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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
DMN53D0LW-13Diodes IncorporatedMOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
auf Bestellung 17768 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.63 EUR
10+0.44 EUR
100+0.27 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2500+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
auf Bestellung 6025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
428+0.58 EUR
654+0.36 EUR
1107+0.19 EUR
1493+0.14 EUR
1698+0.13 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LW-7Diodes IncorporatedMOSFETs FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
auf Bestellung 51044 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.56 EUR
10+0.35 EUR
100+0.23 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.13 EUR
6000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 270mA, 10V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45.8 pF @ 25 V
auf Bestellung 1295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
60+0.35 EUR
73+0.29 EUR
84+0.25 EUR
100+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0LW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 360 mA, 0.73 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 320mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
auf Bestellung 6025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
428+0.58 EUR
654+0.36 EUR
1107+0.19 EUR
1493+0.14 EUR
1698+0.13 EUR
5000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 428 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.36A 3-Pin SOT-323 T/R
auf Bestellung 1430 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 1430 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LW-7Diodes Inc./ZetexMOSFET N-CH 50V 360MA SOT323 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0LW-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.7A; 420mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.7A
Power dissipation: 0.42W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 140000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.083 EUR
30000+0.081 EUR
50000+0.073 EUR
100000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0U-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 140000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0U-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 209 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 915261 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
34+0.63 EUR
48+0.44 EUR
100+0.21 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
426+0.58 EUR
596+0.39 EUR
1145+0.19 EUR
1558+0.14 EUR
2440+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 426 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0U-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
auf Bestellung 9541 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.29 EUR
17+0.2 EUR
100+0.15 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.075 EUR
6000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 777000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 520mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.1 pF @ 25 V
auf Bestellung 909000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.11 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.083 EUR
30000+0.081 EUR
75000+0.073 EUR
150000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN53D0U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
426+0.58 EUR
596+0.39 EUR
1145+0.19 EUR
1558+0.14 EUR
2440+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 426 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN53D0U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 938 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
469+0.37 EUR
664+0.25 EUR
673+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 469 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN55D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN55D0UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 200mW
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN55D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN55D0UT-7Diodes IncorporatedMOSFET .2W 50V .16A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN55D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN55D0UT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN55D0UT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN55D0UT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 160 mA, 3.1 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN55D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN55D0UT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.16A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 180000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
324+0.54 EUR
465+0.36 EUR
3368+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 324 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN55D0UTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN55D0UTQ-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 50Vdss 12Vgss 160mA
auf Bestellung 393 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.76 EUR
10+0.58 EUR
100+0.32 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
9000+0.12 EUR
24000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN55D0UTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 160MA SOT-523
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.7V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06-7DIODES, INC.MOSFET N-CHAN 50V 350MW SOT-23
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06DMK
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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DMN5L06DMKDiodes IncorporatedMOSFET
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DMN5L06DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT26
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 400mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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DMN5L06DMK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-26 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN5L06DMK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
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DMN5L06DMK-7DiodesMOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-26 Транзистори
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DMN5L06DMK-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Channel
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DMN5L06DMKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.305A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN5L06DMKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN5L06DMKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.52 EUR
211+1.11 EUR
348+0.62 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.37 EUR
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DMN5L06DMKQ-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Ch Enh FET 50Vdss 20Vgss 400mW
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DMN5L06DMKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06DMKQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN5L06DMKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2475 Stücke:
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165+1.52 EUR
211+1.11 EUR
348+0.62 EUR
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1000+0.37 EUR
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DMN5L06DW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 200mA, 2.7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06DWK
auf Bestellung 12000 Stücke:
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DMN5L06DWK-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Channel
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DMN5L06DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
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3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06DWK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.21 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06DWK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
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DMN5L06DWK-7-01Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT363 T&R 3K
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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DMN5L06KDiodes IncorporatedMOSFETs
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DMN5L06K
auf Bestellung 12000 Stücke:
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DMN5L06K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN5L06K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 89563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
544+0.46 EUR
752+0.31 EUR
1159+0.19 EUR
1378+0.15 EUR
1573+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 544 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06K-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06K-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN5L06K-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
auf Bestellung 89563 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
544+0.46 EUR
752+0.31 EUR
1159+0.19 EUR
1378+0.15 EUR
1573+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 544 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06K-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Channel
auf Bestellung 266928 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06KQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN5L06KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
367+0.63 EUR
646+0.33 EUR
926+0.23 EUR
1667+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06KQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06KQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K
auf Bestellung 79903 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.69 EUR
10+0.46 EUR
100+0.3 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06KQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN5L06KQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
254+0.99 EUR
367+0.63 EUR
646+0.33 EUR
926+0.23 EUR
1667+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 254 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06KQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06T-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A 3-Pin SOT-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06TK-7Diodes IncorporatedMOSFET .15W 50V .28A
auf Bestellung 14234 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.88 EUR
10+0.73 EUR
100+0.5 EUR
1000+0.27 EUR
3000+0.25 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
auf Bestellung 4392 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A 3-Pin SOT-523 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06TK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 280MA SOT-523
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06TK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A 3-Pin SOT-523 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
277+0.62 EUR
356+0.46 EUR
370+0.43 EUR
575+0.26 EUR
580+0.25 EUR
623+0.23 EUR
1000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 277 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06V-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VA-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VAK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VAK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V 280mA
auf Bestellung 24033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.93 EUR
3000+0.31 EUR
9000+0.18 EUR
48000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VAK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A 6-Pin SOT-563 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
DMN5L06VK-7Diodes IncorporatedMOSFET Dual N-Channel
auf Bestellung 174791 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.57 EUR
100+0.39 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
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DMN5L06VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 280mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
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DMN5L06VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A 6-Pin SOT-563 T/R
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DMN5L06VK-7-GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH SOT23
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DMN5L06VKQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.28A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
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DMN5L06VKQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family
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DMN5L06W-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3
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DMN5L06WK
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DMN5L06WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
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DMN5L06WK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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DMN5L06WK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 50V 0.3A 3-Pin SOT-323 T/R
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DMN5L06WK-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Channel
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DMN5L06WKQ-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode Mosfet Automotive AEC-Q101
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DMN5L06WKQ-7Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family
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DMN5L06WKQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 50V SOT323
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DMN6010SCTB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
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