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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUK9620-100A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6385 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-100B,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; Idm: 253A; 203W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 253A
Power dissipation: 203W
Case: D2PAK; SOT404
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.3 EUR
102+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-100B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-100B,118NexperiaMOSFETs BUK9620-100B/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 3047 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+3.22 EUR
100+2.45 EUR
500+1.89 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-100B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9620-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.58V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 24 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 63A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
75+2.3 EUR
102+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 75 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-100B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-100B,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-100B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9620-100B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.0156 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.58V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0156ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-55
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-55APHILIPSTO-263
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-55ANexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-55A /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-55A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
auf Bestellung 4217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-55A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 54A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
200+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 200 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 54A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 118W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-55A/C1,118NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620-55A/C1118Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9620100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962055
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962055A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962130
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9623-75APHILIPSTO-263
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9623-75A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 138W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962375A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9624-55
auf Bestellung 1544 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9624-55ANexperiaNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9624-55ANXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9624-55A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9624-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0217 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9624-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 46A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1815 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9624-55A,118
Produktcode: 179304
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9624-55A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9624-55A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9624-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 46 A, 0.0217 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9624-55A/C1,118NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9624-55A118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK9624-55A - POWER
Packaging: Bulk
Part Status: Active
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
515+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 515 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962455
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962455A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9628-100APHILIPS
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9628-100A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.07 EUR
500+2.88 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9628-100A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 49A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 289 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9628-100A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9628-100A,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 11098 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9628-100A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1863 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.07 EUR
500+2.88 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9628-100A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4293 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9628-100A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.07 EUR
500+2.88 EUR
1000+2.65 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9628-100A,118NexperiaMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
auf Bestellung 48 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9628-100A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 49A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
210+3.07 EUR
500+2.88 EUR
Mindestbestellmenge: 210 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9628-55
auf Bestellung 2805 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9628-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9628-55A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9628-55A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 42A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9628100A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962855
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962855A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9629-100B
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9629-100B,118
Produktcode: 187149
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Transistoren > MOSFET N-CH
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BUK9629-100B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9629-100B,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 32A; Idm: 186A; 157W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 186A
Power dissipation: 157W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 33nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9629-100B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 46A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
216+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 216 Stücke
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BUK9629-100B,118NexperiaMOSFETs BUK9629-100B/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 3076 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.84 EUR
10+3.12 EUR
100+2.14 EUR
800+1.49 EUR
2400+1.45 EUR
4800+1.43 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9629-100B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 72 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.77 EUR
10+3.07 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BUK9629-100B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9629-100B,118 - MOSFET
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
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BUK9629100B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUK962R1-40E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+4.26 EUR
500+3.96 EUR
1000+3.67 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R1-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 3369 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
115+4.77 EUR
Mindestbestellmenge: 115 Stücke
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BUK962R1-40E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 340 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+4.26 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R1-40E,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R1-40E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
152+4.26 EUR
500+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 152 Stücke
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BUK962R5-60E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; Idm: 1008A; 349W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1008A
Power dissipation: 349W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R5-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R5-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
auf Bestellung 3034 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.95 EUR
10+6.59 EUR
50+5.15 EUR
100+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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BUK962R5-60E,118NexperiaMOSFETs BUK962R5-60E/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.85 EUR
10+5.84 EUR
100+4.27 EUR
500+3.44 EUR
800+3.09 EUR
2400+3.06 EUR
4800+3.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R5-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.69 EUR
2400+3.36 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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BUK962R5-60E118NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA BUK962R5-60E 120A,
auf Bestellung 617 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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BUK962R6-40E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 254 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R6-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
auf Bestellung 640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
91+6.08 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R6-40E,118NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R6-40E,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R6-40E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80.6 nC @ 32 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10285 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R6-40E,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 885A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 885A
Power dissipation: 263W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R6-40E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4750 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.41 EUR
500+5.06 EUR
1000+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R8-30B
auf Bestellung 566 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R8-30B,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R8-30B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10185 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R8-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+7.37 EUR
100+6.9 EUR
500+6.4 EUR
1000+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R8-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.71 EUR
10+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R8-60E,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 4540 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+7.37 EUR
100+6.9 EUR
500+6.4 EUR
1000+5.91 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R8-60E,118NexperiaMOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R8-60E,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 324W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK962R830B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9635-100APHILIPSTO-263
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9635-100A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 41A D2PAK
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3573 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 149W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
FET Type: N-Channel
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9635-100A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9635-100A-118NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9635-55
auf Bestellung 935 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9635-55,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 17A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9635-55ANexperiaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9635-55A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9635-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 34 A, 0.024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1237 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.17 EUR
500+1.78 EUR
1000+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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BUK9635-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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