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MOSFET BVDSS: 41V60V TO263 T&R 0.8K

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DMN6010SCTB-13

Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 41V 60V TO263 T&R 0.8K

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DMN6010SCTBQ-13

Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 41V 60V TO263 T&R 0.8K

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DMN6010SCTBQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2692 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 312W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)

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DMN6013LFG-13

Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.57 EUR
6000+	0.54 EUR

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DMN6013LFG-13

MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN6013LFG-7

Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 8-Pin PowerDI EP T/R

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DMN6013LFG-7

MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 10.3A 2577pF

auf Bestellung 997 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.3 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.63 EUR
2000+	0.52 EUR
4000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

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DMN6013LFG-7

Description: DIODES INC. - DMN6013LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 9300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm

auf Bestellung 1443 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.34 EUR
138+	1.68 EUR
211+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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DMN6013LFG-7

Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V

auf Bestellung 10605 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.74 EUR
18+	1.23 EUR
100+	0.84 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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DMN6013LFG-7

Description: DIODES INC. - DMN6013LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 9300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9300µohm

auf Bestellung 1443 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

75+	3.34 EUR
138+	1.68 EUR
211+	1.02 EUR
500+	0.8 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 75 Stücke

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DMN6013LFG-7

auf Bestellung 10000 Stücke:

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2000+	0.51 EUR
4000+	0.49 EUR
6000+	0.48 EUR
10000+	0.44 EUR

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DMN6013LFGQ-13

Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

auf Bestellung 51000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.67 EUR
6000+	0.63 EUR
9000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN6013LFGQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R

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DMN6013LFGQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

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DMN6013LFGQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.48 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DMN6013LFGQ-7

Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 15950 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

13+	1.74 EUR
14+	1.52 EUR
100+	1.05 EUR
500+	0.88 EUR
1000+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 13 Stücke

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DMN6013LFGQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DMN6013LFGQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6013LFGQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DMN6013LFGQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

auf Bestellung 3928 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.89 EUR
10+	1.45 EUR
100+	0.99 EUR
500+	0.77 EUR
1000+	0.7 EUR
2000+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6013LFGQ-7

Description: MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2577 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 14000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2000+	0.67 EUR
6000+	0.63 EUR
10000+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6013LFGQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 2000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6013LFGQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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DMN6017SFV-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

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DMN6017SFV-7

Description: MOSFET N-CH 60V 35A POWERDI3333

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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke

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DMN6017SK3-13

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2711 pF @ 15 V

auf Bestellung 159 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

12+	1.82 EUR
19+	1.13 EUR
100+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 12 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6017SK3-13

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 43A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2711 pF @ 15 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6017SK3-13

Description: DIODES INC. - DMN6017SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6017SK3-13

MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V

auf Bestellung 4393 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.11 EUR
10+	0.96 EUR
100+	0.67 EUR
500+	0.56 EUR
1000+	0.48 EUR
2500+	0.43 EUR
5000+	0.42 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6017SK3-13

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN6017SK3-13

Description: DIODES INC. - DMN6017SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 43 A, 0.018 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm

auf Bestellung 7 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601DMK

MOSFETs

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DMN601DMK

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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DMN601DMK-7
Produktcode: 144828

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Transistoren > MOSFET N-CH

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DMN601DMK-7

Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 213 Stücke:

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155+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 155 Stücke

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DMN601DMK-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601DMK-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.51A 6-Pin SOT-26 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601DMK-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.51A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 510mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 200mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601DMK-7

Description: DIODES INC. - DMN601DMK-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 510 mA, 510 mA, 2.4 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 510mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 510mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 980mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 980mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 213 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

155+	1.62 EUR

Mindestbestellmenge: 155 Stücke

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DMN601DMK-7

MOSFETs Dual N-Channel

auf Bestellung 11547 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3+	1.23 EUR
10+	0.76 EUR
100+	0.49 EUR
500+	0.37 EUR
1000+	0.33 EUR
3000+	0.27 EUR
6000+	0.25 EUR

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DMN601DWK

auf Bestellung 12000 Stücke:

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DMN601DWK-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 1288 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

346+	0.5 EUR
564+	0.3 EUR
575+	0.29 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 346 Stücke

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DMN601DWK-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN601DWK-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 290433 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

16+	1.38 EUR
25+	0.84 EUR
30+	0.7 EUR
50+	0.62 EUR
100+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 16 Stücke

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DMN601DWK-7

MOSFETs Dual N-Channel

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10+	0.46 EUR
100+	0.29 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.13 EUR
3000+	0.12 EUR
6000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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DMN601DWK-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 1288 Stücke:

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277+	0.62 EUR
343+	0.49 EUR
346+	0.46 EUR
564+	0.27 EUR
569+	0.26 EUR
575+	0.25 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 277 Stücke

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DMN601DWK-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 200mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 288000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.31 EUR
9000+	0.27 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN601DWK-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 27000 Stücke:

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3000+	0.18 EUR
6000+	0.17 EUR
9000+	0.15 EUR

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DMN601DWK-7-50

Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN601DWK-7-50

Description: 2N7002 Family SOT363 T&R 3K
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 200mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Bulk

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DMN601DWKQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

