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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
RN2104/YDTOSHIBA09+
auf Bestellung 6018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2104ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2104ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2104CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2104CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
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RN2104FS
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2104FTTOSHIBASOT416-YD DTA144
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2104FT/YDTOSHIBA
auf Bestellung 152000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2104FTSOT416-YDDTA144EETOSHIBA
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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RN2104MFV
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2104MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2104MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 7725 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
67+0.32 EUR
107+0.2 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2104MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2104MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
auf Bestellung 6887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
11+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.083 EUR
8000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2104\YDTOSHIBASOT-323
auf Bestellung 3100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105TOSHIBA
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105(TE85L)TOSHIBASOT423-YE
auf Bestellung 714000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105(TE85LF)TOS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
auf Bestellung 5709 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
48+0.44 EUR
60+0.36 EUR
113+0.19 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.42 EUR
10+0.33 EUR
100+0.18 EUR
500+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105,LF(CTToshibaSilicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
auf Bestellung 1300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1122 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.5 EUR
100+0.3 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2KOHM,
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
38+0.56 EUR
100+0.31 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=2.2KOHM,
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105/YETOSHIBA09+
auf Bestellung 3018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105<TE85LTOSHIBASOT23
auf Bestellung 2775 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105<TE85L,F>TOSHIBASOT23
auf Bestellung 2969 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor PNP -.1A -50V 2.2kohm
auf Bestellung 7469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
17+0.2 EUR
100+0.13 EUR
500+0.09 EUR
1000+0.08 EUR
2500+0.069 EUR
5000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
auf Bestellung 6627 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
53+0.39 EUR
58+0.37 EUR
106+0.2 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.083 EUR
2000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
33+0.65 EUR
47+0.45 EUR
100+0.23 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
2000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
auf Bestellung 15540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.49 EUR
10+0.44 EUR
100+0.3 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
2500+0.14 EUR
5000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2105TE85L(YE)
auf Bestellung 327000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2106
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2106(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2106(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2106,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2106,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2106,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
646+0.39 EUR
1026+0.23 EUR
1656+0.13 EUR
2470+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 646 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2106,LF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
auf Bestellung 12777 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.44 EUR
10+0.36 EUR
100+0.19 EUR
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2106,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2106,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2106,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 2960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
582+0.43 EUR
926+0.25 EUR
1493+0.14 EUR
2050+0.1 EUR
2326+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 582 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2106,LXHF(CTToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 11892 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.67 EUR
10+0.5 EUR
100+0.29 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
9000+0.099 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2106,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
29+0.74 EUR
38+0.56 EUR
100+0.31 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2106,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7KOHM,
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2106ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2106ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2106CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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RN2106CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2106CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3
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RN2106FTOSHIBASOT23
auf Bestellung 3675 Stücke:
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RN2106MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
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RN2106MFV,L3F(CTToshibaRN2106MFV,L3F(CT
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RN2106MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
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53+0.39 EUR
58+0.37 EUR
106+0.2 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.083 EUR
2000+0.071 EUR
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RN2106MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
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RN2106MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7K, Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
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RN2106MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
auf Bestellung 15867 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.5 EUR
11+0.31 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
5000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2106MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7K, Q1BER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
30+0.71 EUR
37+0.58 EUR
100+0.31 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.14 EUR
2000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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RN2107Toshiba
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RN2107TOSHIBA09+
auf Bestellung 94018 Stücke:
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RN2107(F)SOT23/SOT323
auf Bestellung 975 Stücke:
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RN2107(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP SSM -50V -100A
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RN2107(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP SSM -50V -100A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRAN PNP SSM -50V -100A
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RN2107(TE85L,F)TOSHIBASOT23
auf Bestellung 2135 Stücke:
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RN2107(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R
auf Bestellung 3952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1051+0.17 EUR
1086+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1051 Stücke
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RN2107,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
auf Bestellung 8975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107,LF(CBToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
auf Bestellung 8975 Stücke:
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RN2107,LF(CTToshibaTrans Digital BJT PNP 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
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RN2107,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
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 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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RN2107,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
auf Bestellung 5980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.57 EUR
10+0.36 EUR
100+0.23 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5870 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
65+0.32 EUR
104+0.2 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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RN2107=DTA114YE
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Package / Case: SC-101, SOT-883
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Supplier Device Package: CST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107ACT(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased Gen Purp Trans PNP CST3, 50V, 100A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107F
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107MFV
auf Bestellung 6994 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107MFV(TPL3)ToshibaDigital Transistors 100mA -50volts 3Pin 10K x 47Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107MFV(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 150MW VESM
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107MFV,L3FToshibaDigital Transistors Bias Resistor PNP -.1A -50V 10kohm
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 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2107MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 7158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
2748+0.079 EUR
3509+0.061 EUR
5000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 15080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
121+0.18 EUR
196+0.11 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.068 EUR
2000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107MFV,L3F(CTToshibaDigital Transistors 10kohm 47kohm 0.1A SOT-723 50V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2107MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN2107MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 7158 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1141+0.2 EUR
1846+0.12 EUR
2748+0.079 EUR
3509+0.061 EUR
5000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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