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI139N08N3GHKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI147N12N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 120V 56A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 33 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.77 EUR
10+	4.3 EUR
100+	3.44 EUR
500+	2.83 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI147N12N3G

Infineon Technologies

Description: IPI147N12 - 12V-300V N-CHANNEL P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk

auf Bestellung 14603 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

307+	2.05 EUR

Mindestbestellmenge: 307 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI147N12N3GAKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V

auf Bestellung 920 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

307+	1.95 EUR

Mindestbestellmenge: 307 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI147N12N3GAKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.7mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 61µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 60 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI14N03LA

09+

auf Bestellung 5030 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI14N03LA

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 30A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI16CN10N G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI16CNE8N G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI180N10N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 43A I2PAK-3 OptiMOS 3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI180N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 33µA

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI180N10N3GXKSA1 Transistor
Produktcode: 216665

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI200N15N3 G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI200N15N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 150V 50A I2PAK-3 OptiMOS 3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI200N15N3GXKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 150V 50A I2PAK-3

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI200N25N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 250V 64A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI200N25N3GAKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

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Mindestbestellmenge: 76 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI200N25N3GAKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI22N03S4L-15

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 30V 22A I2PAK-3 OptiMOS-T2

auf Bestellung 286 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI22N03S4L-15

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI22N03S4L15AKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI22N03S4L15AKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 897 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

741+	0.73 EUR

Mindestbestellmenge: 741 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI25N06S3-25

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1862 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI25N06S3L-22

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.6mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI26CN10N G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 39µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI26CN10NG

auf Bestellung 1080 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI26CNE8N G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 1000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI320N203G

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

auf Bestellung 350 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

161+	3.71 EUR

Mindestbestellmenge: 161 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI320N20N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 200V 34A I2PAK-3 OptiMOS 3

auf Bestellung 5 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	7.46 EUR
10+	6.7 EUR
100+	5.49 EUR
500+	4.66 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI320N20N3GAKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)

auf Bestellung 6 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	88.62 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI320N20N3GAKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI35CN10N G

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S3-16

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2980 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 23A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S3L-13

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 45A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.4mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45N06S4-09AKSA2

Infineon Technologies

Description: IPI45N06 - 55V-60V N-CHANNEL AUT
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V

auf Bestellung 97500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

359+	1.67 EUR

Mindestbestellmenge: 359 Stücke

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IPI45N06S409AKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI45N06S409AKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube

auf Bestellung 15000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

799+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 799 Stücke

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IPI45N06S409AKSA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPI45N06S409AKSA2

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET

auf Bestellung 389 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.62 EUR
10+	3.01 EUR
100+	2.39 EUR
250+	2.23 EUR
500+	2.01 EUR
1000+	1.73 EUR
2500+	1.64 EUR

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IPI45N06S409AKSA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3785 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 34µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

auf Bestellung 865830 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

226+	2.44 EUR

Mindestbestellmenge: 226 Stücke

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IPI45N06S4L-08

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 45A I2PAK-3 OptiMOS-T2

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI45N06S4L08AKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI45N06S4L08AKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 60V 45A I2PAK-3 OptiMOS-T2

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI45N06S4L08AKSA2

Infineon Technologies

Description: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk

auf Bestellung 11000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

742+	0.77 EUR

Mindestbestellmenge: 742 Stücke

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IPI45N06S4L08AKSA2

Infineon Technologies

MOSFET MOSFET

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IPI45N06S4L08AKSA3

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

auf Bestellung 29287 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

498+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 498 Stücke

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IPI45N06S4L08AKSA3

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_55/60V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 35µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI45N06S4L08AKSA3

Infineon Technologies

MOSFET

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI45P03P4L-11

Infineon Technologies

MOSFET P-Ch -30V -45A I2PAK-3 OptiMOS-P2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI45P03P4L11AKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 85µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI47N10S-33

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 33A I2PAK-3 SIPMOS

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI47N10S33AKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI47N10SL-26

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 47A I2PAK-3 SIPMOS

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI47N10SL26AKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 2mA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50CN10NGHKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 50 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50N10S3L-16

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 100V 50A I2PAK-3 OptiMOS-T

auf Bestellung 268 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.21 EUR
10+	4.33 EUR
100+	3.45 EUR
250+	3.2 EUR
500+	2.92 EUR
1000+	2.48 EUR
2500+	2.37 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50N10S3L16AKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50N10S3L16AKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)

auf Bestellung 12775 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

231+	2.51 EUR

Mindestbestellmenge: 231 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50N12S3L15AKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CHANNEL_100+
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4180 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 27500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

