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Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 4988 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

44+	3.95 EUR
62+	2.76 EUR
100+	2.27 EUR
500+	2.09 EUR
1000+	1.87 EUR
2000+	1.73 EUR

Mindestbestellmenge: 44 Stücke

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IPD80R3K3P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1355 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

336+	0.51 EUR
337+	0.49 EUR
338+	0.48 EUR
362+	0.43 EUR
363+	0.4 EUR
500+	0.39 EUR
1000+	0.37 EUR

Mindestbestellmenge: 336 Stücke

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IPD80R3K3P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

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2500+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD80R3K3P7ATMA1

MOSFETs 800V CoolMOS P7PowerDevice

auf Bestellung 6408 Stücke:

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3+	1.18 EUR
10+	1.15 EUR
100+	0.87 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.67 EUR
2500+	0.61 EUR
5000+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

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IPD80R3K3P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V

auf Bestellung 4993 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

9+	2.45 EUR
14+	1.55 EUR
100+	1.01 EUR
500+	0.79 EUR
1000+	0.71 EUR

Mindestbestellmenge: 9 Stücke

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IPD80R3K3P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD80R3K3P7ATMA1

Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm

auf Bestellung 2219 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.84 EUR
174+	1.34 EUR
256+	0.83 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD80R3K3P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 1355 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

337+	0.51 EUR
338+	0.5 EUR
362+	0.46 EUR
363+	0.45 EUR
500+	0.44 EUR
1000+	0.43 EUR

Mindestbestellmenge: 337 Stücke

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IPD80R3K3P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.62 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD80R3K3P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

299+	0.57 EUR
500+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 299 Stücke

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IPD80R3K3P7ATMA1

Description: INFINEON - IPD80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 18W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm

auf Bestellung 2219 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

88+	2.84 EUR
174+	1.34 EUR
256+	0.83 EUR
500+	0.62 EUR
1000+	0.61 EUR

Mindestbestellmenge: 88 Stücke

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IPD80R450P7

Infineon / IR

Infineon LOW POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD80R450P7

Trans MOSFET N-CH 800V 11A T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

57+	3.06 EUR
59+	2.89 EUR
100+	2.74 EUR
250+	2.59 EUR
500+	2.49 EUR
1000+	2.39 EUR
2500+	2.28 EUR

Mindestbestellmenge: 57 Stücke

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IPD80R450P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD80R450P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R450P7ATMA1

Description: INFINEON - IPD80R450P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 11 A, 0.38 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 73W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2105 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	4.52 EUR
72+	3.22 EUR
100+	2.14 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 56 Stücke

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IPD80R450P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.24 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD80R450P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 904 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.96 EUR
10+	3.17 EUR
100+	2.2 EUR
500+	1.87 EUR
1000+	1.7 EUR
2500+	1.48 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R450P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 220µA
Supplier Device Package: PG-TO252-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 500 V

auf Bestellung 1629 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	5.28 EUR
10+	3.4 EUR
50+	2.59 EUR
100+	2.33 EUR
500+	1.88 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R450P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R450P7ATMA1

Rochester Electronics, LLC

auf Bestellung 2105 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.14 EUR
500+	1.75 EUR
1000+	1.63 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD80R4K5P7

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 662 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R4K5P7

auf Bestellung 150000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.75 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R4K5P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 4054 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.74 EUR
10+	1.23 EUR
100+	0.95 EUR
500+	0.74 EUR
1000+	0.67 EUR
2500+	0.6 EUR
5000+	0.51 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 785 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

392+	0.44 EUR

Mindestbestellmenge: 392 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R4K5P7ATMA1

Description: INFINEON - IPD80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 4.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2581 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

113+	2.21 EUR
171+	1.36 EUR
250+	0.86 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 113 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R4K5P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.55 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 1400 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

