Produkte > FDM
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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| FDMS86500DC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 2300 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Dual Cool 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm | auf Bestellung 4272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86500DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin DFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86500DC | onsemi | MOSFETs 60V/20V NCh DualCool PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 6362 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86500DC | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86500DC | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS86500DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 108 A, 2300 µohm, Dual Cool 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 108A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 125W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Dual Cool 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm | auf Bestellung 4272 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86500L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS86500L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 2500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm | auf Bestellung 4162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86500L | ONS/FAI | N-Ch, 60V, 25A, PQFN-8(5X6) Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86500L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86500L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12530 pF @ 30 V | auf Bestellung 433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86500L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86500L | ONN | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDMS86500L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86500L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 25A/80A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12530 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86500L | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS86500L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 2500 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm | auf Bestellung 4162 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86500L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 25A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86500L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 799A; 104W; PQFN8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Pulsed drain current: 799A Power dissipation: 104W Case: PQFN8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 165nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86500L | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 2242 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86500LE | onsemi | Description: MOSFET N-CH Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86520 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V | auf Bestellung 59832 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86520 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86520 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86520 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 734 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86520 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86520 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 80A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86520 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 4356 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86520 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 14A/42A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2850 pF @ 30 V | auf Bestellung 54000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86520 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 734 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86520 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86520 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1656 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86520 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 866 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86520 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86520 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1656 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86520 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1572 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86520 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 14A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86520-01 | ON Semiconductor | FDMS86520-01 | auf Bestellung 2241 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86520L | onsemi | MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 16160 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86520L | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 22A; Idm: 60A; 69W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 22A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 69W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | auf Bestellung 2927 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86520L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86520L | onsemi | Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 4582 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86520L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86520L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86520L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 999 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86520L | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 16488 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86520L | onsemi | Description: MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4615 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 13.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86520L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86520L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86520L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 13.5A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 501 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86540 | onsemi / Fairchild | MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 6648 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86540 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V Verlustleistung: 96W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86540 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 27443 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86540 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 761 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86540 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 82A; Idm: 642A; 96W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 82A Pulsed drain current: 642A Power dissipation: 96W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86540 | ON Semiconductor | auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||
| FDMS86540 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6435 pF @ 30 V | auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86540 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86540 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS86540 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 129 A, 2700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 129A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V Verlustleistung: 96W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm | auf Bestellung 2490 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86550 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86550 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86550 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86550 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 148A; Idm: 1021A; 156W; Power56 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 148A Pulsed drain current: 1021A Power dissipation: 156W Case: Power56 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 154nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86550 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 2330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86550 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86550 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 155A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11530 pF @ 30 V | auf Bestellung 4347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86550 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86550 | onsemi | MOSFETs 60V N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 3541 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86550 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86550-01 | ON Semiconductor | FDMS86550-01 | auf Bestellung 11597 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86550ET60 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 245A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 187W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm | auf Bestellung 2806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86550ET60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86550ET60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86550ET60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 245A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86550ET60 | onsemi | MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET | auf Bestellung 3247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86550ET60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 4537 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86550ET60 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS86550ET60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 245 A, 0.00165 ohm, Power 56, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 245A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V Verlustleistung: 187W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165ohm | auf Bestellung 2806 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86550ET60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 387 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86550ET60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86550ET60 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 32A/245A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 245A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8235 pF @ 30 V | auf Bestellung 2275 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86550ET60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 32A 8-Pin PQFN EP T/R | auf Bestellung 1868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86550ET60-01 | ON Semiconductor | FDMS86550ET60-01 | auf Bestellung 2933 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FDMS86568-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 60V 80A Power56 N-Chnl PowerTrench | auf Bestellung 3156 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86568_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A POWER56 | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86568_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A POWER56 | auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86568_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 80A POWER56 | auf Bestellung 297012000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86569-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 65A POWER56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power56 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86569-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 65A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power 56 EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86569-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 60V 65A N-Channel Power Trench MOSFET | auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86569-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 65A POWER56 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: Power56 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86569_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 65A POWER56 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86569_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 65A POWER56 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86569_F085 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 65A POWER56 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86580-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET | auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86580-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 50A Automotive AEC-Q101 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86581 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 30A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881 pF @ 30 V | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86581 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin PQFN EP T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86581 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDMS86581 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 55 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 55 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86581 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 30A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881 pF @ 30 V | auf Bestellung 30900 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86581 | onsemi | MOSFETs NMOS PWR56 60V 15 M OHM | auf Bestellung 940 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FDMS86581-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin PQFN EP T/R Automotive AEC-Q101 | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86581-F085 | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 50W (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| FDMS86581-F085 | ON Semiconductor / Fairchild | MOSFET 60V NChnl Power Trench MOSFET | auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |