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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
FDMS9409_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 65A
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDMS9410-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A 8PQFN
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS9410-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A 8PQFN
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FDMS9410-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET NMOS PWR56 40V 4.4 MOHM
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDMS9410-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 50A 8PQFN
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FDMS9410L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PQFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS9410L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40/20V 550A NChnl LL Power Trench MOSFET
auf Bestellung 7498 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDMS9410L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 50A 8-Pin PQFN EP T/R Automotive AEC-Q101
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS9411-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40/20V 740A N-Ch Power Trench MOSFET
auf Bestellung 5952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDMS9411-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 8PQFN
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FDMS9411-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 8PQFN
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FDMS9411-F085ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 8PQFN
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FDMS9411L-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V NChnl LogicLevel Power Trench MOSFET
auf Bestellung 14340 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FDMS9600SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS9600S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+7.43 EUR
52+4.47 EUR
100+3.17 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9600SFairchild
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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FDMS9600Sonsemi / FairchildMOSFET 30V PowerTrench
auf Bestellung 3420 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.86 EUR
10+4.05 EUR
100+3.2 EUR
250+3.08 EUR
500+2.7 EUR
1000+2.31 EUR
3000+2.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9600SONSEMIDescription: ONSEMI - FDMS9600S - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2831 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.17 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9600SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 12A/16A 8-Pin MLP EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9600SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 12A 8MLP PWR56
Supplier Device Package: 8-MLP (5x6), Power56
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A, 16A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.5A/10A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.5A/10A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 1524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
190+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 190 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9620SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP PWR56
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.5A/10A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
493+1.32 EUR
547+1.18 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 493 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9620S
Produktcode: 57035
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.5A/10A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 351000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
493+1.32 EUR
547+1.18 EUR
1000+1.06 EUR
10000+0.93 EUR
100000+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 493 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.5A/10A 8-Pin WDFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9620SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP PWR56
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.5A/10A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 13769 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
493+1.32 EUR
547+1.18 EUR
1000+1.06 EUR
10000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 493 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9620SonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8MLP PWR56
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9620SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 7.5A/10A 8-Pin WDFN EP T/R
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMS9620SON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V Dual N-Ch PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 4002 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT1D3N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 164A 8DL COOL88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19600 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT1D3N08BONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 103A; Idm: 864A; 178W; PQFN8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 103A
Pulsed drain current: 864A
Power dissipation: 178W
Case: PQFN8
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 260nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT1D3N08Bonsemi / FairchildMOSFETs MV7 80V N chDualCool PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT1D3N08BonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 164A 8DL COOL88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19600 pF @ 40 V
auf Bestellung 2610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.61 EUR
10+9.23 EUR
100+6.76 EUR
500+5.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 102A; Idm: 989A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 102A
Pulsed drain current: 989A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+12.98 EUR
10+9.94 EUR
100+9.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DConsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 100 V, 162 A, 2.95 mO
auf Bestellung 2251 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.07 EUR
10+9.48 EUR
100+8.46 EUR
1000+8.16 EUR
3000+7.9 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.62 EUR
22+8.14 EUR
25+7.87 EUR
100+7.08 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
18+14.54 EUR
20+12.07 EUR
22+9.81 EUR
50+9.02 EUR
100+8.06 EUR
250+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+9.62 EUR
22+7.96 EUR
25+7.57 EUR
100+6.7 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DCOn SemiconductorMOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 24A/162A 8DUAL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+9.62 EUR
100+9 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 24A 8-Pin TDFNW EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DCONN
auf Bestellung 2530 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT800100DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 162 A, 2300 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 162A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+8.06 EUR
250+7.88 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DC-22897onsemiDescription: FET 100V 2.95 MOHM PQFN88
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 162A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7835 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800100DC-22897onsemiMOSFET FET 100V 2.95 MOHM PQFN88
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 3450 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3450µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.38 EUR
21+11.23 EUR
24+9.26 EUR
50+8.76 EUR
100+8.27 EUR
250+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DConsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+6.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DConsemiMOSFETs 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 2188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.68 EUR
10+10.69 EUR
100+7.85 EUR
500+7.75 EUR
1000+7.22 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT800120DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 128 A, 3450 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3450µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 1333 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+13.38 EUR
21+11.23 EUR
24+9.26 EUR
50+8.76 EUR
100+8.27 EUR
250+8.09 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 20A 8-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 81A; Idm: 767A; 156W; DFNW8
Pulsed drain current: 767A
Power dissipation: 156W
