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Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R

auf Bestellung 28169 Stücke:

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1325+	0.13 EUR
1486+	0.11 EUR
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DTD513ZMGT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

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DTD513ZMGT2L

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr 500mA12V w/bias rstr

auf Bestellung 6759 Stücke:

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4+	0.94 EUR
10+	0.71 EUR
100+	0.45 EUR
500+	0.31 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DTD513ZMGT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

auf Bestellung 5 Stücke:

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DTD513ZMT2L

Bipolar Transistors - Pre-Biased RECOMMENDED ALT 755-DTD513ZMGT2L

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Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

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DTD513ZMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

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DTD523YE3TL

Description: ROHM - DTD523YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD523Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2770 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

238+	1.05 EUR
390+	0.6 EUR
614+	0.35 EUR
893+	0.24 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 238 Stücke

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DTD523YE3TL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

20+	1.07 EUR
32+	0.67 EUR
100+	0.43 EUR
500+	0.32 EUR
1000+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 20 Stücke

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DTD523YE3TL

Description: ROHM - DTD523YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD523Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2770 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

238+	1.05 EUR
390+	0.6 EUR
614+	0.35 EUR
893+	0.24 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 238 Stücke

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DTD523YE3TL

Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

auf Bestellung 5580 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1 EUR
10+	0.65 EUR
100+	0.32 EUR
1000+	0.27 EUR
3000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DTD523YE3TL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DTD523YETL

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R

auf Bestellung 790 Stücke:

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Mindestbestellmenge: 319 Stücke

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DTD523YETL

Digital Transistors NPN Digital Transistor

auf Bestellung 1831 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.92 EUR
10+	0.64 EUR
100+	0.29 EUR
1000+	0.24 EUR
3000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DTD523YETL

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

626+	0.27 EUR
649+	0.26 EUR
1000+	0.25 EUR
2500+	0.24 EUR

Mindestbestellmenge: 626 Stücke

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DTD523YETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

auf Bestellung 1963 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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DTD523YMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

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DTD523YMT2L

Digital Transistors TRANSISTOR

auf Bestellung 2334 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.86 EUR
10+	0.64 EUR
100+	0.44 EUR
1000+	0.27 EUR
2500+	0.2 EUR
8000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD543EE3TL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DTD543EE3TL

Description: ROHM - DTD543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	1 EUR
409+	0.57 EUR
642+	0.33 EUR
935+	0.23 EUR
1045+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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DTD543EE3TL

Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

auf Bestellung 5840 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.83 EUR
10+	0.51 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.24 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.19 EUR
6000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD543EE3TL

Description: ROHM - DTD543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 2860 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

250+	1 EUR
409+	0.57 EUR
642+	0.33 EUR
935+	0.23 EUR
1045+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 250 Stücke

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DTD543EE3TL

Trans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R

auf Bestellung 79 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 79 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD543EE3TL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

auf Bestellung 2922 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.83 EUR
41+	0.52 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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DTD543EETL

Digital Transistors TRANSISTOR

auf Bestellung 25 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.88 EUR
10+	0.62 EUR
100+	0.27 EUR
1000+	0.21 EUR
3000+	0.18 EUR
9000+	0.17 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD543EETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD543EETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

auf Bestellung 5025 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.86 EUR
40+	0.52 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD543EMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

23+	0.94 EUR
36+	0.58 EUR
100+	0.37 EUR
500+	0.27 EUR
1000+	0.25 EUR
2000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 23 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD543EMT2L

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R

auf Bestellung 14130 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1764+	0.099 EUR

Mindestbestellmenge: 1764 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD543EMT2L

auf Bestellung 8000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD543EMT2L

Digital Transistors TRANSISTOR

auf Bestellung 7415 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.98 EUR
10+	0.61 EUR
100+	0.38 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.24 EUR
5000+	0.19 EUR
8000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD543EMT2L

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R

auf Bestellung 325 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

325+	0.74 EUR

Mindestbestellmenge: 325 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD543XE3TL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

auf Bestellung 2980 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.83 EUR
41+	0.52 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD543XE3TL

Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

auf Bestellung 6000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.88 EUR
10+	0.63 EUR
100+	0.31 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD543XE3TL

Description: ROHM - DTD543XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

280+	0.89 EUR
459+	0.51 EUR
720+	0.3 EUR
962+	0.23 EUR
1079+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 280 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD543XE3TL

Trans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R

auf Bestellung 10 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 10 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD543XE3TL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD543XE3TL

Description: ROHM - DTD543XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -

auf Bestellung 2800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

280+	0.89 EUR
459+	0.51 EUR
720+	0.3 EUR
962+	0.23 EUR
1079+	0.2 EUR

Mindestbestellmenge: 280 Stücke

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DTD543XETL

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 150mW 3-Pin EMT T/R

auf Bestellung 5185 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

596+	0.48 EUR
1000+	0.36 EUR
2000+	0.21 EUR
3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 596 Stücke

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DTD543XETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.86 EUR
40+	0.52 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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DTD543XETL

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 150mW 3-Pin EMT T/R

auf Bestellung 2175 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1123+	0.15 EUR
1161+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 1123 Stücke

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DTD543XETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DTD543XETL

Digital Transistors TRANSISTOR

auf Bestellung 1650 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	1.04 EUR
10+	0.67 EUR
100+	0.42 EUR
1000+	0.26 EUR
3000+	0.19 EUR
9000+	0.17 EUR
24000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DTD543XMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

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DTD543XMT2L

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR

Produkt ist nicht verfügbar

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DTD543ZE3TL

Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

auf Bestellung 6388 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.88 EUR
10+	0.63 EUR
100+	0.37 EUR
1000+	0.29 EUR
3000+	0.21 EUR
9000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

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DTD543ZE3TL

Trans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R

auf Bestellung 100 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 100 Stücke

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DTD543ZE3TL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 55 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.83 EUR
41+	0.52 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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DTD543ZE3TL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DTD543ZETL

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R

auf Bestellung 1740 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

632+	0.27 EUR
656+	0.26 EUR
1000+	0.25 EUR

Mindestbestellmenge: 632 Stücke

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DTD543ZETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

25+	0.86 EUR
40+	0.52 EUR
100+	0.33 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.23 EUR

Mindestbestellmenge: 25 Stücke

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DTD543ZETL

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR

auf Bestellung 2966 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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DTD543ZETL

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R

auf Bestellung 3857 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

542+	0.48 EUR
1000+	0.35 EUR
2000+	0.29 EUR
3000+	0.26 EUR

Mindestbestellmenge: 542 Stücke

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DTD543ZETL

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DTD543ZMT2L

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R

auf Bestellung 7964 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1051+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 1051 Stücke

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DTD543ZMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

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DTD543ZMT2L

Digital Transistors TRANSISTOR

auf Bestellung 6993 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.77 EUR
10+	0.49 EUR
100+	0.32 EUR
1000+	0.25 EUR
2500+	0.2 EUR
8000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

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DTD543ZMT2L

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R

auf Bestellung 2893 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

519+	0.45 EUR
1000+	0.38 EUR
2000+	0.3 EUR

Mindestbestellmenge: 519 Stücke

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DTD713ZETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DTD713ZETL

Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA 3PIN

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD713ZMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD713ZMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

auf Bestellung 7527 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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DTD713ZMT2L

Digital Transistors TRNSISTR DIGI NPN 200MA

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

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DTD713ZMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

auf Bestellung 7527 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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DTD723YETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD723YETL

Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

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DTD723YMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

auf Bestellung 3426 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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DTD723YMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

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DTD723YMT2L

Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA TR

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

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DTD723YMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

auf Bestellung 3426 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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DTD743EETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

auf Bestellung 1 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

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DTD743EETL

Digital Transistors TRANSISTOR

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD743EETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD743EMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD743EMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD743EMT2L

Digital Transistors TRANSISTOR

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD743XETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

auf Bestellung 2860 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.88 EUR
34+	0.63 EUR
100+	0.32 EUR
500+	0.29 EUR
1000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD743XETL

Digital Transistors DIGI 200MA/30V 3EMT

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD743XETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD743XMT2L

Digital Transistors DIGI 200MA/30V 3VMT

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD743XMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD743ZETL

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD743ZETL

Digital Transistors TRANSISTOR

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD743ZMT2L

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTD743ZMT2L

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTDEG2/128GB

Kingston Technology

Description: 128GB USB-A + USB-C 3.2 GEN 1 DA
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 64.00mm L x 21.20mm W x 10.40mm H
Memory Size: 128GB
Memory Type: FLASH - NAND
Type: USB 3.2
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C

auf Bestellung 107 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	43.59 EUR
10+	40.38 EUR
25+	39.09 EUR
50+	38.14 EUR
100+	37.19 EUR

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DTDEG2/128GB

Kingston

USB Flash Drives 128GB USB-A + USB-C 3.2 Gen 1 DataTraveler DuoG2

auf Bestellung 140 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	42.77 EUR
10+	39.63 EUR
25+	38.35 EUR
50+	37.4 EUR
100+	36.49 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTDEG2/128GB

KINGSTON TECHNOLOGY

Category: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.2 Gen 1; 128GB; DataTraveler Duo; green; 0÷60°C
Type of data storage device: pendrive
Memory capacity: 128GB
Operating temperature: 0...60°C
Manufacturer series: DataTraveler Duo
Colour: green
Version: USB 3.2 Gen 1
Connection: USB A; USB C

auf Bestellung 3 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3+	28.37 EUR

Mindestbestellmenge: 3 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTDEG2/256GB

Kingston Technology

Description: 256GB USB-A + USB-C 3.2 GEN 1 DA
Packaging: Bulk
Memory Size: 256GB
Memory Type: FLASH - NAND
Type: USB 3.2
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Size / Dimension: 64.00mm L x 21.20mm W x 10.40mm H

auf Bestellung 17 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	89.1 EUR
10+	82.34 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTDEG2/256GB

Kingston

USB Flash Drives 256GB USB-A + USB-C 3.2 Gen 1 DataTraveler DuoG2

auf Bestellung 90 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

1+	87.42 EUR
10+	80.8 EUR
25+	78.16 EUR
100+	74.3 EUR

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTDEG2/256GB

KINGSTON TECHNOLOGY

Category: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.2 Gen 1; 256GB; DataTraveler Duo; green; 0÷60°C
Version: USB 3.2 Gen 1
Colour: green
Type of data storage device: pendrive
Connection: USB A; USB C
Operating temperature: 0...60°C
Memory capacity: 256GB
Manufacturer series: DataTraveler Duo

auf Bestellung 2 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2+	56.2 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTDG14GP
Produktcode: 106265

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTDG14GP

SOT89

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTDG14GP/EO1P

auf Bestellung 941 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTDG14GPDHZGT100

Digital Transistors DTDG14GPDHZG is a digital transistor (with built-in resistor and zener diode), suitable for driver. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.

auf Bestellung 749 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

2+	1.78 EUR
10+	1.11 EUR
100+	0.73 EUR
500+	0.55 EUR
1000+	0.5 EUR
2000+	0.43 EUR
5000+	0.39 EUR

Mindestbestellmenge: 2 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DTDG14GPDHZGT100

Description: NPN, TO-243 (SOT-89), R2 ALONE T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101

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DTDG14GPDHZGT100

Description: NPN, TO-243 (SOT-89), R2 ALONE T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101

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DTDG14GPDT100

Digital Transistors NPN, SOT-89, R2 Alone Type Digital Transistor (with built-in resistor and zener diode) : DTDG14GPD is a digital transistor (with built-in resistor and zener diode), suitable for driver.

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DTDG14GPFRAT100

Description: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 1
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-89
Bauform - HF-Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

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123+	1.9 EUR

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DTDG14GPFRAT100

Description: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-89
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

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DTDG14GPT100