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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 914 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
60+2.9 EUR
70+2.42 EUR
100+1.73 EUR
500+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2715 pF @ 75 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200onsemi / FairchildMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 6233 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.86 EUR
100+2.15 EUR
500+2.14 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 899 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.16 EUR
48+3.53 EUR
100+1.98 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
213+3.07 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 213 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 963 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
963+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 963 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200DConsemi / FairchildMOSFETs 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.37 EUR
10+7.22 EUR
25+7.2 EUR
100+5.74 EUR
500+5.01 EUR
1000+4.65 EUR
3000+4.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.7 EUR
33+7.24 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.16 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200DConsemiMOSFETs 150V/20V N Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 3823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.4 EUR
10+6.12 EUR
100+4.61 EUR
500+4.5 EUR
1000+4.32 EUR
3000+3.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2955 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1502 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+10.7 EUR
10+7.13 EUR
100+5.11 EUR
500+4.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86200DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.014 ohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 79 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 40A; 125W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 40A
Power dissipation: 125W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 9.3A 8-Pin Power 56 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 9.3A DLCOOL56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2955 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86200EonsemiDescription: FET 150V 18.0 MOHM PQFN56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 35A (Tc)
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201onsemi / FairchildMOSFETs 120V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 29122 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.73 EUR
100+2.28 EUR
500+2.26 EUR
1000+2.2 EUR
3000+2.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86201 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 35 A, 9600 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9600µohm
auf Bestellung 6605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.75 EUR
50+4.69 EUR
100+3.3 EUR
500+2.76 EUR
1000+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.95 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.78 EUR
10+4.44 EUR
100+3.09 EUR
500+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201onsemiMOSFETs 120V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 22835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.78 EUR
10+4.44 EUR
100+3.09 EUR
500+2.53 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201ON Semiconductor
auf Bestellung 19815 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2735 pF @ 60 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86201ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 11.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ON Semiconductor
auf Bestellung 6010 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 64A; Idm: 240A; 156W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 64A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 156W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 6000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 3440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.46 EUR
500+4.88 EUR
1000+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1924 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.37 EUR
10+6.24 EUR
100+4.45 EUR
500+4.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202onsemiMOSFETs CCI MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86202 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 64 A, 6000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
auf Bestellung 3440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.59 EUR
30+7.79 EUR
100+5.46 EUR
500+4.88 EUR
1000+4.69 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 13.5A POWER56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ET120ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86202ET120 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 164 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+11.04 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ET120onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+5.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ET120onsemiMOSFETs 120V N-Channel Shielded Gate PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2124 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+13.34 EUR
10+8.35 EUR
100+6.56 EUR
500+6.24 EUR
1000+5.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ET120onsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4585 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 102A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 8545 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.54 EUR
10+8.46 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ET120ON Semiconductor
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ET120ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 120V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86202ET120ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 72A; Idm: 538A; 187W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 72A
Pulsed drain current: 538A
Power dissipation: 187W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86204ON SemiconductorFDMS86204
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
271+2.42 EUR
500+2.14 EUR
1000+1.93 EUR
10000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86204ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86204 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
382+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 382 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86204onsemi
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8622ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.38 EUR
118+1.98 EUR
177+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8622onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+1.01 EUR
6000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
69+2.52 EUR
100+1.74 EUR
200+1.55 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.14 EUR
2000+0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 69 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8622ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16.5A; 31W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.5A
Power dissipation: 31W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 97mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.65 EUR
6000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8622onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 13244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.56 EUR
10+1.61 EUR
100+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
3000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.67 EUR
6000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8622ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 31W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 2625 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+3.38 EUR
118+1.98 EUR
177+1.21 EUR
500+0.95 EUR
1000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8622onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 50 V
auf Bestellung 9793 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.71 EUR
10+2.34 EUR
100+1.58 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8622ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 4.8A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
109+1.59 EUR
133+1.3 EUR
200+1.18 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.83 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 109 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS8622-NConsemiMOSFETs FET 100V 56.0 MOHM PQFN56
auf Bestellung 2079 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.12 EUR
100+1.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86250ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 30A; Idm: 100A; 96W; Power56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 96W
Case: Power56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86250onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 75 V
auf Bestellung 262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.85 EUR
10+4.47 EUR
100+3.12 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86250ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86250ON Semiconductor
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86250onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 6.7A/20A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86250ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 6.7A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 33647 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
159+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 159 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86250onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.72 EUR
10+4.4 EUR
100+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86250ONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 30 A, 0.025 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 695 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
31+8.15 EUR
48+4.89 EUR
100+3.32 EUR
500+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS86252ONN
auf Bestellung 6000 Stücke:
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FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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223+2.94 EUR
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FDMS86252onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
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4+6.26 EUR
10+4.07 EUR
100+2.82 EUR
500+2.3 EUR
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FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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55+3.18 EUR
67+2.52 EUR
68+2.4 EUR
100+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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FDMS86252onsemiMOSFETs 150V N-Channel PowerTrench MOSFET
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1+6.14 EUR
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FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
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40+4.39 EUR
55+3.08 EUR
100+2.17 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.18 EUR
67+2.58 EUR
68+2.5 EUR
100+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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FDMS86252ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 16A; 69W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 16A
Power dissipation: 69W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86252onsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.6A/16A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 75 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2855 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.39 EUR
55+3.15 EUR
100+2.25 EUR
500+1.89 EUR
1000+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS86252ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 4.6A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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FDMS86252LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
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FDMS86252LONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS86252L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 12 A, 0.056 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
auf Bestellung 8114 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.62 EUR
500+2.2 EUR
1500+2.05 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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FDMS86252LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 12A; 50W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 12A
Power dissipation: 50W
Case: PQFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2419 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+3.83 EUR
28+3.06 EUR
32+2.69 EUR
50+2.01 EUR
100+1.78 EUR
250+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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FDMS86252LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 4.4A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.28 EUR
59+2.84 EUR
61+2.65 EUR
62+2.53 EUR
100+1.77 EUR
250+1.68 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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FDMS86252LonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 4.4A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1335 pF @ 75 V
auf Bestellung 3978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.68 EUR
10+3.69 EUR
100+2.55 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.98 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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