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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STN1N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1N20-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1N20SPY
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1N20TR
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NB80ST07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NB80**********
auf Bestellung 65000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NB80-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NC60ST07+ SOT-223
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NC60-TR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NE06
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NE10
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NE10L
auf Bestellung 52500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
147+1.19 EUR
172+0.98 EUR
192+0.84 EUR
218+0.71 EUR
252+0.6 EUR
269+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 147 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NF10STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 1 Amp
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NF20STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 1.1 Ohm 200V 1A STripFET II
auf Bestellung 7131 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.54 EUR
10+1.11 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.49 EUR
4000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.45 EUR
8000+0.42 EUR
12000+0.4 EUR
20000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN1NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
162+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
auf Bestellung 24521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
100+0.77 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NF20STMMOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN1NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 221 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.46 EUR
162+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NHC60-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NHK60-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60
auf Bestellung 5750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+0.62 EUR
301+0.56 EUR
304+0.54 EUR
351+0.44 EUR
386+0.38 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
auf Bestellung 3976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.81 EUR
200+1.17 EUR
258+0.83 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZST600V 13Ohm, 0.8A Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 STN1NK60Z TSTN1nk60z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1565 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1064 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
304+0.57 EUR
351+0.49 EUR
386+0.44 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 304 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15Ω
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 189mA
auf Bestellung 3908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+0.8 EUR
139+0.62 EUR
154+0.56 EUR
182+0.46 EUR
189+0.45 EUR
250+0.43 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZSTMMOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Транзистори
auf Bestellung 2243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 508000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.32 EUR
8000+0.31 EUR
12000+0.29 EUR
20000+0.27 EUR
24000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 7856 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.52 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
auf Bestellung 3976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
139+1.81 EUR
200+1.17 EUR
258+0.83 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 139 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH
auf Bestellung 10704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.68 EUR
10+1.67 EUR
100+1.09 EUR
500+0.86 EUR
1000+0.74 EUR
2000+0.67 EUR
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 300 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 94 @ 25, Qg, нКл = 6.9 @ 10 В, Rds = 15 @ 400 мА, 10 В, Ugs(th) = 4,5, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 508000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z
Produktcode: 25979
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 0,25 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 15 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 94/4,9
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60Z-TR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.43 EUR
8000+0.39 EUR
12000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZLSTMMOSFET PTD HIGH VOLTAGE Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.44A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZLSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 10 Ohm typ., 0.44 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
auf Bestellung 5533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.45 EUR
4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
183+1.27 EUR
281+0.76 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZLSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 300 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 94 @ 25, Qg, нКл = 6,9, Rds = 150 Ом, Ugs(th) = 4,5, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.44A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 15001 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.13 EUR
100+0.74 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.51 EUR
2000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
115+2.19 EUR
183+1.27 EUR
281+0.76 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.44A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK60ZLSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 300mA; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
On-state resistance: 10.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 30V
auf Bestellung 4299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.9 EUR
8000+0.84 EUR
12000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80ZSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 160mA; 2.5W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.75 EUR
59+1.46 EUR
66+1.3 EUR
90+0.95 EUR
100+0.86 EUR
250+0.76 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
auf Bestellung 60553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
113+2.06 EUR
250+1.25 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.6 EUR
8000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80ZSTMMOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
auf Bestellung 17293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
2000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET Zener SuperMESH
auf Bestellung 16520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.02 EUR
10+2.53 EUR
100+1.73 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.25 EUR
2000+1.17 EUR
4000+1.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
auf Bestellung 60053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+3.22 EUR
113+2.06 EUR
250+1.25 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.6 EUR
8000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80Z (N-Kanal-Feldeffekttransistor)
Produktcode: 43739
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Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN202075U173Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 7.5VWM 25VC 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 1700pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 240A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V (Max)
Supplier Device Package: 3-DFN (2x2)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 1369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.09 EUR
31+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN202075U173Eaton ElectronicsESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS ESD DFN2X2-3L 7.5V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.86 EUR
10+0.58 EUR
100+0.39 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.36 EUR
9000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN202075U173Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 7.5VWM 25VC 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 1700pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 240A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V (Max)
Supplier Device Package: 3-DFN (2x2)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN202075U173Bussmann / EatonESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS ESD DFN2X2-3L 7.5V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.7 EUR