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100+	0.18 EUR
1000+	0.15 EUR
3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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DMN601DWKQ-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 19322 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

35+	0.61 EUR
56+	0.38 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.18 EUR
1000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

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DMN601DWKQ-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 200mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.304nC @ 4.5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
6000+	0.11 EUR
9000+	0.11 EUR
15000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN601DWKQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN601DWKQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN601K

auf Bestellung 12000 Stücke:

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DMN601K

MOSFETs

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DMN601K-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.076 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN601K-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 184 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 184 Stücke

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DMN601K-7

MOSFETs N-Channel

auf Bestellung 11490 Stücke:

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9+	0.39 EUR
15+	0.23 EUR
100+	0.14 EUR
500+	0.11 EUR
1000+	0.092 EUR
3000+	0.08 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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DMN601K-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 90000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.076 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN601K-7

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)

auf Bestellung 102202 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

44+	0.48 EUR
64+	0.33 EUR
117+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

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DMN601K-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601K-7

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

auf Bestellung 403 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

403+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 403 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601K-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 33000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

9804+	0.02 EUR

Mindestbestellmenge: 9804 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601K-7
Produktcode: 148089

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601K-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

21000+	0.031 EUR

Mindestbestellmenge: 21000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601K-7

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V

auf Bestellung 96000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.11 EUR
6000+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601K-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 16400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6290+	0.027 EUR

Mindestbestellmenge: 6290 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601K-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 16400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

6290+	0.027 EUR

Mindestbestellmenge: 6290 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601K-7-W

MOSFETs 2N7002 Family SOT23 T&R 3K

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Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601LT-13

Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 356mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601LT-7

Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 356mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V

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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601LTQ-13

Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 356mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601LTQ-7

Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 356mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601TK-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-523 T/R

auf Bestellung 1919 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

369+	0.46 EUR
652+	0.26 EUR
660+	0.25 EUR
766+	0.21 EUR
1202+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 369 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601TK-7

Description: DIODES INC. - DMN601TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

291+	0.86 EUR
428+	0.55 EUR
827+	0.26 EUR
962+	0.23 EUR
1163+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 291 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601TK-7

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V

auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR
6000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR
15000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601TK-7

MOSFETs N-Channel

auf Bestellung 18986 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.49 EUR
11+	0.32 EUR
100+	0.21 EUR
3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601TK-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-523 T/R

auf Bestellung 1919 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

282+	0.61 EUR
364+	0.45 EUR
369+	0.43 EUR
652+	0.24 EUR
660+	0.23 EUR
766+	0.19 EUR
1202+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 282 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601TK-7

auf Bestellung 2970 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

291+	0.86 EUR
428+	0.55 EUR
827+	0.26 EUR
962+	0.23 EUR
1163+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 291 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601TK-7

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-523
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)

auf Bestellung 25347 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

31+	0.69 EUR
44+	0.48 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.23 EUR

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DMN601TK-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-523 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN601TKQ-13

Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 343mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

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DMN601TKQ-7

Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 343mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.04 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 41 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

auf Bestellung 135000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.098 EUR
6000+	0.088 EUR
9000+	0.082 EUR
15000+	0.077 EUR
21000+	0.074 EUR
30000+	0.07 EUR
75000+	0.063 EUR

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DMN601TKQ-7

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 343mA; 500mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.51nC
Drain current: 343mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 2Ω
Drain-source voltage: 60V
Application: automotive industry

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN601VK

MOSFET

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DMN601VK-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 382731 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

32+	0.67 EUR
52+	0.4 EUR
100+	0.25 EUR
500+	0.19 EUR
1000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 32 Stücke

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DMN601VK-7

MOSFETs Dual N-Channel

auf Bestellung 5617 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.67 EUR
10+	0.4 EUR
100+	0.25 EUR
500+	0.19 EUR
1000+	0.17 EUR
3000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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DMN601VK-7

auf Bestellung 381000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.14 EUR
6000+	0.12 EUR
9000+	0.12 EUR
15000+	0.11 EUR
21000+	0.1 EUR
30000+	0.1 EUR
75000+	0.092 EUR
150000+	0.089 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601VK-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-563 T/R

auf Bestellung 1527000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.084 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN601VKQ-7

Description: DIODES INC. - DMN601VKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1735 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

224+	1.12 EUR
336+	0.69 EUR
532+	0.4 EUR
834+	0.26 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 224 Stücke

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DMN601VKQ-7

MOSFETs 60V Dual N-Ch FET 20Vgss 250mW

auf Bestellung 150 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.98 EUR
10+	0.64 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.26 EUR
1000+	0.23 EUR
3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DMN601VKQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R

auf Bestellung 42000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
9000+	0.11 EUR
24000+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DMN601VKQ-7

Description: DIODES INC. - DMN601VKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 1735 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

224+	1.12 EUR
336+	0.69 EUR
532+	0.4 EUR
834+	0.26 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 224 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601VKQ-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

auf Bestellung 538440 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

29+	0.74 EUR
41+	0.51 EUR
100+	0.26 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 29 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601VKQ-7

Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R

auf Bestellung 534000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601VKQ-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active

auf Bestellung 537000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.17 EUR
6000+	0.15 EUR
9000+	0.14 EUR
75000+	0.12 EUR
150000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN601VKQ-7