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NTMTSC4D3N15MC

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 174A; Idm: 900A; 293W; TDFNW8
Power dissipation: 293W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TDFNW8
Gate charge: 79nC
On-state resistance: 4.45mΩ
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Polarisation: unipolar

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC4D3N15MC

Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 293W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: TDFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.47 EUR
24+	9.94 EUR
100+	6.72 EUR
500+	5.95 EUR
1000+	5.83 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC4D3N15MC

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 22A 8-Pin TDFNW EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC4D3N15MC

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V

auf Bestellung 145 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	14.14 EUR
10+	9.56 EUR
100+	6.97 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC4D3N15MC

Description: ONSEMI - NTMTSC4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 174 A, 0.0034 ohm, TDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 174A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 293W
Bauform - Transistor: TDFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

17+	15.47 EUR
24+	9.94 EUR
100+	6.72 EUR
500+	5.95 EUR
1000+	5.83 EUR

Mindestbestellmenge: 17 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC4D3N15MC

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 174A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 293W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC4D3N15MC

MOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL COOL FOR INDUSTRIAL

auf Bestellung 41 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	14.49 EUR
10+	9.78 EUR
100+	8.16 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMTSC4D3N15MC

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 150V 22A 8-Pin TDFNW EP T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS003N08LHTWG

Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm

auf Bestellung 2920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

45+	5.62 EUR
54+	4.34 EUR
100+	3.11 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 45 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS003N08LHTWG

MOSFETs Power MOSFET 80 V, 132 A, 3.3mohm Single N-Channel

auf Bestellung 2595 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.94 EUR
10+	3.81 EUR
100+	2.75 EUR
500+	2.56 EUR
1000+	2.51 EUR
3000+	2.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS003N08LHTWG

Description: ONSEMI - NTMYS003N08LHTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 132 A, 3300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 132A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 137W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm

auf Bestellung 2920 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.11 EUR
500+	2.59 EUR
1000+	2.4 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS006N08LHTWG

Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS006N08LHTWG

Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS006N08LHTWG

MOSFETs T8 80V LL LFPAK

auf Bestellung 1454 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	6.22 EUR
10+	5.78 EUR
100+	4.19 EUR
500+	3.5 EUR
1000+	3.25 EUR
3000+	2.01 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS008N08LHTWG

Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS008N08LHTWG

MOSFET Power MOSFET 80 V, 59A, 8.8mohm Single N-Channel

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 115-119 Tag (e)

1+	4.16 EUR
10+	3.47 EUR
100+	2.76 EUR
250+	2.56 EUR
500+	2.32 EUR
1000+	2.09 EUR
3000+	1.82 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS008N08LHTWG

Description: T8 80V LL LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 73W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS010N04CLTWG

MOSFETs T6 40V LL LFPAK

auf Bestellung 2995 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.11 EUR
3000+	1.48 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS010N04CLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/38A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS010N04CLTWG

Description: ONSEMI - NTMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	4.75 EUR
75+	3.11 EUR
119+	1.81 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS010N04CLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 14A/38A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS010N04CLTWG

Description: ONSEMI - NTMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 28W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.11 EUR
119+	1.81 EUR
500+	1.38 EUR
1000+	1.34 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS011N04C

T6 40V SL LFPAK

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS011N04CTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V

auf Bestellung 1532 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.32 EUR
10+	3.44 EUR
100+	2.37 EUR
500+	1.9 EUR
1000+	1.81 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS011N04CTWG

Description: ONSEMI - NTMYS011N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 0.012 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2403 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.81 EUR
123+	1.75 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS011N04CTWG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

448+	1.45 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 448 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS011N04CTWG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS011N04CTWG

MOSFETs 40V 12 mOhm 35A Single N-Channel

auf Bestellung 1109 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.69 EUR
10+	3 EUR
100+	1.96 EUR
500+	1.56 EUR
1000+	1.38 EUR
3000+	0.95 EUR
6000+	0.93 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS011N04CTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS011N04CTWG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

auf Bestellung 2880 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

448+	1.45 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.17 EUR

Mindestbestellmenge: 448 Stücke

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NTMYS011N04CTWG

Description: ONSEMI - NTMYS011N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 35 A, 0.012 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2403 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

67+	3.75 EUR
83+	2.81 EUR
123+	1.75 EUR
500+	1.43 EUR
1000+	1.3 EUR

Mindestbestellmenge: 67 Stücke

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NTMYS011N04CTWG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 13A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS013N08LHTWG

