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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMT80080DConsemi / FairchildMOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
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1+6.94 EUR
10+5.81 EUR
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1000+4.86 EUR
3000+4.36 EUR
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FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1524 Stücke:
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38+4.69 EUR
39+4.55 EUR
40+4.38 EUR
100+4.21 EUR
250+4.08 EUR
500+3.95 EUR
1000+3.8 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
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39+4.45 EUR
40+4.21 EUR
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500+3.55 EUR
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FDMT80080DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
auf Bestellung 84 Stücke:
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15+16.67 EUR
50+10.12 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
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123+5.43 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
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FDMT80080DConsemiMOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
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1+13.3 EUR
10+8.69 EUR
100+6.41 EUR
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FDMT80080DConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V
auf Bestellung 14890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.95 EUR
10+8.69 EUR
50+6.85 EUR
100+6.27 EUR
500+5.83 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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FDMT80080DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Case: DFNW8
Kind of package: reel; tape
Drain current: 160A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.22mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1453A
Power dissipation: 156W
Gate charge: 273nC
Polarisation: unipolar
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FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMW2512NZFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
auf Bestellung 65743 Stücke:
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1374+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 1374 Stücke
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