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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IS43DR16640C-25DBLI-TRISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT
auf Bestellung 924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.22 EUR
10+10.22 EUR
25+9.78 EUR
50+9.59 EUR
100+8.95 EUR
250+8.92 EUR
500+8.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR16640C-25DBLI-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 400MHz; 12.5ns; TWBGA84
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 12.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 400MHz
Memory: 1Gb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8Mx16bitx8
Kind of package: reel; tape
Case: TWBGA84
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR16640C-25DBLI-TRINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR16640C-25DBLI-TR - DRAM, 64M x 16 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-84
tariffCode: 85423290
DRAM-Ausführung: DDR2
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 1Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
auf Bestellung 1296 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+20.84 EUR
13+18 EUR
25+16.12 EUR
50+15.72 EUR
100+15.37 EUR
250+14.89 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR16640C-3DBIISSIDRAM 1G 64Mx16 333MHz DDR2 1.8V
auf Bestellung 194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR16640C-3DBI-TRISSIDRAM 1G 64Mx16 333MHz DDR2 1.8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR16640C-3DBLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 333MHz; 15ns; TWBGA84; 0÷85°C
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 15ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: 0...85°C
Clock frequency: 333MHz
Memory: 1Gb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8Mx16bitx8
Kind of package: in-tray; tube
Case: TWBGA84
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR16640C-3DBLISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16
auf Bestellung 1929 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.81 EUR
10+7.08 EUR
25+6.89 EUR
100+6.53 EUR
209+6.18 EUR
418+5.93 EUR
1045+5.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR16640C-3DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64M x 16
Access Time: 450 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 84-TWBGA (8x12.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 333 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 84-TFBGA
Packaging: Tray
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.8 EUR
10+13.77 EUR
25+13.35 EUR
50+13.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR16640C-3DBL-TRISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR16640C-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 84-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 333 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 84-TWBGA (8x12.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 450 ps
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.29 EUR
10+10.32 EUR
25+10.12 EUR
40+10.04 EUR
209+9.01 EUR
418+8.98 EUR
627+8.41 EUR
1045+8.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR16640C-3DBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR16640C-3DBLI - DRAM, 333MHZ, 1GBIT, WBGA-84
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: WBGA
Speicherdichte: 1Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 333MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 84Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 16bit
directShipCharge: 25
auf Bestellung 209 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.59 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR16640C-3DBLIISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16, IT
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+11.16 EUR
10+10.2 EUR
25+10 EUR
100+8.9 EUR
209+8.85 EUR
418+8.29 EUR
1045+7.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR16640C-3DBLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 333MHz; 15ns; TWBGA84
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 15ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 333MHz
Memory: 1Gb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8Mx16bitx8
Kind of package: in-tray; tube
Case: TWBGA84
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR16640C-3DBLI-TRISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR16640C-3DBLI-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx16bitx8; 333MHz; 15ns; TWBGA84
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Mounting: SMD
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Access time: 15ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Operating temperature: -40...85°C
Clock frequency: 333MHz
Memory: 1Gb DRAM
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 8Mx16bitx8
Kind of package: reel; tape
Case: TWBGA84
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR16640D-25DBLISSI 1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.62 EUR
10+5.99 EUR
100+5.24 EUR
209+5.21 EUR
418+5.02 EUR
1045+4.77 EUR
2508+4.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR32160C-3DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IS43DR32160C - 16MX32, 512MB DDR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR32801A-5BBLISSIDRAM 256M (8Mx32) 200MHz DDR2 1.8v
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280A-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60TWBGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-25DBLISSIDRAM 1G (128Mx8) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-25DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 1GB 400MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-25DBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 1GB 400MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-25DBL-TRISSIDRAM 1G (128Mx8) 400MHz DDR2 1.8v
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-25DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 1GB 400MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-25DBLIISSIDRAM 1G (128Mx8) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+33.7 EUR
10+31.25 EUR
25+30.26 EUR
50+28.85 EUR
100+28.11 EUR
242+18.35 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-25DBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 1GB 400MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-25DBLI-TRISSIDRAM 1G (128Mx8) 400MHz DDR2 1.8v
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-3DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 450 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 333 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-3DBLISSIDRAM 1G (128Mx8) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-3DBL-TRISSIDRAM 1G (128Mx8) 333MHz DDR2 1.8v
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-3DBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 450 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 333 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 450 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 333 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-3DBLIISSIDRAM 1G (128Mx8) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-3DBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 450 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 333 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280B-3DBLI-TRISSIDRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz a.CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-25DBLISSIДинамічна енергозалежна пам'ять SDRAM DDR2, Uживл, В = 1,7...1,9, Об'єм RAM = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128М х 8, Тдост/Частота = 15 нс, Тексп, °C = 0...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-60 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 242 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-25DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 400 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.43 EUR
