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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI3459-KITSkyworks Solutions Inc.Description: EVAL KIT FOR SI3459 POE CTLR
Packaging: Box
Function: Power Over Ethernet (POE), PSE
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: Si3459
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 16-Channel
Secondary Attributes: I2C Interface(s), Graphical User Interface (GUI)
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+838.66 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459A-B02-IMSkyworks Solutions, Inc.Power Management Specialised - PMIC 2 TERMINAL IC TEMP TRANSDUCER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459A-B02-IMSkyworks Solutions Inc.Description: LINEAR IC'S
Number of Channels: 8
Auxiliary Sense: No
Supplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Standards: 802.3at (PoE)
Internal Switch(s): No
Current - Supply: 18mA
Voltage - Supply: 44V ~ 57V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Controller (PSE)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459A-B02-IMRSkyworks Solutions Inc.Description: LINEAR IC'S
Number of Channels: 8
Auxiliary Sense: No
Supplier Device Package: 56-QFN (8x8)
Standards: 802.3at (PoE)
Internal Switch(s): No
Current - Supply: 18mA
Voltage - Supply: 44V ~ 57V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Type: Controller (PSE)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 56-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459A-B02-IMRSkyworks Solutions, Inc.Power Management Specialised - PMIC 2 TERMINAL IC TEMP TRANSDUCER
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1250 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
auf Bestellung 1370 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.52 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP P CHAN 60V
auf Bestellung 123376 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.18 EUR
10+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.58 EUR
3000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 51948 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.38 EUR
10+0.98 EUR
25+0.96 EUR
100+0.73 EUR
250+0.71 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
285+0.61 EUR
288+0.58 EUR
301+0.55 EUR
320+0.51 EUR
323+0.5 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 285 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5833 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.52 EUR
100+1 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2395 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.07 EUR
132+1.26 EUR
200+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.61 EUR
9000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3SiliconixTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 288mOhm; 2,9A; 3,3W; -55°C ~ 150°C; SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-E3 TSI3459bdv
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 130 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -2.9A; Idm: -8A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.9A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 3.3W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 288mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+1.57 EUR
121+0.7 EUR
141+0.61 EUR
148+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.48 EUR
153+1.52 EUR
211+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 124 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
auf Bestellung 17894 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.39 EUR
15+1.49 EUR
50+1.11 EUR
100+0.99 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 38394 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.34 EUR
10+1.09 EUR
100+0.96 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.6 EUR
6000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.55 EUR
6000+0.5 EUR
9000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459BDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3459BDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.216ohm
auf Bestellung 1799 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.48 EUR
153+1.52 EUR
211+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459DVVISHAY07+ SOT-163
auf Bestellung 2190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459DV-T1VISHAYSOT-163 03+
auf Bestellung 1700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.2A 6TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459DV-T1-E3
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459DVT1E3
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3459SMART24-KITSkyworks Solutions Inc.Description: EVAL BOARD FOR SI3459
Packaging: Box
Function: Power Over Ethernet (POE), PSE
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: Si3459
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 16-Channel
Secondary Attributes: I2C Interface(s), Graphical User Interface (GUI)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460
auf Bestellung 1556 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460-D00-GMSkyworks Solutions, Inc.Skyworks
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460-E02-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460-E02-GMSilicon LabsQFN 11/-40 TO 85 OC/SINGLE-PORT IEEE 802.3AF PSE INTERFACE WITH DC-DC CONTR SI3460
Anzahl je Verpackung: 122 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460-E02-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460-E02-GMRSilicon LabsSI3460-E02-GMR SI3460
Anzahl je Verpackung: 1500 Stücke
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SI3460-E03-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Controller (PSE), DC/DC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 11V ~ 16V
Internal Switch(s): No
Standards: 802.3af (PoE)
Supplier Device Package: 11-QFN (3x3)
Auxiliary Sense: Yes
Number of Channels: 1
Power - Max: 15.4 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460-E03-GMSilicon Labsqfn 11/i°/Single-port PoE PSE interface with DC-DC controller SI3460
Anzahl je Verpackung: 122 Stücke
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SI3460-E03-GMSkyworks Solutions, Inc.Hot Swap Voltage Controllers Single-port PoE PSE interface with DC-DC controller
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 Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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SI3460-E03-GMRSkyworks Solutions, Inc.Hot Swap Voltage Controllers Single-port PoE PSE interface with DC-DC controller
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460-E03-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC POE CNTRL 1 CHANNEL 11QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Type: Controller (PSE), DC/DC
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 11V ~ 16V
Internal Switch(s): No
Standards: 802.3af (PoE)
Supplier Device Package: 11-QFN (3x3)
Auxiliary Sense: Yes
Number of Channels: 1
Power - Max: 15.4 W
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460-EVBSilicon LabsPower Management IC Development Tools Single-port PoE PSE Eval Board and Reference Design Kit
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460-EVBSilicon LabsEvaluation board for Si3460 single-port PSE controller SI3460
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460-EVBSkyworks Solutions Inc.Description: BOARD EVAL POE FOR SI3460
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SI3460BDV
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI3460BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460BDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
15+1.46 EUR
100+1.01 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460BDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 20-V (D-S)
auf Bestellung 13694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+1.49 EUR
100+1.02 EUR
500+0.84 EUR
3000+0.71 EUR
9000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460BDV-T1-BE3VishayN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3460BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6.7A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460BDV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V 8.0A 3.5W
auf Bestellung 8247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.69 EUR
10+1.48 EUR
100+1.02 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.73 EUR
3000+0.63 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI3460BDV-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI3460BDV-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6.7A 6-Pin TSOP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460BDV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.51 EUR
14+1.58 EUR
100+1.05 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460BDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6.7A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460BDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 20V 8.0A 3.5W 27mohm @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460BDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.68 EUR
15+1.46 EUR
100+1.01 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3460DDV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
258+0.9 EUR
402+0.54 EUR
532+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 7.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8563 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
27+0.8 EUR
50+0.58 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-BE3VishayN-Channel MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TSOP6 N-CH 20V 6.2A
auf Bestellung 79469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
10+0.57 EUR
100+0.51 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta), 7.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3460DDV-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.57 EUR
258+0.9 EUR
402+0.54 EUR
532+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-BE3VishayN-Channel MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
373+0.46 EUR
519+0.32 EUR
553+0.29 EUR
590+0.26 EUR
633+0.24 EUR
683+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 373 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 8V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 7988 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.29 EUR
100+0.93 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.43 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 7.9A; Idm: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SC74; TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+0.86 EUR
150+0.57 EUR
200+0.43 EUR
250+0.35 EUR
309+0.27 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.3 EUR
9000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.95 EUR
285+0.82 EUR
324+0.67 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
auf Bestellung 24095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.3 EUR
27+0.8 EUR
50+0.58 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3460DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
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SI3460DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
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SI3460DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
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590+0.29 EUR
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SI3460DDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.3 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3460DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
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330+0.52 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 330 Stücke
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SI3460DDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3000+0.3 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3460DDV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3460DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 7.9 A, 0.028 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
auf Bestellung 968 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
128+1.95 EUR
285+0.82 EUR
324+0.67 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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SI3460DV-T1VISHAY0402+
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SI3460DV-T1-E3VISHAY
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI3460DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
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SI3460DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
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SI3460DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
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SI3461-E01-GMSilicon LabsPower Switch ICs - POE/LAN Single-port PoE / PoE+ PSE interface
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