Description: T8 80V LL LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.38 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS013N08LHTWG

Description: T8 80V LL LFPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS013N08LHTWG

MOSFETs T8 80V LL LFPAK

auf Bestellung 2950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.65 EUR
10+	5.07 EUR
100+	3.75 EUR
500+	3.06 EUR
1000+	2.83 EUR
3000+	1.77 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS014N06CLTWG

Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 5813 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.37 EUR
146+	1.46 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.99 EUR
5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS014N06CLTWG

Description: MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V

auf Bestellung 5580 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.64 EUR
10+	2.31 EUR
100+	1.56 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS014N06CLTWG

MOSFETs 60V 42A 14.5Ohm Single N-Channel

auf Bestellung 2855 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.56 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.21 EUR
1000+	1.11 EUR
3000+	0.99 EUR

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NTMYS014N06CLTWG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37A; Idm: 185A; 12W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 37A
Pulsed drain current: 185A
Power dissipation: 12W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS014N06CLTWG

Description: MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS014N06CLTWG

Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 5813 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	4 EUR
99+	2.37 EUR
146+	1.46 EUR
500+	1.07 EUR
1000+	0.99 EUR
5000+	0.92 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS020N08LHTWG

MOSFETs T8 80V LL LFPAK

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.84 EUR
10+	4.57 EUR
100+	3.28 EUR
500+	2.75 EUR
1000+	2.37 EUR
3000+	1.58 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS020N08LHTWG

Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 623 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS020N08LHTWG

Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 623 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS021N06CLTWG

Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS021N06CLTWG

Description: ONSEMI - NTMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.018 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS021N06CLTWG

MOSFETs 60V 26A 21Ohm

auf Bestellung 837 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.25 EUR
10+	2.07 EUR
100+	1.39 EUR
500+	1.09 EUR
1000+	1.04 EUR
3000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS021N06CLTWG

Description: MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 16µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 25 V

auf Bestellung 955 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.19 EUR
11+	2.02 EUR
100+	1.36 EUR
500+	1.08 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS021N06CLTWG

Description: ONSEMI - NTMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.018 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)

auf Bestellung 14 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 14 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS025N06CLTWG

Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1619 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.53 EUR
138+	1.56 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS025N06CLTWG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; Idm: 103A; 7.6W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 103A
Power dissipation: 7.6W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 27.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS025N06CLTWG

MOSFETs 60V 27.5 mOhm 21A Single N-Channel

auf Bestellung 2368 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.56 EUR
10+	2.26 EUR
100+	1.52 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.14 EUR
3000+	0.9 EUR
6000+	0.88 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS025N06CLTWG

Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS025N06CLTWG

Description: ONSEMI - NTMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0229 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0229ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 1619 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

59+	4.25 EUR
92+	2.53 EUR
138+	1.56 EUR
500+	1.24 EUR
1000+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 59 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS025N06CLTWG

Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS029N08LHTWG

Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS029N08LHTWG

Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V

Produkt ist nicht verfügbar

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NTMYS029N08LHTWG

MOSFETs T8 80V LL LFPAK

auf Bestellung 2346 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.15 EUR
10+	3.31 EUR
100+	2.26 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.69 EUR
3000+	1.59 EUR
6000+	1.51 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS1D2N04CLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 258A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6330 pF @ 20 V

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NTMYS1D2N04CLTWG

ON Semiconductor

auf Bestellung 2965 Stücke:

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NTMYS1D2N04CLTWG

MOSFETs T6 40V LL LFPAK

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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10+	3.47 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.95 EUR
1000+	1.8 EUR
3000+	1.74 EUR
6000+	1.68 EUR

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NTMYS1D2N04CLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 258A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6330 pF @ 20 V

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NTMYS1D2N04CLTWG

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 258A; Idm: 900A; 67W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 258A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 67W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NTMYS2D1N04CLTWG

auf Bestellung 2930 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS2D1N04CLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 258A
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 132A (Tc)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	4.14 EUR
10+	2.67 EUR
100+	1.81 EUR
500+	1.45 EUR
1000+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS2D1N04CLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 258A
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 132A (Tc)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.18 EUR
6000+	1.14 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NTMYS2D2N06CLTWG