315+	0.55 EUR
500+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 315 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R4K5P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A TO252
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 13W (Tc)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	0.46 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R4K5P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R

auf Bestellung 785 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

340+	0.51 EUR
357+	0.46 EUR
358+	0.44 EUR
375+	0.4 EUR
376+	0.39 EUR
500+	0.36 EUR

Mindestbestellmenge: 340 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R4K5P7ATMA1

auf Bestellung 2581 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

113+	2.21 EUR
171+	1.36 EUR
250+	0.86 EUR
500+	0.68 EUR
1000+	0.6 EUR

Mindestbestellmenge: 113 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R600P7

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R600P7

MOSFETs LOW POWER_NEW

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R600P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.31 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R600P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R600P7ATMA1

Description: INFINEON - IPD80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 1299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.08 EUR
112+	1.93 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R600P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R600P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 1978 Stücke:

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1+	3.77 EUR
10+	2.45 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.32 EUR
1000+	1.23 EUR
2500+	1.07 EUR

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IPD80R600P7ATMA1

auf Bestellung 1299 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

53+	4.72 EUR
76+	3.08 EUR
112+	1.93 EUR
500+	1.54 EUR
1000+	1.42 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

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IPD80R600P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V

auf Bestellung 3576 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.52 EUR
10+	2.9 EUR
100+	1.98 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.45 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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IPD80R600P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2450 Stücke:

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81+	2.13 EUR
86+	1.98 EUR
114+	1.45 EUR
200+	1.36 EUR
500+	1.27 EUR
2000+	1.25 EUR

Mindestbestellmenge: 81 Stücke

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IPD80R750P7

auf Bestellung 2500 Stücke:

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IPD80R750P7

MOSFET LOW POWER_NEW

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IPD80R750P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

540+	1.2 EUR
1000+	1.12 EUR

Mindestbestellmenge: 540 Stücke

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IPD80R750P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.13 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD80R750P7ATMA1

Description: INFINEON - IPD80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 51W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

102+	2.46 EUR
124+	1.88 EUR
159+	1.36 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 102 Stücke

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IPD80R750P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

82+	2.09 EUR
87+	1.95 EUR
115+	1.45 EUR
200+	1.34 EUR
500+	1.13 EUR
2000+	1.11 EUR

Mindestbestellmenge: 82 Stücke

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IPD80R750P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 4463 Stücke:

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1+	3.92 EUR
10+	2.51 EUR
100+	1.69 EUR
500+	1.34 EUR
1000+	1.23 EUR
2500+	1.11 EUR
5000+	1 EUR

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IPD80R750P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD80R750P7ATMA1

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

81+	3.09 EUR
116+	2.01 EUR
148+	1.45 EUR
500+	1.23 EUR
1000+	1 EUR

Mindestbestellmenge: 81 Stücke

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IPD80R750P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 500 V

auf Bestellung 3356 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	3.97 EUR
10+	2.53 EUR
50+	1.92 EUR
100+	1.71 EUR
500+	1.37 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

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IPD80R750P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD80R900P7

MOSFET LOW POWER_NEW

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IPD80R900P7

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active

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IPD80R900P7

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

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IPD80R900P7ATMA1

INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

auf Bestellung 2458 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

38+	2.28 EUR
58+	1.48 EUR
68+	1.26 EUR
82+	1.05 EUR
100+	1 EUR
500+	0.84 EUR

Mindestbestellmenge: 38 Stücke

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IPD80R900P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD80R900P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

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IPD80R900P7ATMA1

Description: INFINEON - IPD80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2154 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	3.45 EUR
108+	2.17 EUR
153+	1.4 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	0.98 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R900P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V

auf Bestellung 4413 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	3.03 EUR
11+	1.93 EUR
100+	1.3 EUR
500+	1.02 EUR
1000+	0.93 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

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IPD80R900P7ATMA1

MOSFETs LOW POWER_NEW

auf Bestellung 7500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.8 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.65 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.18 EUR
2500+	1.08 EUR
10000+	0.95 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R900P7ATMA1

Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R900P7ATMA1

Description: INFINEON - IPD80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2132 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	3.68 EUR
107+	2.18 EUR
161+	1.33 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.89 EUR

