Produkte > IPB

Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 20 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 41  [ Nächste Seite >> ]
BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IPB80P04P4L08ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80P04P4L08ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB80P04P4L08ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 80 A, 6500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 75W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
auf Bestellung 2151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.27 EUR
103+2.08 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80P04P4L08ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 120µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1976 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.71 EUR
10+3.28 EUR
100+2.25 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80R290C3AInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80R290C3AInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 200V 84A D2PAK-2
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80R290C3AATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80R290C3AATMA1Infineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80R290C3AATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11 EUR
10+7.38 EUR
100+5.32 EUR
500+5.3 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80R290C3AATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
auf Bestellung 1156 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.65 EUR
10+7.94 EUR
100+5.78 EUR
500+5.21 EUR
1000+4.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80R290C3AATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB80R290C3AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.09 EUR
26+9.04 EUR
100+6.08 EUR
500+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80R290C3AATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80R290C3AATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB80R290C3AATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 947 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.08 EUR
500+5.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB80R290C3AATMA2Infineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N04S4-02Infineon
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N04S4-02Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 40V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 971 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.03 EUR
10+3.92 EUR
100+2.7 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.07 EUR
2000+1.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N04S402ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 150W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263AB
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 118nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 665 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.84 EUR
10+3.8 EUR
100+2.63 EUR
500+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N04S402ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 90A; 150W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Technology: MOSFET
Gate charge: 118nC
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N04S402ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9430 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S4-04Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S404ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S404ATMA1Infineon TechnologiesMOSFET N-CHANNEL_55/60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S404ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.12 EUR
90+2.59 EUR
100+2.25 EUR
500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1272 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
228+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S404ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB90N06S404ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS T2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 772 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S404ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.83 EUR
40+4.28 EUR
50+3.39 EUR
100+3.12 EUR
200+3.05 EUR
500+2.67 EUR
1000+2.43 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S4L-04Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 90A D2PAK-2 OptiMOS-T2
auf Bestellung 707 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S4L04ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.51 EUR
50+3.4 EUR
100+2.96 EUR
250+2.89 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S4L04ATMA2Infineon
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S4L04ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 1384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.25 EUR
54+4.37 EUR
100+2.81 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S4L04ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1365 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.59 EUR
10+3.63 EUR
100+2.51 EUR
500+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S4L04ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 90A D2PAK-2
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.88 EUR
10+3.56 EUR
100+2.53 EUR
500+2.15 EUR
1000+1.86 EUR
2000+1.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S4L04ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+3.44 EUR
50+3.27 EUR
100+2.81 EUR
250+2.67 EUR
500+2.23 EUR
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S4L04ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB90N06S4L04ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 90 A, 2700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-T2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1384 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.81 EUR
500+2.27 EUR
1000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90N06S4L04ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 900V 15A D2PAK-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3InfineonIPB90R340C3ATMA2 MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3Infineon technologies
auf Bestellung 80 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA1InfineonMOSFET N-CH 900V 15A D2PAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 15A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 900V 15A D2PAK-2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA1
