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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS43DR81280B-3DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 450 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 333 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-3DBL-TRISSIDRAM 1G (128Mx8) 333MHz DDR2 1.8v
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-3DBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 450 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 333 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 450 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 333 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-3DBLIISSIDRAM 1G (128Mx8) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-3DBLI-TRISSIDRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz a.CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-3DBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 450 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 333 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-25DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 400 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.43 EUR
10+7.47 EUR
25+7.13 EUR
40+6.96 EUR
80+6.71 EUR
242+6.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-25DBLISSIДинамічна енергозалежна пам'ять SDRAM DDR2, Uживл, В = 1,7...1,9, Об'єм RAM = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128М х 8, Тдост/Частота = 15 нс, Тексп, °C = 0...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-60 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 242 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-25DBLISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx8
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.81 EUR
10+9.81 EUR
100+8.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-25DBL-TRISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-25DBLIISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx8, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-25DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 400 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-25DBLI-TRISSIDRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.51 EUR
10+11.39 EUR
25+11.19 EUR
50+11.1 EUR
100+9.97 EUR
250+9.92 EUR
500+9.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-3DBLISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx8
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-3DBL-TRISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-3DBLIISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx8, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 450 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 333 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-3DBLI-TRISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx8, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280D-25DBLIISSIDRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz a.CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560B-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IIC DDR2 2G 333MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBLINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR82560C-25DBL - DRAM, 400MHZ, 2GBIT, BGA-60
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 2Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8bit
directShipCharge: 25
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+52.32 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBLISSIDRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.11 EUR
10+16.67 EUR
25+14.6 EUR
242+14.14 EUR
484+13.45 EUR
968+12.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBL-TRISSIDRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBLIISSIDRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.33 EUR
10+29.07 EUR
25+28.16 EUR
50+27.48 EUR
242+25.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBLI-TRISSIDRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 400Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-3DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 333 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 450 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-3DBLISSIDRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.64 EUR
10+17.17 EUR
25+16.8 EUR
50+16.73 EUR
100+15.02 EUR
242+14.58 EUR
484+13.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-3DBL-TRISSIDRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-3DBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 333 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 450 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256M x 8
Access Time: 450 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 333 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 2Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-3DBLIISSIDRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.21 EUR
10+34.37 EUR
50+34.34 EUR
242+24.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-3DBLI-TRISSIDRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-3DBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 333 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 450 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR83200A-37CBI-TRISSIDRAM 256M, 1.8V, DDR2, 32Mx8, 267Mhz @ CL4, 60 ball BGA (8mmx10.5mm), IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR83200A-37CBLIISSIDRAM 256M, 1.8V, 266Mhz 32Mx8 DDR2 DRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR83200A-3DBLIISSIDRAM 256M (32Mx8) 333MHz DDR2 1.8v
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-25DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-25DBLISSIDRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-25DBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-25DBL-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz a. CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-25DBLIISSIDRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.98 EUR
10+25.03 EUR
25+24.25 EUR
50+23.1 EUR
100+22.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-25DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-25DBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-25DBLI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBIISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz DDR2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz DDR2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBLISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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IS43DR86400C-3DBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA
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IS43DR86400C-3DBL-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2
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IS43DR86400C-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA
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IS43DR86400C-3DBLIISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
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1+26.95 EUR
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IS43DR86400C-3DBLI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2
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IS43DR86400C-3DBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA
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IS43DR86400D-25DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400D-25DBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR86400D-25DBLI - DRAM, 64M x 8 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-60