100+0.45 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN202120U952EATON ELECTRONICSCategory: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; unidirectional; DFN2x2-3L; reel,tape
Case: DFN2x2-3L
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Max. off-state voltage: 12V
auf Bestellung 5995 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
93+0.92 EUR
148+0.58 EUR
242+0.36 EUR
500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 93 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN202120U952Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 12VWM 32VC 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 950pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 180A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: 3-DFN (2x2)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 13V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32V
Power - Peak Pulse: 4500W (4.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.92 EUR
100+0.6 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN202120U952Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 12VWM 32VC 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 950pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 180A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: 3-DFN (2x2)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 13V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32V
Power - Peak Pulse: 4500W (4.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN202120U952Bussmann / EatonESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS ESD DFN2X2-3L 12V
auf Bestellung 2908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.31 EUR
10+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.38 EUR
9000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN202150U952Bussmann / EatonESD Suppressors / TVS Diodes TVS ESD DFN2X2-3L 15 V
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.89 EUR
10+0.69 EUR
100+0.42 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN202150U952Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 15VWM 35VC 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 950pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 150A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V (Max)
Supplier Device Package: 3-DFN (2x2)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 16V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35V
Power - Peak Pulse: 4500W (4.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 3603 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
25+0.83 EUR
38+0.56 EUR
100+0.36 EUR
500+0.35 EUR
1000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN202150U952Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 15VWM 35VC 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 950pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 150A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V (Max)
Supplier Device Package: 3-DFN (2x2)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 16V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35V
Power - Peak Pulse: 4500W (4.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN202150U952Eaton ElectronicsESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS ESD DFN2X2-3L 15V
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.94 EUR
10+0.62 EUR
100+0.42 EUR
500+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN202240U752Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 24VWM 50VC 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 750pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: 3-DFN (2x2)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 26V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 6000W (6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN202240U752Eaton ElectronicsESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS ESD, DFN2x2-3L, 24 V
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.57 EUR
10+0.98 EUR
100+0.8 EUR
1000+0.71 EUR
3000+0.62 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN202240U752Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 24VWM 50VC 3DFN
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 6000W (6kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Voltage - Breakdown (Min): 26V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: 3-DFN (2x2)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 750pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
20+1.05 EUR
27+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN204033BL60Bussmann / EatonESD Suppressors / TVS Diodes TVS ESD DFN2010-8L 3.3 V
auf Bestellung 2836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.2 EUR
10+1.07 EUR
100+0.82 EUR
500+0.64 EUR
1000+0.52 EUR
6000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN204033BL60Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 3.3VWM 18VC DFN2010-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: DFN2010-8L
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 3.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN204033BL60Eaton - Electronics DivisionSTN204033BL60 TVS DIODE 3.3VWM 18VC DFN2010-8L Супресори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN204033BL60Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 3.3VWM 18VC DFN2010-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: DFN2010-8L
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 3.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 1195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
19+1.14 EUR
100+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN2120-I/MLOBD SolutionsМультпротокол OBD-UART, Uживл, B = 5, Тексп, °С = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: ... Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN2222A
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN2222AS
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN2222ASF
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN2222SAUK
auf Bestellung 163000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN2222SF
auf Bestellung 625 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN222A00SXR0
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN222AS
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN254033UL33EatonESD Suppressor Diode Diode Array Uni-Dir 3.3V 11Vc 10-Pin DFN T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN254033UL33Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 3.3VWM 11V DFN251010L
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Voltage - Breakdown (Min): 3.8V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: DFN2510-10L
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.33pF @ 1MHz
Applications: DVI, HDMI, USB
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Steering (Rail to Rail)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: Yes
Power - Peak Pulse: 30W
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN254033UL33Eaton ElectronicsESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS ESD Supp., DFN2510-10L, 3.3 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.65 EUR
10+1.04 EUR
100+0.67 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.4 EUR
6000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN254033UL33Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 3.3VWM 11V DFN251010L
Part Status: Active
Power Line Protection: Yes
Power - Peak Pulse: 30W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 11V
Voltage - Breakdown (Min): 3.8V
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: DFN2510-10L
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 3A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.33pF @ 1MHz
Applications: DVI, HDMI, USB
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Steering (Rail to Rail)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.59 EUR
21+1 EUR
100+0.64 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN254033UL50Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 3.3VWM DFN251010L
Unidirectional Channels: 4
Supplier Device Package: DFN2510-10L
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 7A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Applications: DVI, HDMI, USB
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Steering (Rail to Rail)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Power Line Protection: Yes
Power - Peak Pulse: 70W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 10.5V
Voltage - Breakdown (Min): 4V
auf Bestellung 3174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
35+0.61 EUR
100+0.42 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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