Produktcode: 172820
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA1InfineonMOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 432 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.52 EUR
28+6.28 EUR
100+4.8 EUR
250+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA2Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_LEGACY
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.39 EUR
10+7.12 EUR
100+5.59 EUR
500+5.57 EUR
1000+4.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
auf Bestellung 1824 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.21 EUR
10+9.4 EUR
100+7.6 EUR
500+6.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB90R340C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.34 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
auf Bestellung 2599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+6.91 EUR
200+5.87 EUR
500+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+5.78 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA2Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 900V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB90R340C3ATMA2INFINEONDescription: INFINEON - IPB90R340C3ATMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 15 A, 0.34 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 208W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C3
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
auf Bestellung 2599 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.17 EUR
27+8.63 EUR
50+6.91 EUR
200+5.87 EUR
500+5.46 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB95R130PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 36.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB95R130PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.27 EUR
22+11 EUR
100+7.44 EUR
500+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB95R130PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 25.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 400 V
auf Bestellung 3089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.82 EUR
10+10.67 EUR
100+7.77 EUR
500+6.53 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB95R130PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 36.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB95R130PFD7ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPB95R130PFD7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 36.5 A, 0.13 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 871 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
16+16.27 EUR
22+11 EUR
100+7.44 EUR
500+6.51 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB95R130PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
auf Bestellung 961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.11 EUR
10+9.47 EUR
100+7.6 EUR
500+6.76 EUR
1000+5.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB95R130PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 25.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.25mA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 400 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+6.13 EUR
2000+5.8 EUR
3000+5.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB95R310PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1000+3.03 EUR
2000+2.84 EUR
3000+2.74 EUR
5000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB95R310PFD7ATMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 950V 17.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB95R310PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 1965 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.79 EUR
10+5.11 EUR
100+3.67 EUR
500+3.01 EUR
1000+2.78 EUR
2000+2.56 EUR
5000+2.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB95R310PFD7ATMA1
Produktcode: 206249
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB95R310PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: LOW POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 10.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 520µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 400 V
auf Bestellung 5444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.69 EUR
10+5.7 EUR
100+4 EUR
500+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB95R450PFD7ATMA1Infineon TechnologiesMOSFETs LOW POWER_NEW
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.28 EUR
10+4.11 EUR
100+2.89 EUR
500+2.49 EUR
1000+2.26 EUR
2000+2.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB95R450PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPB95R450PFD7ATMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 360µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.12 EUR
10+4.66 EUR
100+3.26 EUR
500+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBB13RSfera LabsI/O Modules Iono Pi Board RTC FCC Compliant
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBB13XSfera LabsI/O Modules Iono Pi Board
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBB20RSfera LabsPLC Controllers IONO PI BOARD RTC
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+269.34 EUR
10+251.39 EUR
25+247.85 EUR
50+220.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-DSAMTECDescription: SAMTEC - IPBD-02-D - Steckverbindergehäuse, IPBD, Buchse, 4 -polig, 4.19 mm
tariffCode: 39269097
Anzahl der Positionen: 4-polig
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 4.19mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 von Samtec
Produktpalette: IPBD
auf Bestellung 151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-DSamtecHeavy Duty Power Connectors .165 Power Mate Discrete Wire Socket Housing
auf Bestellung 2819 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
50+0.58 EUR
100+0.48 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-DSamtec Inc.Description: CONN RCPT HSG 4POS 4.20MM
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Number of Positions: 4
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Contact Termination: Crimp
Connector Type: Receptacle
Packaging: Bulk
Number of Rows: 2
Part Status: Active
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Fastening Type: Latch Lock
Contact Type: Female Socket
Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon
auf Bestellung 3652 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
18+1.18 EUR
25+1.06 EUR
50+0.98 EUR
100+0.9 EUR
250+0.81 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.7 EUR
