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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN5L06KQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 79903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06KQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
277+0.64 EUR
356+0.48 EUR
370+0.44 EUR
575+0.27 EUR
580+0.26 EUR
623+0.24 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 277 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
auf Bestellung 4392 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A 3-Pin SOT-523 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06TK-7Diodes IncorporatedMOSFET .15W 50V .28A
auf Bestellung 14234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.73 EUR
100+0.5 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.25 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A 3-Pin SOT-523 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06V-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VA-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VAK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VAK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VAK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 280mA
auf Bestellung 24033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.93 EUR
3000+0.31 EUR
9000+0.18 EUR
48000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VK-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Channel
auf Bestellung 174791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.57 EUR
100+0.39 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VK-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
435+0.4 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 435 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VKQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family
auf Bestellung 44408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06W-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06WK
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06WK-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Channel
auf Bestellung 31994 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06WKQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06WKQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 44 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06WKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V SOT323
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6010SCTB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6010SCTB-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 41V 60V TO263 T&R 0.8K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6010SCTB-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 41V60V TO263 T&R 0.8K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6010SCTBQ-13Diodes IncorporatedDiodes Inc. MOSFET BVDSS: 41V 60V TO263 T&R 0.8K
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6010SCTBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2692 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.57 EUR
6000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.51 EUR
4000+0.49 EUR
6000+0.48 EUR
10000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
auf Bestellung 10605 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
18+1.23 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.78 EUR
10+1.3 EUR
100+0.88 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.63 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFGQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFGQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.67 EUR
6000+0.63 EUR
9000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFGQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15950 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+1.74 EUR
14+1.52 EUR
100+1.05 EUR
500+0.88 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFGQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+0.67 EUR
6000+0.63 EUR
10000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFGQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 3928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.89 EUR
10+1.45 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
2000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6013LFGQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6017SFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6017SFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 35A POWERDI3333
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6017SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 4393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+1.11 EUR
10+0.96 EUR
100+0.67 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.43 EUR
5000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6017SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2711 pF @ 15 V
auf Bestellung 159 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.13 EUR
100+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6017SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6017SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6017SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6017SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2711 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN6017SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6017SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DMK
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DMKDiodes IncorporatedMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DMK-7
Produktcode: 144828
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DMK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Channel
auf Bestellung 11547 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.23 EUR
10+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 17464 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
28+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DMK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
auf Bestellung 17200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.51A 6-Pin SOT-26 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DMK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
155+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 155 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DWK
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
24000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
346+0.51 EUR
564+0.31 EUR
569+0.3 EUR
575+0.29 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 386031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.19 EUR
29+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DWK-7Diodes IncorporatedMOSFETs Dual N-Channel
auf Bestellung 48706 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.65 EUR
10+0.46 EUR
100+0.29 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 384000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.27 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.24 EUR
15000+0.23 EUR
21000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 1288 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
277+0.63 EUR
343+0.5 EUR
346+0.48 EUR
564+0.27 EUR
569+0.26 EUR
575+0.25 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 277 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DWK-7-50Diodes IncorporatedDescription: 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DWK-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DWKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 19322 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
35+0.61 EUR
56+0.38 EUR
100+0.24 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DWKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DWKQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
auf Bestellung 20818 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.54 EUR
10+0.35 EUR
100+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DWKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
9000+0.11 EUR
15000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601DWKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601K
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601KDiodes IncorporatedMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN601K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21000+0.032 EUR
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DMN601K-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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DMN601K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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DMN601K-7
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DMN601K-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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