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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IXTT75N20L2IXYSMOSFET MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT80N20LIXYSMOSFETs Standard Linear Power MOSFETs
auf Bestellung 2978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+39.22 EUR
10+27.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT80N20LLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT80N20L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 80 A, 0.032 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Linear Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 376 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+50.93 EUR
6+44.23 EUR
10+38 EUR
50+35.15 EUR
100+32.32 EUR
250+29.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT80N20LIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 80A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V
auf Bestellung 915 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+38.5 EUR
30+24.38 EUR
120+22.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT82N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 82A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20.06 EUR
30+12.73 EUR
120+11.32 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT82N25PIXYSMOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds
auf Bestellung 185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+20.94 EUR
10+20.34 EUR
30+13.26 EUR
120+12.44 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT88N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 88A TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT88N30PIXYSMOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.41 EUR
10+22.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT88N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.71 EUR
30+18.2 EUR
120+15.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT88N30PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO268
Power dissipation: 600W
Gate charge: 180nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 88A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: SMD
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+19.62 EUR
6+16.78 EUR
10+15.72 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT88N30PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT88N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 88
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 600
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 600
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Produktreihe PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT8P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT8P50IXYSMOSFET -8 Amps -500V 1.2 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT8P50IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 8A TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT90P10PIXYSMOSFETs -90.0 Amps -100V 0.250 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT90P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT90P10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
auf Bestellung 212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.13 EUR
30+19.81 EUR
120+17.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT90P10PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT90P10P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTT90P10P. - MOSFET, P-CH, 100V, 90A, TO-268
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 462W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
7+39.28 EUR
8+33 EUR
10+27.23 EUR
25+23.99 EUR
100+20.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT96N15PIXYSMOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT96N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 96A 3-Pin(2+Tab) TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT96N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 96A TO268
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
auf Bestellung 219 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.48 EUR
30+12.36 EUR
120+11.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT96N20PIXYSMOSFETs 96 Amps 200V 0.024 Rds
auf Bestellung 304 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.68 EUR
10+19.43 EUR
30+12.57 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT96N20PIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 96A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT96N20P-TRLIXYSDiscrete Semiconductor Modules IXTT96N20P TRL
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTT96N20P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 96A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 48A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU01N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 0.1A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU01N100IXYSMOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
auf Bestellung 353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.71 EUR
10+4.82 EUR
25+4.55 EUR
70+3.89 EUR
280+3.69 EUR
560+3.47 EUR
1050+2.95 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU01N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 100MA TO251
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU01N100DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU01N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 400MA TO251
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU01N100DIXYS09+
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU01N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 100MA TO251
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU01N80IXYSMOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU02N50DIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 200MA TO251
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 50mA, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
auf Bestellung 356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.4 EUR
70+2.52 EUR
140+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU02N50DLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-251AA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU02N50DIXYSMOSFETs 0.2 Amps 500V 30 Rds
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.27 EUR
10+3.01 EUR
70+2.49 EUR
280+2.28 EUR
560+2.07 EUR
5040+1.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU05N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 750MA TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 375mA, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU05N100IXYSMOSFETs 0.5 Amps 1000V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU05N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU06N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 600MA TO251
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU08N100PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU12N06TIXYSMOSFET 12 Amps 6V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU12N06TIXYSDescription: MOSFET N-CH 60V 12A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU1R4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU2N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH TO-251
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU44N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TO251
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 25µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH TO251
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU4N60PIXYSMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU4N70X2IXYSMOSFETs TO251 700V 4A N-CH X2CLASS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTU4N70X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 8A; 80W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 80W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11.8nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 68 Stücke:
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27+3.17 EUR
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34+2.52 EUR
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IXTU4N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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IXTU50N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 50A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTU55N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 55A TO-251
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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IXTU5N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 4.8A TO252
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IXTU64N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 64A TO-251
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 Mindestbestellmenge: 75 Stücke
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IXTU8N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 8A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V
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IXTU8N70X2IXYSMOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
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 Mindestbestellmenge: 350 Stücke
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IXTV02N250SIXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 200MA PLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: PLUS-220SMD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS-220SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 116 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTV03N400SIXYSDescription: MOSFET N-CH 4000V 300MA PLUS220
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLUS-220SMD
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS-220SMD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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IXTV102N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 102A PLUS220
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IXTV102N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 102A PLUS220
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IXTV110N25TSIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD
Packaging: Tube
Package / Case: PLUS-220SMD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS-220SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTV120N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 120A PLUS220
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IXTV130N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A PLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Supplier Device Package: PLUS220
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
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IXTV18N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLUS220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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IXTV18N60PSIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 18A PLUS-220SMD
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLUS-220SMD
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLUS-220SMD
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
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IXTV200N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
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IXTV200N10TSIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD
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IXTV22N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V
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IXTV22N50PSIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 22A PLUS-220SMD
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLUS-220SMD
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLUS-220SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV22N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLUS220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV22N60PSIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 22A PLUS-220SMD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLUS-220SMD
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLUS-220SMD
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV230N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 230A PLUS220
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IXTV230N085TSIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 230A PLUS-220SMD
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IXTV250N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 250A PLUS220
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IXTV250N075TSIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 250A PLUS-220SMD
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IXTV26000VVB
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IXTV26N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A PLUS220
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLUS220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV26N50PSIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 26A PLUS-220SMD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLUS-220SMD
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLUS-220SMD
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV26N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV26N60PSIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A PLUS-220SMD
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLUS-220SMD
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLUS-220SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV280N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 280A PLUS220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV280N055TSIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 280A PLUS-220SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV30N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A PLUS220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV30N50PSIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A PLUS-220SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV30N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV30N60PSIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A PLUS-220SMD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS-220SMD
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PLUS-220SMD
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV36N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV36N50PSIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 36A PLUS-220SMD
Packaging: Tube
Package / Case: PLUS-220SMD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS-220SMD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV60N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 60A PLUS220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3, Short Tab
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Supplier Device Package: PLUS220
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV72N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 72A PLUS220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV96N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 96A PLUS220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV98N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 98A PLUS220
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTV98N20TIXYSMOSFET 98 Amps 200V 26 Rds
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX102N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 102A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 51A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
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IXTX102N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 102A; 1040W; PLUS247™; 450ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 450ns
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 102A
Drain-source voltage: 650V
Power dissipation: 1.04kW
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IXTX102N65X2IXYSMOSFETs PLUS247 650V 102A N-CH X2CLASS
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IXTX102N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 102A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTX110N20L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
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