Gate charge: 107nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 81A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DFNW8
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DConsemiDescription: MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 129A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.2 EUR
10+9.64 EUR
100+7.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DConsemi / FairchildMOSFETs 120V NChnl Dual Cool PowerTrench MOSFET
auf Bestellung 645 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.47 EUR
10+7.83 EUR
100+7.52 EUR
1000+6.53 EUR
3000+6.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 120V 20A 8-Pin QFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DCON Semiconductor
auf Bestellung 25990 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DC-22897onsemiDescription: FET 120V 4.2 MOHM PQFN88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 128A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800120DC-22897onsemiMOSFET FET 120V 4.2 MOHM PQFN88
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800150DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 15A/99A 8DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8205 pF @ 75 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+7.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800150DConsemiMOSFETs N-Channel Dual CoolTM 88 PowerTrench MOSFET 150 V, 99 A, 6.5 mOhm
auf Bestellung 718 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.02 EUR
10+11.33 EUR
100+8.71 EUR
500+8.69 EUR
1000+8.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800150DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 62A; Idm: 561A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 561A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 108nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800150DCONN
auf Bestellung 2031 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800150DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 15A/99A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8205 pF @ 75 V
auf Bestellung 8773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+17.49 EUR
10+11.96 EUR
100+8.88 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800150DC-22897onsemiDescription: FET 150V 6.5 MOHMS PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8205 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800150DC-22897onsemiMOSFET FET 150V 6.5 MOHMS PQFN88
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800152DConsemiMOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 150 V, 72 A, 9.0 mO
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+14.36 EUR
10+9.73 EUR
100+6.94 EUR
500+6.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800152DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8 DUAL COOL88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 75 V
auf Bestellung 2694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+14.03 EUR
10+9.51 EUR
100+6.95 EUR
500+6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800152DConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 8 DUAL COOL88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 75 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800152DConsemi / FairchildMOSFETs N-Channel Dual Cool 88 PowerTrench MOSFET 150 V, 72 A, 9.0 mO
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+12.71 EUR
10+8.73 EUR
100+6.89 EUR
1000+6.07 EUR
3000+5.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT800152DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 45A; Idm: 413A; 113W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 413A
Power dissipation: 113W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 83nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80040DConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+13.48 EUR
10+10.28 EUR
100+8.31 EUR
500+8.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80040DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80040DCONN
auf Bestellung 895 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80040DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Dual Cool PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+10.47 EUR
250+10.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80040DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+6.71 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80040DConsemi / FairchildMOSFETs 40 V N-Channel Dual CoolTM 88 PowerTrench MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80040DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 265A; Idm: 2644A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 265A
Pulsed drain current: 2644A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 338nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80040DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4197 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+8.33 EUR
24+7.28 EUR
25+6.94 EUR
100+6 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80040DConsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 420A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26110 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 338 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.56mOhm @ 64A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80040DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Dual Cool PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+11.6 EUR
21+10.63 EUR
50+10.56 EUR
100+10.47 EUR
250+10.39 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80040DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1660 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+9.15 EUR
23+7.62 EUR
25+7.21 EUR
100+5.59 EUR
250+5.03 EUR
500+4.52 EUR
1000+3.82 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80040DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DConsemiMOSFETs 60V Nch Dual Cool Power Trench MOSFET
auf Bestellung 4694 Stücke:
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1+16.92 EUR
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100+8.57 EUR
1000+7.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 1825A; 156W; DFNW8
Kind of package: reel; tape
Case: DFNW8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 238nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 156W
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 1825A
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 8-Pin TDFNW EP T/R
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 292A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20170 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 8-Pin TDFNW EP T/R
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.94 EUR
26+6.68 EUR
100+6.43 EUR
250+6.22 EUR
500+6.02 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80060DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 292 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 292A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.81 EUR
50+11.67 EUR
100+9.23 EUR
500+9.19 EUR
1500+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 8-Pin TDFNW EP T/R
auf Bestellung 508 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+6.78 EUR
26+6.43 EUR
100+6.08 EUR
250+5.74 EUR
500+5.4 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DCONN
auf Bestellung 8954 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 292A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20170 pF @ 30 V
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+15.24 EUR
10+10.39 EUR
100+8.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80060DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80060DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 292 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 292A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5151 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.81 EUR
50+11.67 EUR
100+9.23 EUR
500+9.19 EUR
1500+9.06 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3849 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.75 EUR
50+7.54 EUR
100+6.1 EUR
500+5.89 EUR
1500+5.76 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 1524 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.58 EUR
39+4.34 EUR
40+4.12 EUR
100+3.9 EUR
250+3.68 EUR
500+3.47 EUR
1000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DConsemi / FairchildMOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
auf Bestellung 4046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.94 EUR
10+5.81 EUR
100+5.09 EUR
500+5.05 EUR
1000+4.86 EUR
3000+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 224220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
123+5.31 EUR
Mindestbestellmenge: 123 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FDMT80080DCONN
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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