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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STU6022EICTVS Diode Single Uni-Dir 17.8V 600W 2-Pin SMB
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STU6022EICTVS Diode Single Uni-Dir 17.8V 600W 2-Pin SMB
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STU6024EICTVS Diode Single Uni-Dir 19.4V 600W 2-Pin SMB
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STU6024EICTVS Diode Single Uni-Dir 19.4V 600W 2-Pin SMB
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STU6025NSAMHOPTO-252
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STU6025NL
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STU6025NLS
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STU6030EICTVS Diode Single Uni-Dir 24.3V 600W 2-Pin SMB
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STU6030EICTVS Diode Single Uni-Dir 24.3V 600W 2-Pin SMB
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STU6036EICTVS Diode Single Uni-Dir 29.1V 600W 2-Pin SMB
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STU6036EICTVS Diode Single Uni-Dir 29.1V 600W 2-Pin SMB
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STU6043EICTVS Diode Single Uni-Dir 34.8V 600W 2-Pin SMB
auf Bestellung 15000 Stücke:
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STU6043EICTVS Diode Single Uni-Dir 34.8V 600W 2-Pin SMB
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STU60N3LH5STMicroelectronicsMOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet
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STU60N3LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 48A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STU60N3LH5-SSTMicroelectronicsMOSFET
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STU60N3LH5-S-HSTMicroelectronicsMOSFET
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STU60N55F3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 55V-6.5Mohms 80A
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STU60N55F3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
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STU6510EICTVS Diode Single Uni-Dir 8.55V 600W 2-Pin SMB
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STU6510EICTVS Diode Single Uni-Dir 8.55V 600W 2-Pin SMB
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STU6511EICTVS Diode Single Uni-Dir 9.4V 600W 2-Pin SMB
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6511EICTVS Diode Single Uni-Dir 9.4V 600W 2-Pin SMB
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STU6512-P6KE12A
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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STU6513EICTVS Diode Single Uni-Dir 11.1V 600W 2-Pin SMB
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
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STU6513EICTVS Diode Single Uni-Dir 11.1V 600W 2-Pin SMB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6527EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 23.1V 600W 2-Pin SMB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6527EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 23.1V 600W 2-Pin SMB
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6530EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 25.6V 600W 2-Pin SMB
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STU6530EIC SemiconductorTVS Diode Single Uni-Dir 25.6V 600W 2-Pin SMB
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STU6536EICTVS Diode Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin SMB
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6536EICTVS Diode Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin SMB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6536EICTVS Diode Single Uni-Dir 30.8V 600W 2-Pin SMB
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU656IEICTVS Diode Single Uni-Dir 5.8V 600W 2-Pin SMB
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU656IEICTVS Diode Single Uni-Dir 5.8V 600W 2-Pin SMB
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6575-P6KE75A
auf Bestellung 930 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU65B0-P6KE100A
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU65B2-P6KE120A
auf Bestellung 1275 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU65B8-P6KE180A
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU65D2-P6KE220A
auf Bestellung 6012 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU65D5-P6KE250A
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU65E0-P6KE300A
auf Bestellung 1310 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU65E5-P6KE350A
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU65G0-P6KE400A
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU65N3LLH5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30V 0.0061Ohm 65A pwr STripFET V
auf Bestellung 1902 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU65N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N CH 30V 65A IPAK
auf Bestellung 1435 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N60DM2STMicroelectronicsMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 274 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
auf Bestellung 903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.75 EUR
10+2.15 EUR
25+2.03 EUR
100+1.69 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.08 EUR
3000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 225 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 225 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N62K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
auf Bestellung 2970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.21 EUR
10+2.4 EUR
100+2.18 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
3000+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 875 pF @ 50 V
auf Bestellung 14990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.16 EUR
75+1.93 EUR
150+1.74 EUR
525+1.48 EUR
1050+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N62K3
Produktcode: 117517
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 5025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N65K3STMicroelectronics
auf Bestellung 85 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N65K3STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 650 V 1.1 Ohm 5.4 A SuperMESH3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N65K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
auf Bestellung 2899 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.17 EUR
10+1.61 EUR
100+1.3 EUR
500+1.04 EUR
1000+0.92 EUR
3000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N65M2-SSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 226 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N65M2-SSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
auf Bestellung 389 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.11 EUR
10+2.57 EUR
100+2.39 EUR
500+1.86 EUR
1000+1.68 EUR
3000+1.57 EUR
6000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N95K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5
Produkt ist nicht verfügbar
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STU6N95K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STU6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
77+3.03 EUR
100+2.74 EUR
500+2.65 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N95K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 950V 9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V
auf Bestellung 2173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.18 EUR
75+2.93 EUR
150+2.65 EUR
525+2.27 EUR
1050+2.11 EUR
2025+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6N95K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU6NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STU6NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 100V-0.22ohms 6A
auf Bestellung 584 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.83 EUR
10+1.74 EUR
100+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.77 EUR
3000+0.7 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STU6NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STU6NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.22 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STU6NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 2982 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.08 EUR
75+1.86 EUR
150+1.67 EUR
525+1.4 EUR
1050+1.29 EUR
2025+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STU70N2LH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 25V 48A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
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STU75N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
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STU75N3LLH6STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET N-CH 30V 75 A
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STU75N3LLH6-HSTMicroelectronicsMOSFET
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STU75N3LLH6-SSTMicroelectronicsMOSFET Short IPAK
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STU75N3LLH6-SSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 75A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 25 V
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STU75N3LLH6-S-HSTMicroelectronicsMOSFET
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STU7LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.46 EUR
75+2.55 EUR
150+2.3 EUR
525+1.95 EUR
1050+1.81 EUR
2025+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7LN80K5STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
auf Bestellung 2999 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STU7N105K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFETs in an IPAK package
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7N105K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
auf Bestellung 2807 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.06 EUR
75+2.87 EUR
150+2.61 EUR
525+2.23 EUR
1050+2.06 EUR
2025+1.94 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7N60DM2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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STU7N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.78 Ohm typ 6 A MDmesh DM2 Power MOSFET in an IPAK package
auf Bestellung 99 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.5 EUR
10+3.14 EUR
100+2.45 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.59 EUR
3000+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 271 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
auf Bestellung 2924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.75 EUR
10+2.39 EUR
100+1.61 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.17 EUR
3000+1.09 EUR
6000+1.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a IPAK package
auf Bestellung 1141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+2.51 EUR
100+1.68 EUR
500+1.54 EUR
3000+1.24 EUR
6000+1.21 EUR
9000+1.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STU7N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.98 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.7 EUR
84+2.78 EUR
107+2.01 EUR
500+1.84 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7N65M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7N65M6STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.91 Ohm typ 5 A MDmesh M6 Power MOSFET in an IPAK package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
auf Bestellung 1841 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.09 EUR
10+2.37 EUR
100+2.12 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.55 EUR
3000+1.42 EUR
6000+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7NA80
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STU7NB100ISTT0-220
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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