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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
HUF75545P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+5.45 EUR
55+3.13 EUR
100+2.3 EUR
500+2.11 EUR
1600+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545P3FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 3350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+5.41 EUR
56+3.05 EUR
100+2.2 EUR
500+1.99 EUR
1600+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545P3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545P3_Qonsemi / FairchildMOSFET 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545P3_R4932Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3FAIRCHILDHUF75545S3
auf Bestellung 1223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
auf Bestellung 3333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
222+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 222 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3FAIRCHILDHUF75545S3
auf Bestellung 1729 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
41+4.26 EUR
50+3.5 EUR
100+3.02 EUR
200+2.82 EUR
500+2.76 EUR
800+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3ST
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 27200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
auf Bestellung 481 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.94 EUR
10+4.53 EUR
100+3.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3STonsemiMOSFETs 75a 80V 0.010 Ohm N-Ch MOSFET
auf Bestellung 7074 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+4.44 EUR
100+3.12 EUR
500+2.53 EUR
2400+2.39 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3STONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75545S3ST - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 75 A, 0.0082 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 270W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.93 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75545S3ST_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF7554S3SHarris CorporationDescription: HUF755453S - 75A, 80V, 0.010 OHM
auf Bestellung 839 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
217+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 217 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75617D3onsemi / FairchildMOSFET 16a 100V N-Ch 0.090Ohm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75617D3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 16A IPAK
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 5222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1110+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 1110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75617D3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75617D3SFAIRCHILD07+ SOT-252
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75617D3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 16A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 64W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75623P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 4811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
395+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75623S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75623S3Sonsemi / FairchildMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75623S3STonsemi / FairchildMOSFET 22a 100V N-Ch UltraFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75623S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631P
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
auf Bestellung 16024 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
249+2.4 EUR
Mindestbestellmenge: 249 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631S3SFAIRCHILD07+ SOT-263
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631S3SFairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
auf Bestellung 1130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
398+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 398 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.96 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
138+4.32 EUR
Mindestbestellmenge: 138 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8 EUR
10+6.72 EUR
100+5.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631S3STON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631S3STONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 120W; TO263AB
Mounting: SMD
Power dissipation: 120W
Gate charge: 66nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 33A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO263AB
On-state resistance: 40mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631S3STonsemi / FairchildMOSFET 100V NCh PowerMOSFET UltraFET
auf Bestellung 416 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.72 EUR
10+5.93 EUR
25+5.78 EUR
100+5.11 EUR
250+4.99 EUR
500+4.74 EUR
800+4.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631SK8Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V
auf Bestellung 4484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
317+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631SK8FAIRCHILD07+ SO-8
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631SK8TFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5A 8-SOP
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631SK8TFairchildSOP8 08+
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75631SK8T_NB82083Fairchild SemiconductorDescription: N CHANNEL ULTRAFET 100V, 33A, 4
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 25 V
auf Bestellung 651 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
322+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 322 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75637P3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
auf Bestellung 5595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75637S3Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Bulk
auf Bestellung 6080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
185+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 185 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75637S3SonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75637S3SFAIRCHILD
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75637S3STonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75637S3STFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 155W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
auf Bestellung 1429 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75637S3_NR4895ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 400 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 1350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
450+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639G3onsemi / FairchildMOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm
auf Bestellung 803 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.52 EUR
10+3.8 EUR
120+3.28 EUR
510+3.06 EUR
1020+2.93 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
420+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 420 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639G3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639G3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 368 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.7 EUR
44+5.38 EUR
100+4.58 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639G3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO247
Mounting: THT
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 25mΩ
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+3.42 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639G3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 30895 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.04 EUR
30+4.45 EUR
120+3.67 EUR
510+3.08 EUR
1020+2.87 EUR
2010+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639G3onsemiMOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET .25 Ohm
auf Bestellung 475 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.32 EUR
10+4.63 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
auf Bestellung 420 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
420+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 420 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639G3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 450 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639G3ONN
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P
Produktcode: 61772
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 406 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.95 EUR
50+2.98 EUR
100+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.03 EUR
58+2.92 EUR
100+2.53 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3ONS/FAIТранзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3onsemiMOSFETs 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm
auf Bestellung 1236 Stücke:
Lieferzeit 213-217 Tag (e)
1+6.81 EUR
10+4.44 EUR
100+3.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3
Produktcode: 122687
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
FairchildTransistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 56 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 25 мОм
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 2000/9,8
Montage: THT
Produkt ist nicht verfügbar
1+1.52 EUR
10+1.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 200
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 200W
Gate charge: 130nC
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Drain current: 56A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 25mΩ
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+3.47 EUR
28+3.15 EUR
50+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+6.02 EUR
58+2.98 EUR
100+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3-F102onsemi / FairchildMOSFET 100V/53A/0.025 OHM N-CHPWRMOSULTRAFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3-F102ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639P3-F102 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3-F102ON SemiconductorN-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3-F102onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3..ONSEMIDescription: ONSEMI - HUF75639P3.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 56 A, 0.021 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 56
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3_F102Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3_NLFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639P3_Qonsemi / FairchildMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639SINTERSIL
auf Bestellung 9500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 5257 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
180+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3HARRISHUF75639S3
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.74 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.74 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.74 EUR
500+2.57 EUR
1000+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 56A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 56A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.64 EUR
10+4.36 EUR
100+3.05 EUR
800+2.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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HUF75639S3onsemi / FairchildMOSFETs TO-262
auf Bestellung 952 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.02 EUR
10+3.45 EUR
100+2.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
HUF75639S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
auf Bestellung 877 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.74 EUR
500+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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