2500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-D-KSamtec Inc.Description: CONN RCPT HSG 4POS 4.20MM
Packaging: Bulk
Features: Polarizing Key
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Part Status: Active
Number of Rows: 2
Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon
auf Bestellung 129257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
24+0.9 EUR
50+0.79 EUR
100+0.65 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.49 EUR
2000+0.45 EUR
5000+0.4 EUR
10000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-D-KSAMTECDescription: SAMTEC - IPBD-02-D-K - Steckverbindergehäuse, IPBD, Buchse, 4 -polig, 4.19 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 4-polig
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 4.19mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Zur Verwendung mit: Buchsenkontakte der Produktreihe CC69L/CC69R von Samtec
usEccn: EAR99
Produktpalette: IPBD
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-D-KSamtecHeavy Duty Power Connectors .165 Power Mate Discrete Wire Socket Housing
auf Bestellung 4612 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.92 EUR
50+0.8 EUR
100+0.67 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-D-K-MSamtec Inc.Description: CONN RCPT HSG 4POS 4.20MM
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 4
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon
Number of Rows: 2
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.08 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-D-K-MSamtecHeavy Duty Power Connectors .165 Power Mate Discrete Wire Socket Housing
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
50+2.51 EUR
100+2.15 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-D-K-MSamtec Inc.Description: CONN RCPT HSG 4POS 4.20MM
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Packaging: Bulk
Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon
Number of Rows: 2
Part Status: Active
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Fastening Type: Latch Lock
Contact Type: Female Socket
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Number of Positions: 4
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Contact Termination: Crimp
Connector Type: Receptacle
auf Bestellung 16 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-SSamtecHeavy Duty Power Connectors .165 Power Mate Discrete Wire Socket Housing
auf Bestellung 2421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
50+0.58 EUR
100+0.48 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.38 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-SSAMTECDescription: SAMTEC - IPBD-02-S - Steckverbindergehäuse, eine Reihe, IPBD, Buchse, 2 -polig, 4.19 mm
tariffCode: 85366990
Anzahl der Positionen: 2-polig
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 4.19mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69
Produktpalette: IPBD
auf Bestellung 5448 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+0.89 EUR
381+0.61 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-SSamtec Inc.Description: CONN RCPT HSG 2POS 4.20MM
Number of Rows: 1
Part Status: Active
Fastening Type: Latch Lock
Contact Type: Female Socket
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Number of Positions: 2
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Contact Termination: Crimp
Connector Type: Receptacle
Packaging: Bulk
Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon
auf Bestellung 1218 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.55 EUR
18+1.18 EUR
25+1.06 EUR
50+0.98 EUR
100+0.9 EUR
250+0.81 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-S-KSAMTECDescription: SAMTEC - IPBD-02-S-K - Steckverbindergehäuse, IPBD, Buchse, 2 -polig, 4.19 mm
tariffCode: 39269097
Anzahl der Positionen: 2-polig
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
rohsCompliant: YES
Rastermaß: 4.19mm
Ausführung: Buchse
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zur Verwendung mit: Crimpbare Buchsenkontakte der Produktreihe CC69 von Samtec
Produktpalette: IPBD
auf Bestellung 511 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
233+1.08 EUR
308+0.75 EUR
335+0.64 EUR
500+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 233 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-S-KSamtec Inc.Description: CONN RCPT HSG 2POS 4.20MM
Number of Positions: 2
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Contact Termination: Crimp
Connector Type: Receptacle
Features: Polarizing Key
Packaging: Bulk
Number of Rows: 1
Part Status: Active
Fastening Type: Latch Lock
Contact Type: Female Socket
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon
auf Bestellung 6222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+1.93 EUR
15+1.46 EUR
25+1.31 EUR
50+1.21 EUR
100+1.12 EUR
250+1.01 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.87 EUR
2500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-S-KSamtecHeavy Duty Power Connectors 4.19MM POWER MATE DISCRETE HSG
auf Bestellung 13693 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
50+0.69 EUR
100+0.57 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.48 EUR
2000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-S-K-MSamtec Inc.Description: .165" POWER MATE DISCRETE WIRE S
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon
Number of Rows: 1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-S-K-MSamtecHeavy Duty Power Connectors .165 Power Mate Discrete Wire Socket Housing
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.81 EUR
50+2.51 EUR
100+2.15 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-S-K-MSamtecConn Housing 2 POS 4.19mm Crimp ST Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IPBD-02-S-K-MSamtec Inc.Description: .165" POWER MATE DISCRETE WIRE S
Features: Pick and Place, Polarizing Key
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle
Contact Termination: Crimp
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Number of Positions: 2
Pitch: 0.165" (4.20mm)
Contact Type: Female Socket
Fastening Type: Latch Lock
Row Spacing: 0.165" (4.20mm)
Insulation Material: Polyamide (PA), Nylon
Number of Rows: 1
auf Bestellung 27 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.7 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Wählen Sie Seite:   [  << Vorherige Seite ]  1 4 8 12 16 20 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 40 41  [ Nächste Seite >> ]