DRAM-Ausführung: DDR2
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 512
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 400
Versorgungsspannung, nom.: 1.8
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 400
Anzahl der Pins: 60
Produktpalette: IS43DR
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 8 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IS43DR86400D-25DBLIISSIDRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2
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1+13.53 EUR
10+12.44 EUR
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50+12.17 EUR
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242+10.95 EUR
484+10.69 EUR
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IS43DR86400D-25DBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
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IS43DR86400D-25DBLI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz a. CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IS43DR86400D-3DBIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512MB 333MHZ CL5 60BGA
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 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400D-3DBIISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2
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IS43DR86400D-3DBI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512MB 333MHZ CL5 60BGA
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IS43DR86400D-3DBI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2
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IS43DR86400D-3DBLISSIDRAM 512M, 1.8V 64Mx8 DDR2
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IS43DR86400D-3DBL-TRISSIDRAM 512M, 1.8V 64Mx8 DDR2
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IS43DR86400D-3DBLIISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2
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IS43DR86400D-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
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IS43DR86400D-3DBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA
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IS43DR86400D-3DBLI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-25DBLISSIDRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
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1+12.95 EUR
10+12.04 EUR
25+11.69 EUR
50+11.14 EUR
100+10.86 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-25DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Memory Organization: 64M x 8
Access Time: 400 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 380 Stücke:
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5+4.69 EUR
10+4.25 EUR
25+4.16 EUR
40+4.14 EUR
80+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IS43DR86400E-25DBL-TRISSIDRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
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IS43DR86400E-25DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA
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IS43DR86400E-25DBLIISSIDRAM 512M 64Mx8 400MHz DDR2 1.8V
auf Bestellung 498 Stücke:
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1+14.09 EUR
10+13.14 EUR
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50+12.15 EUR
100+11.85 EUR
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IS43DR86400E-25DBLI-TRISSIDRAM 512M, 18V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz a. CL5, 60 ball BGA (8mmx105mm) RoHS, IT, T&R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-3DBLISSIDRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
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1+12.95 EUR
10+12.04 EUR
25+11.69 EUR
50+11.14 EUR
100+10.86 EUR
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IS43DR86400E-3DBL-TRISSIDRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-3DBLIISSIDRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT
auf Bestellung 289 Stücke:
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1+11.38 EUR
10+10.6 EUR
25+10.28 EUR
50+10.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 333 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 450 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.71 EUR
10+10.89 EUR
25+10.57 EUR
50+10.32 EUR
242+9.76 EUR
484+9.51 EUR
726+9.38 EUR
1210+9.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-3DBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR86400E-3DBLI - DRAM, 333MHZ, 512MBIT, BGA-60
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 333MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8bit
directShipCharge: 25
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.22 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400E-3DBLI-TRISSIDRAM 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128B-18BLISSIDRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 128Mx16
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128B-18BL-TRISSIDRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 128Mx16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128B-18BLIISSIDRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 128Mx16 IT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128B-18BLI-TRISSIDRAM LPDDR2 2Gb 533MHz 128Mx16 IT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128B-25BLISSIDRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128B-25BL-TRISSIDRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128B-25BLIISSIDRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16 IT
auf Bestellung 444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.45 EUR
10+24.5 EUR
25+23.95 EUR
50+23.81 EUR
100+22.21 EUR
171+20.04 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128B-25BLI-TRISSIDRAM LPDDR2 2Gb 400MHz 128Mx16 IT
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128C-18BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 134TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 134-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Clock Frequency: 533 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: HSUL_12
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 128M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+22.51 EUR
10+20.9 EUR
25+20.24 EUR
40+19.91 EUR
171+18.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16128C-18BLIINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43LD16128C-18BLI - DRAM, Mobile LPDDR2 S4, 2 Gbit, 128M x 16 Bit, 533 MHz, BGA, 134 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR2 S4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 2Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.2V
Taktfrequenz, max.: 533MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 134Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 128M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
14+17.01 EUR
25+15.68 EUR
50+15.48 EUR
100+15.45 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16160B-25BLIISSIDRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 171 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43LD16160B-25BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 134TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 134-TFBGA (10x11.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 134-TFBGA
Packaging: Tray
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.32 EUR
10+7.72 EUR
25+7.49 EUR
40+7.37 EUR
171+7 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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