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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SI3872DV-T1-E3
auf Bestellung 3000 Stücke:
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SI3879DV
auf Bestellung 12000 Stücke:
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SI3879DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
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SI3879DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
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SI3879DVT1E3
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SI3900DVVISHAY
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SI3900DV-T1-E3VishayTSOP-6 Транзистори
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SI3900DV-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI3900DV-T1-E3 - DUAL N CHANNEL, MOSFET, 20V, 2.4A, TSOP-
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 2
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.125
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3900DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.56 EUR
6000+0.52 EUR
9000+0.5 EUR
15000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3900DV-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs TSOP N CHAN 20V
auf Bestellung 114732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.49 EUR
10+1.74 EUR
100+1.36 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.93 EUR
3000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SI3900DV-T1-E3Vishay Siliconix2N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 2 А, Qg, нКл = 4 @ 4,5 В, Rds = 125 мОм @ 2,4 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,83, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TSOT-23-6 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI3900DV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET TSOP6 20V DUAL N-CH (D-S) TREN
auf Bestellung 16616 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3900DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 34004 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.24 EUR
15+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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SI3900DV-T1-E3VISHAY
auf Bestellung 6765 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3900DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3900DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 61632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.57 EUR
10+1.68 EUR
100+1.21 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.84 EUR
3000+0.77 EUR
6000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3900DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
auf Bestellung 7142 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
15+1.48 EUR
100+1.15 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3900DVT1E3VISHAYSMD
auf Bestellung 2802000 Stücke:
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SI3905DV
auf Bestellung 6200 Stücke:
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SI3905DV-T1VISHAY
auf Bestellung 10000 Stücke:
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SI3905DV-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI3905DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 6TSOP
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
Power - Max: 1.15W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3905DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SI3909DV-T1
auf Bestellung 85494 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SI3909DV-T1-E3
auf Bestellung 22000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3909DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3909DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3911DVVISHAY06+ SOT-163
auf Bestellung 3460 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3911DV-T1Vishay SiliconixDual_PNP Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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SI3911DV-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3993CDV-T1-GE3
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SI3911DV-T1VISHAY0420+
auf Bestellung 2967 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3911DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 2.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 830mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3911DV-T1-E3VISHAY06+
auf Bestellung 66000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3911DV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3993CDV-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3911DV-T1-E3-SVishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3911DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI3993CDV-T1-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3911DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3911DV-T13-E3
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3911DV-T3Vishay / SiliconixMOSFET 20V P-CH 220OHM 2.5V
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3911DV-T3-E3VISHAY09+
auf Bestellung 540018 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3911DV-T3-E3Vishay / SiliconixMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3911DV-T3-E3/11XAKVISHAY
auf Bestellung 36200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3915DVVISHAY
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3915DV-T1VISHAY
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3915DV-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI392SISOP-8
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3932DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3932DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3932DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
202+1.15 EUR
278+0.77 EUR
500+0.63 EUR
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3932DV-T1-GE3Vishay Siliconix2N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 1,4, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 235 @ 15, Qg, нКл = 6 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 3,4 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3932DV-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI3932DV-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.047 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.047ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2904 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
113+2.21 EUR
202+1.15 EUR
278+0.77 EUR
500+0.63 EUR
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 113 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3932DV-T1-GE3
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3932DV-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 6-Pin TSOP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Si3932DV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 80897 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.83 EUR
10+1.04 EUR
100+0.75 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
3000+0.45 EUR
6000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI394
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3948DVFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2004 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3948DVSI00+ SOT-323-6
auf Bestellung 282999 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3948DV-T1SI
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3948DV-T1-E3VISHAY09+
auf Bestellung 50618 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3948DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.15W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3948DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3951-KUR
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3951DV
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3951DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3951DV-T1-E3
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3951DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3951DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3951DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 2.7A 2.0W 115mohm @ 4.5V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3951DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3961-KU
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3963-KU
auf Bestellung 96 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SI3973DV-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 2.7A 0.83W
Produkt ist nicht verfügbar
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SI3973DV-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 12V 2.7A 1.15W 87mohm @ 4.5V
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SI3981DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
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SI3981DV-T1-E3
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SI3981DV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
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SI3983DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
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SI3983DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
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SI3983DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6-TSOP
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Si3993CDV-T1-E3
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SI3993CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
auf Bestellung 44342 Stücke:
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15+1.46 EUR
24+0.9 EUR
50+0.67 EUR
100+0.58 EUR
500+0.45 EUR
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SI3993CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
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SI3993CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
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SI3993CDV-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
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3+1.49 EUR
10+0.93 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.33 EUR
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SI3993CDV-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
auf Bestellung 42000 Stücke:
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3000+0.35 EUR
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SI3993CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
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SI3993CDV-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin TSOP T/R
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SI3993DV
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SI3993DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
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SI3993DV-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP
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SI3993DV-T1-E3
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SI3P40A
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