Mindestbestellmenge: 69 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD80R900P7ATMA1

Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	0.81 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P4-07

MOSFETs P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P4-07

Trans MOSFET P-CH 40V 85A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

auf Bestellung 2426 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+	2.87 EUR
100+	2.7 EUR
250+	2.53 EUR
500+	2.39 EUR
1000+	2.27 EUR

Mindestbestellmenge: 60 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P407ATMA1

Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P407ATMA1

Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P407ATMA1

MOSFETs P-Ch -40V -85A OptiMOS-P2

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P407ATMA1

Trans MOSFET P-CH 40V 85A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P407ATMA2

Description: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 7300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7300µohm

auf Bestellung 5007 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

56+	4.47 EUR
76+	3.06 EUR
106+	2.03 EUR
500+	1.65 EUR
1000+	1.49 EUR

Mindestbestellmenge: 56 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P407ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P407ATMA2

Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.07 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P407ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	2.06 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P407ATMA2

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 17354 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	3.36 EUR
10+	2.32 EUR
100+	1.63 EUR
500+	1.3 EUR
1000+	1.2 EUR
2500+	1.07 EUR
5000+	1.05 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P407ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 5000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.46 EUR
5000+	1.38 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P407ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2470 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

63+	2.75 EUR
68+	2.5 EUR
100+	2.21 EUR
200+	2.05 EUR
500+	1.81 EUR
1000+	1.64 EUR
2000+	1.61 EUR

Mindestbestellmenge: 63 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P407ATMA2

Description: INFINEON - IPD85P04P407ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

auf Bestellung 2396 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.36 EUR
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IPD85P04P407ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD85P04P407ATMA2

Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6085 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 4940 Stücke:

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6+	3.5 EUR
10+	2.39 EUR
100+	1.62 EUR
500+	1.29 EUR
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IPD85P04P407ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 107500 Stücke:

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IPD85P04P4L-06

MOSFETs P-Ch -40V -85A DPAK-2 OptiMOS-P2

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IPD85P04P4L06ATMA1

Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm

auf Bestellung 30392 Stücke:

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87+	2.9 EUR
109+	2.14 EUR
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IPD85P04P4L06ATMA1

Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD85P04P4L06ATMA1

MOSFETs N

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IPD85P04P4L06ATMA1

Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 6400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS P2
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm

auf Bestellung 30392 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

100+	2.9 EUR
109+	2.14 EUR
121+	1.77 EUR
500+	1.31 EUR
1000+	1.29 EUR

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IPD85P04P4L06ATMA2

Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm

auf Bestellung 956 Stücke:

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100+	2.9 EUR
119+	1.8 EUR
500+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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IPD85P04P4L06ATMA2

Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2500+	1.4 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD85P04P4L06ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2250 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

69+	2.51 EUR
82+	2.07 EUR
100+	1.92 EUR
200+	1.78 EUR
500+	1.58 EUR
1000+	1.56 EUR
2000+	1.52 EUR

Mindestbestellmenge: 69 Stücke

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IPD85P04P4L06ATMA2

MOSFETs MOSFET_(20V 40V)

auf Bestellung 2011 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	4.06 EUR
10+	1.98 EUR
100+	1.76 EUR
500+	1.4 EUR
1000+	1.31 EUR
2500+	1.18 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P4L06ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

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IPD85P04P4L06ATMA2

Description: INFINEON - IPD85P04P4L06ATMA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 85 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 88W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS-P2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm

auf Bestellung 956 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

52+	4.84 EUR
80+	2.9 EUR
119+	1.8 EUR
500+	1.43 EUR

Mindestbestellmenge: 52 Stücke

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IPD85P04P4L06ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P4L06ATMA2

Description: MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +5V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6580 pF @ 25 V

auf Bestellung 8257 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	4.84 EUR
10+	3.12 EUR
100+	2.13 EUR
500+	1.71 EUR
1000+	1.58 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P4L06ATMA2

Trans MOSFET P-CH 40V 85A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2500+	1.26 EUR

Mindestbestellmenge: 2500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IPD85P04P4L06ATMA2