245+	2.24 EUR

Mindestbestellmenge: 245 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50N12S3L15AKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-CHANNEL 100+

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R140CP

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 550V 23A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R140CP

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 500V 23A I2PAK-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 730 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R140CPXKSA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_LEGACY
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk

auf Bestellung 20374 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

126+	4.37 EUR

Mindestbestellmenge: 126 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R140CPXKSA1

Infineon Technologies

Description: HIGH POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 930µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2540 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R199CP

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 550V 17A I2PAK-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 345 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R199CPXKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 9.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 660µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R250CP

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V

auf Bestellung 10500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

270+	2.32 EUR

Mindestbestellmenge: 270 Stücke

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IPI50R250CP

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 550V 13A I2PAK-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI50R250CPXKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V

auf Bestellung 1485 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

270+	2.07 EUR

Mindestbestellmenge: 270 Stücke

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IPI50R250CPXKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI50R299CP

Infineon Technologies

Description: N-CHANNEL POWER MOSFET

auf Bestellung 9978 Stücke:

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341+	1.77 EUR

Mindestbestellmenge: 341 Stücke

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IPI50R299CP

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 550V 12A I2PAK-3 CoolMOS CP

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI50R299CPXK

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 550V 12A I2PAK-3 CoolMOS CP

Produkt ist nicht verfügbar

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IPI50R299CPXKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3

auf Bestellung 500 Stücke:

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IPI50R350CP

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 370µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 100 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPI50R350CP

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 500V 10A I2PAK-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 394 Stücke:

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1+	5.93 EUR
10+	5.37 EUR
100+	4.27 EUR
500+	3.52 EUR

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IPI50R350CPXKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 269 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 210 Stücke

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IPI50R350CPXKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 240 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	3.11 EUR

Mindestbestellmenge: 210 Stücke

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IPI50R350CPXKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 1000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	3.11 EUR
500+	2.76 EUR
1000+	2.5 EUR

Mindestbestellmenge: 210 Stücke

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IPI50R350CPXKSA1

ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPI50R350CPXKSA1 - IPI50R350 - 10A, 500V, 0.35OHM, N-CHANEL
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

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Mindestbestellmenge: 238 Stücke

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IPI50R350CPXKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; 89W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 89W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement

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IPI50R350CPXKSA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

auf Bestellung 694 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

210+	3.11 EUR
500+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 210 Stücke

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IPI50R399CP

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 500V 9A I2PAK-3 CoolMOS CP

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Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPI50R399CP

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO-262

auf Bestellung 385 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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IPI50R399CPXKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 399mOhm @ 4.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI50R399CPXKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 560V 9A I2PAK-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

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IPI50R399CPXKSA2

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO262-3

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IPI50R399CPXKSA2

Infineon Technologies

MOSFET LOW POWER_LEGACY

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IPI530N15N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 150V 21A I2PAK-3

auf Bestellung 800 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.52 EUR
10+	4.08 EUR
100+	3.27 EUR
500+	2.68 EUR

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IPI530N15N3GXKSA1

Infineon Technologies

Description: PFET, 21A I(D), 150V, 0.053OHM,

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 389 Stücke

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IPI530N15N3GXKSA1

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 150V 21A I2PAK-3

auf Bestellung 823 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.52 EUR
10+	4.08 EUR
100+	3.27 EUR
500+	2.68 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI530N15N3GXKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 150V 21A TO262-3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI600N25N3 G

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 250V 25A I2PAK-3 OptiMOS 3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI600N25N3GAKSA1

Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO262-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R099CP
Produktcode: 124116

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R099CP

Infineon Technologies

Description: PFET, 31A I(D), 600V, 0.099OHM,
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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IPI60R099CP

Infineon Technologies

MOSFETs N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CP

auf Bestellung 525 Stücke:

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1+	12.95 EUR
10+	9.28 EUR
25+	8.63 EUR
100+	7.38 EUR
500+	7.16 EUR
1000+	7.02 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPI60R099CPA

Infineon Technologies

MOSFET N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CPA

auf Bestellung 379 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	20.99 EUR
10+	18.98 EUR
100+	15.71 EUR
500+	14.71 EUR

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