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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
IRF6216TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6216TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6216TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 289036 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
786+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
10000+0.65 EUR
100000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 786 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6216TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRF6216TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 2.2 A, 0.24 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 2.2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.24
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6216TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6216TRPBF-1Infineon TechnologiesInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6216TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 2.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6217IRSO-8
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6217PBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6217TRInternational RectifierTrans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217 IRF6217TR IRF6217 Infineon TIRF6217
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
40+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6217TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT PCh -150V -0.7A 2400mOhm 6nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6217TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6217TRPBFInternational RectifierSO-8 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6217TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6217TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC T/R
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 Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6217TRPBF-1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 700MA 8SO
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218International RectifierTO-220AB Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218HRInfineon / IRInfineon
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218LPBFInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218pbfInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1388 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.55 EUR
1000+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218pbfInternational RectifierMOSFET P-CH 150V 27A TO-220AB Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
228+2.87 EUR
500+2.55 EUR
Mindestbestellmenge: 228 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218pbfInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 27 A, Ptot, Вт = 250, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 2210 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218pbfInfineon / IRMOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 150mOhms 21nC
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218PBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF6218PBF - IRF6218 20V-250V P-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
257+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218PBF-IRInternational RectifierDescription: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: TO-220AB
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218S
Produktcode: 177237
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1
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IRF6218SIR07+ TO-263
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218SHRInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218SPBFInfineon / IRMOSFET D2PAK
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218SPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218STRLInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218STRLHRInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218STRLPBFInternational Rectifier/InfineonP-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 27 А, Ptot, Вт = 250, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 2210 @ 25, Qg, нКл = 110 @ 10 В, Rds = 150 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220-AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218STRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 150V 27A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT PCh -150V -27A 150mOhm 21nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218STRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218STRLPBFTR-NDIR2010
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218STRRInfineon / IRMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6218STRRHRInfineon / IRInfineon
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF621RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 6837 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 478 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF623RHarris CorporationDescription: 4A, 150V, 1.2OHM, N-CHANNEL MOSF
Part Status: Active
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1299 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
722+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 722 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624
Produktcode: 7924
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 250 V
Drain-Strom Idd, A: 4,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 335/14
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.5 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624IR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624PBFVishay SemiconductorsMOSFET 250V N-CH HEXFET
auf Bestellung 622 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.49 EUR
10+1.74 EUR
100+1.48 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 250V 4.4A N-CH MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624SIR09+
auf Bestellung 5030 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624SPBFVishay SemiconductorsMOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp
auf Bestellung 1535 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+3.19 EUR
100+2.62 EUR
250+2.57 EUR
500+2.23 EUR
1000+1.88 EUR
2000+1.77 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.13 EUR
50+2.55 EUR
100+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624SPBF
Produktcode: 165360
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF624STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF626Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
356+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 356 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
auf Bestellung 3396 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+5.18 EUR
10+3.33 EUR
50+2.53 EUR
100+2.28 EUR
500+1.83 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630SiliconixN-MOSFET 9A 200V 74W 0.4Ω IRF630 (9A), IRF630NPBR (9.3A) IRF630 TIRF630
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1911 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.7 EUR
104+1.65 EUR
130+1.3 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630HARRISIRF630
auf Bestellung 374 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9 А, Ptot, Вт = 75, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 45 @ 10 В, Rds = 400 мОм @ 4,5 A, 10 В, Tексп, °C = -65...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630HARRISIRF630
auf Bestellung 10770 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+2.17 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
10000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - IRF630 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 143 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
59+4.27 EUR
92+2.53 EUR
140+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630ST MICROELECTRONICSN-Channel, 200V, 9.0A, 75W, Rds=0.40R, TO-220
auf Bestellung 33 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 22679 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
241+2.28 EUR
Mindestbestellmenge: 241 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+1.92 EUR
93+1.86 EUR
119+1.42 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+3.07 EUR
90+1.87 EUR
92+1.76 EUR
118+1.32 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF630; IRF630-BE3; IRF630N; SP001564792; IRF630 JSMICRO TIRF630 JSM
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
50+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1915 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+2.5 EUR
103+1.64 EUR
104+1.56 EUR
130+1.2 EUR
500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630HARRISIRF630
auf Bestellung 11535 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
301+2.17 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
10000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 301 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 10 Amp
auf Bestellung 2572 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.44 EUR
10+2.26 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1 EUR
2000+0.9 EUR
5000+0.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630Vishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9 А, Ptot, Вт = 74, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 43 @ 10 В, Rds = 400 мОм @ 5,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5.7A; 75W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 75W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MESH OVERLAY™ II
Kind of package: tube
auf Bestellung 927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+2.45 EUR
55+1.56 EUR
63+1.37 EUR
69+1.24 EUR
100+1.12 EUR
250+0.98 EUR
500+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630 (TO-220, ST)
Produktcode: 3058
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STTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 600/19
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+0.58 EUR
10+0.57 EUR
100+0.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6302
Produktcode: 31879
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630AFSC
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A
Produktcode: 18853
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IRTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,4 Ohm
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A_CP001FAIRCHILDIRF630A_CP001
auf Bestellung 45755 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
665+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
10000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 665 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A_CP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF630A_CP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 95000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
844+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 844 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A_CP001FAIRCHILDIRF630A_CP001
auf Bestellung 177675 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
665+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
10000+0.77 EUR
100000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 665 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630A_CP001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 200V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 223430 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
478+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 478 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630BFairchild
auf Bestellung 10005 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630BTSTUFairchild SemiconductorDescription: IRF630B - 200V N-CHANNEL MOSFET
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630BTSTU_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630B_FP001Fairchild/ON SemiconductorN-канальный ПТ (Vds=200V, Id=9A@T=25C, Id=5.7A@T=100C, Rds=0.34 R@Vgs=10V, P=72W, -55 to 150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630B_FP001FAIRCHILDf24
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630B_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF630FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 9A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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