MOSFETs TRENCH 6 40V SL NFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.71 EUR
10+	4.19 EUR
100+	3.17 EUR
500+	2.64 EUR
1000+	2.39 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS2D2N06CLTWG

Description: MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS2D2N06CLTWG

Description: MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V

auf Bestellung 2997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.34 EUR
10+	4.47 EUR
100+	3.62 EUR
500+	3.22 EUR
1000+	2.76 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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NTMYS2D4N04CTWG

Description: ONSEMI - NTMYS2D4N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 138 A, 2300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2566 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.86 EUR
135+	1.59 EUR
500+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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NTMYS2D4N04CTWG

MOSFETs 40V 140A 2.3Ohm Single N-Channel

auf Bestellung 2935 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.44 EUR
10+	2.93 EUR
100+	2 EUR
500+	1.64 EUR
1000+	1.54 EUR
3000+	1.32 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS2D4N04CTWG

Description: ONSEMI - NTMYS2D4N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 138 A, 2300 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 138A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2566 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	4.88 EUR
82+	2.86 EUR
135+	1.59 EUR
500+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS3D3N06CLTWG

MOSFETs 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	5.21 EUR
10+	3.88 EUR
100+	2.7 EUR
500+	2.31 EUR
1000+	2.26 EUR
3000+	2 EUR
6000+	1.95 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS3D3N06CLTWG

Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS3D3N06CLTWG

Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V

auf Bestellung 1485 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	6.06 EUR
10+	3.94 EUR
100+	2.74 EUR
500+	2.23 EUR
1000+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS3D5N04CTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.5 EUR
10+	3.07 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.82 EUR
1000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS3D5N04CTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.71 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS3D5N04CTWG

MOSFETs TRENCH 6 40V SL NFET

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.66 EUR
10+	3.28 EUR
100+	2.39 EUR
500+	1.98 EUR
1000+	1.93 EUR
3000+	1.67 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS3D8N04CLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/87A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

auf Bestellung 5980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.75 EUR
10+	2.39 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.29 EUR
1000+	1.21 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS3D8N04CLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 22A/87A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.05 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS4D1N06CLTWG

ON Semiconductor

auf Bestellung 2990 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS4D5N04CTWG

MOSFETs T6 40V SL LFPAK

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	3.01 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.77 EUR
500+	1.62 EUR
1000+	1.56 EUR
3000+	1.3 EUR
6000+	1.19 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS4D6N04CLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS4D6N04CLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 78A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

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NTMYS5D3N04CTWG

MOSFETs 40V 5.3 mOhm 71A Single N-Channel

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NTMYS5D3N04CTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V

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NTMYS5D3N04CTWG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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NTMYS5D3N04CTWG

Description: ONSEMI - NTMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 0.0044 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

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NTMYS5D3N04CTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 19A/71A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V

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NTMYS5D3N04CTWG

ON Semiconductor

Trans MOSFET N-CH 40V 19A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R

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NTMYS5D3N04CTWG

Description: ONSEMI - NTMYS5D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 71 A, 0.0044 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 50W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0044ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 28 Stücke:

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NTMYS6D2N06CLTWG

Description: MOSFET N-CH 60V 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

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NTMYS6D2N06CLTWG

MOSFETs T6 60V LL LFPAK

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NTMYS6D2N06CLTWG

Description: MOSFET N-CH 60V 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 71A (Tc)
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V

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10+	3.31 EUR
100+	2.63 EUR
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NTMYS7D3N04CLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V

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10+	2.75 EUR
100+	1.87 EUR
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1000+	1.37 EUR

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NTMYS7D3N04CLTWG

MOSFETs 40V 7.3 mOhm 52A Single N-Channel

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1+	3.56 EUR
10+	2.78 EUR
25+	2.75 EUR
100+	1.99 EUR
500+	1.63 EUR
1000+	1.56 EUR

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NTMYS7D3N04CLTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 17A/52A 4LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 52A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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NTMYS8D0N04CTWG

Description: ONSEMI - NTMYS8D0N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 49 A, 8100 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 38W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0067ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8100µohm

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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1000+	0.95 EUR

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NTMYS8D0N04CTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

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10+	2.74 EUR
100+	1.86 EUR
500+	1.48 EUR
1000+	1.36 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

NTMYS8D0N04CTWG

Description: MOSFET N-CH 40V 16A/49A 4LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	1.44 EUR
6000+	1.23 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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