10+7.47 EUR
25+7.13 EUR
40+6.96 EUR
80+6.71 EUR
242+6.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-25DBLISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx8
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.81 EUR
10+9.81 EUR
100+8.54 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-25DBL-TRISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-25DBLIISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx8, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-25DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 400 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 400 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 6 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-25DBLI-TRISSIDRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R
auf Bestellung 2150 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.51 EUR
10+11.39 EUR
25+11.19 EUR
50+11.1 EUR
100+9.97 EUR
250+9.92 EUR
500+9.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-3DBLISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx8
auf Bestellung 229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-3DBL-TRISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx8
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-3DBLIISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx8, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 450 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 333 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280C-3DBLI-TRISSIDRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx8, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR81280D-25DBLIISSIDRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz a.CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560B-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IIC DDR2 2G 333MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBLISSIDRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.11 EUR
10+16.67 EUR
25+14.6 EUR
242+14.14 EUR
484+13.45 EUR
968+12.96 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBLINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR82560C-25DBL - DRAM, 400MHZ, 2GBIT, BGA-60
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 2Gbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 400MHz
Betriebstemperatur, min.: 0°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 256M x 8bit
directShipCharge: 25
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+48.78 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBL-TRISSIDRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+31.33 EUR
10+29.07 EUR
25+28.16 EUR
50+27.48 EUR
242+25.94 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBLIISSIDRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 400 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 400 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-25DBLI-TRISSIDRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 400Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-3DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 333 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 450 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-3DBLISSIDRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+18.64 EUR
10+17.17 EUR
25+16.8 EUR
50+16.73 EUR
100+15.02 EUR
242+14.58 EUR
484+13.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-3DBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 333 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 450 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-3DBL-TRISSIDRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 256M x 8
Access Time: 450 ps
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 333 MHz
Technology: SDRAM - DDR2
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 2Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-3DBLIISSIDRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.21 EUR
10+34.37 EUR
50+34.34 EUR
242+24.19 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-3DBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 333 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 450 ps
Memory Organization: 256M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR82560C-3DBLI-TRISSIDRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR83200A-37CBI-TRISSIDRAM 256M, 1.8V, DDR2, 32Mx8, 267Mhz @ CL4, 60 ball BGA (8mmx10.5mm), IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR83200A-37CBLIISSIDRAM 256M, 1.8V, 266Mhz 32Mx8 DDR2 DRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR83200A-3DBLIISSIDRAM 256M (32Mx8) 333MHz DDR2 1.8v
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-25DBLISSIDRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-25DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-25DBL-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz a. CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-25DBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-25DBLIISSIDRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
auf Bestellung 146 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.98 EUR
10+25.03 EUR
25+24.25 EUR
50+23.1 EUR
100+22.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-25DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-25DBLI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-25DBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBIISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz DDR2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz DDR2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBLISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBL-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBLIISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+26.95 EUR
10+25 EUR
25+24.23 EUR
50+23.09 EUR
100+22.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBLI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400C-3DBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400D-25DBLIINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR86400D-25DBLI - DRAM, 64M x 8 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-60
DRAM-Ausführung: DDR2
Bauform - Speicherbaustein: BGA
DRAM-Dichte: 512
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Zugriffszeit: 400
Versorgungsspannung, nom.: 1.8
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: -40
Taktfrequenz: 400
Anzahl der Pins: 60
Produktpalette: IS43DR
Betriebstemperatur, max.: 85
Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 8 bit
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400D-25DBLIISSIDRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.53 EUR
10+12.44 EUR
25+12.19 EUR
50+12.17 EUR
100+11.27 EUR
242+10.95 EUR
484+10.69 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400D-25DBLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400D-25DBLI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz a. CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400D-25DBLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400D-3DBIISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400D-3DBIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512MB 333MHZ CL5 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 242 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400D-3DBI-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64M x 8 DDR2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400D-3DBI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR2 512MB 333MHZ CL5 60BGA
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400D-3DBLISSIDRAM 512M, 1.8V 64Mx8 DDR2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IS43DR86400D-3DBL-TRISSIDRAM 512M, 1.8V 64Mx8 DDR2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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