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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SIHU4N80E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N50D-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N50D-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHU5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 7980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
79+3.2 EUR
124+1.88 EUR
190+1.13 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.86 EUR
5000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N50D-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N50D-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Case: IPAK; TO251
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5Ω
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Gate-source voltage: ±30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N80AEVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N80AE-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO251AA
auf Bestellung 2570 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.39 EUR
10+2.15 EUR
50+1.62 EUR
100+1.44 EUR
500+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU5N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 100 V
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.33 EUR
10+1.58 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.05 EUR
3000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N62E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 620V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N62E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 620V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
auf Bestellung 2988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
auf Bestellung 2638 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N65E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHU6N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N80AE-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 800V IPAK (TO-251)
auf Bestellung 5276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N80AE-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.2A; Idm: 10A; 62.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 62.5W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 10A
Gate charge: 22.5nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N80E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N80E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 800V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU6N80E-GE3VishaySIHU6N80E-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK - Arrow.com
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.96 EUR
100+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU7N60E-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU7N60E-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU7N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU7N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
auf Bestellung 2240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.93 EUR
10+3.17 EUR
50+2.42 EUR
100+2.17 EUR
500+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU7N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHU7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 78W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.18 EUR
66+3.55 EUR
100+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHU7N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHUB-8Applied MotionMotor Drives CONTROLLER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW040N65E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 425 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.89 EUR
10+9.64 EUR
100+8.9 EUR
480+8.6 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW040N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.8 EUR
30+10.46 EUR
60+9.59 EUR
120+8.85 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW21N80AE-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO247 800V 17.4A N-CH MOSFET
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.66 EUR
10+7.66 EUR
100+5.63 EUR
480+5.01 EUR
960+4.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW21N80AE-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW22N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2415 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW22N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW23N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V 158mOhm@10V 23A N-Ch E-SRS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW23N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW30N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS
auf Bestellung 440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW30N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.66 EUR
10+9.26 EUR
100+7.09 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW33N60E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIHW33N60E-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-247AD-3
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 33
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 278
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.083
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW33N60E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
auf Bestellung 158 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.57 EUR
10+10.95 EUR
100+8.85 EUR
480+7.5 EUR
960+7.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW33N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3508 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
auf Bestellung 887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
auf Bestellung 1039 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.04 EUR
30+11.9 EUR
60+10.94 EUR
120+10.12 EUR
510+8.81 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 47A; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Case: TO247AD
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+16.3 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 379W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4854 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.37 EUR
10+14.07 EUR
50+11.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60EF-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW47N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHW47N65E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 650V 72mOhm@10V 47A N-Ch E-SRS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SiHW47N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 47A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5682 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW61N65EF-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-247AD
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.54 EUR
10+22.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW61N65EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 371 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7407 pF @ 100 V
auf Bestellung 480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.99 EUR
10+20.4 EUR
50+16.72 EUR
480+14.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW64N65E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 650V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW70N60EF-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW70N60EF-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SIHG
auf Bestellung 383 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+24.8 EUR
10+20.19 EUR
100+16.81 EUR
480+14.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW73N60E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 73A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 362 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SIHW73N60E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 480 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH