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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
SUP53P06-20-E3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+4.16 EUR
50+3.82 EUR
100+3.52 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP53P06-20-E3 Transistor
Produktcode: 216282
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP53P06-20-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 104.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP53P06-20-GE3Vishay / SiliconixMOSFET P-Channel 60-V (D-S)
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP57N20 - 33VishayТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP57N20-33
Produktcode: 31579
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Transistoren > MOSFET N-CH
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP57N20-33VishayТранзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP57N20-33Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SUP5
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP57N20-33-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V 57A 300W
auf Bestellung 8320 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.41 EUR
10+4.14 EUR
100+3.97 EUR
500+3.92 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP57N20-33-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.97 EUR
43+3.93 EUR
58+2.8 EUR
59+2.65 EUR
100+2.02 EUR
500+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP57N20-33-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
auf Bestellung 401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.04 EUR
50+5.78 EUR
100+5.28 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP57N20-33-E3VISHAYDescription: VISHAY - SUP57N20-33-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 57 A, 0.027 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.04 EUR
35+6.82 EUR
100+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP57N20-33-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.96 EUR
43+4.01 EUR
58+2.89 EUR
59+2.81 EUR
100+2.19 EUR
500+2.13 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP57N20-33-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.72 EUR
57+2.95 EUR
61+2.67 EUR
68+2.28 EUR
69+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP57N20-33-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 945 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.5 EUR
63+2.74 EUR
98+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP57N20-33-E3
Produktcode: 172747
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP57N20-33-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 636 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+6.63 EUR
30+5.85 EUR
50+5.31 EUR
100+4.59 EUR
500+3.92 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP57N20-33-E3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.57 EUR
69+2.52 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP5853D-3TR
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP6-SRCPHYTektronix License; MIPI C-PHY CSI/DSI protocol decode and search; Node Locked
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP6-SRCPHY-FLTektronix License; MIPI C-PHY CSI/DSI protocol decode and search; Floating
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP6-SRDPHYTektronix License; MIPI D-PHY CSI/DSI protocol decode and search; Node Locked
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP6-SRDPHY-FLTektronix License; MIPI D-PHY CSI/DSI protocol decode and search; Floating
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60020E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N-CH 80V 150A
auf Bestellung 509 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.04 EUR
10+4.14 EUR
100+3.77 EUR
500+3.75 EUR
1000+3.28 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60020E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60020E-GE3VishayMOSFET N-CH 80V TO-220 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60020E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10680 pF @ 40 V
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.39 EUR
50+3.77 EUR
100+3.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60020E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP60020E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 150 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 839 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
26+9.65 EUR
51+4.62 EUR
100+3.88 EUR
500+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 26 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60020E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60030E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.2 EUR
53+4.4 EUR
100+3.7 EUR
500+3.06 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60030E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 141 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7910 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60030E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP60030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 1497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.7 EUR
500+3.06 EUR
1000+3 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60030E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs TO-220
auf Bestellung 384 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.07 EUR
10+4.69 EUR
100+4.27 EUR
500+3.52 EUR
1000+3.47 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60061EL-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET TO-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9600 pF @ 40 V
auf Bestellung 697 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.44 EUR
10+5.59 EUR
100+3.97 EUR
500+3.28 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60061EL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 P-CH 80V 150A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60061EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60061EL-GE3
Produktcode: 214189
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60061EL-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP60061EL-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 150 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.42 EUR
33+7.15 EUR
100+4.69 EUR
500+3.86 EUR
1000+3.58 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60061EL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60N02-4M5P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60N02-4M5P-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SUP85N03-3M6P-GE3
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60N06VISHAY09+
auf Bestellung 3998 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60N06-08
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60N06-12PVishayTO-220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60N06-12P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 30 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60N06-12P-E3
auf Bestellung 1014 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60N06-12P-GE3
auf Bestellung 2700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60N06-12P-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1970 pF @ 30 V
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SUP60N06-14
auf Bestellung 6800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUP60N06-18Vishay / SiliconixMOSFETs 60V 60A 120W
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SUP60N06-18VISHAY09+
auf Bestellung 3998 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUP60N06-18 (verschiedene ICs)
Produktcode: 47627
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UKTZED: 8541 29 00 90
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SUP60N06-18-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SUP9
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SUP60N06-18-E3Vishay SiliconixN-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 60 А, Ptot, Вт = 120, Тип монт. = вивідний, Rds = 18 мОм, Tексп, °C = -55...+175,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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SUP60N10-16
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUP60N10-16L
auf Bestellung 700 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUP60N10-16L-E3
auf Bestellung 200000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUP60N10-16L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP60N10-18P-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
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SUP65P04VISHAY07+ 220
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUP65P04-15
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUP65P04-15-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 65A TO220AB
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SUP65P04-15-E3
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUP65P06
auf Bestellung 3500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUP65P06-20VISHAY
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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SUP65P06-20Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SUP53P06-20-E3
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SUP65P06-20-E3TO220 Транзистори
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SUP65P06-20-VIS
auf Bestellung 1680 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP65P0620VISHAY
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP65P0620E3Vishay
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70030E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 150A TO220AB
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10870 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.18mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 377 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.12 EUR
50+4.64 EUR
100+4.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70030E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds; 20V Vgs TO-220AB
auf Bestellung 1095 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.37 EUR
10+4.86 EUR
100+4.44 EUR
500+4.19 EUR
1000+3.89 EUR
2500+3.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70030E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP70030E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 3180 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3180µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.88 EUR
41+5.71 EUR
100+5.08 EUR
500+4.87 EUR
1000+4.52 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70030E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70040E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70040E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 50 V
auf Bestellung 482 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.31 EUR
10+4.81 EUR
100+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70040E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220
auf Bestellung 569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.66 EUR
10+4.99 EUR
100+3.62 EUR
500+3.28 EUR
1000+2.83 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70040E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70040E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP70040E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.29 EUR
37+6.28 EUR
100+4.09 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70040E-GE3-XVishayMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70042E-GE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET TO-
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6490 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70042E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 150A Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70042E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 4000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1827 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+9.27 EUR
53+4.4 EUR
100+3.7 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70042E-GE3VishayVishay N-CHANNEL 100-V (D-S)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70042E-GE3VishayMOSFETs TO220 100V 150A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1341 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.27 EUR
10+4.24 EUR
100+3.86 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.28 EUR
2500+3.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70060E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70060E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUP70060E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 131 A, 5800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 131A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.47 EUR
53+4.39 EUR
100+3.15 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.51 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70060E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+2.68 EUR
100+2.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70060E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 131A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.99 EUR
50+2.46 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70090E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
auf Bestellung 259 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.16 EUR
50+3.65 EUR
100+3.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70090E-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs TO-220
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70101EL-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 100V 120A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70101EL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 50 V
auf Bestellung 2920 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.97 EUR
50+3.56 EUR
100+3.22 EUR
500+2.64 EUR
1000+2.45 EUR
2000+2.36 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SUP70101EL-GE3VISHAYCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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