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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
TPH2R306NHLQ(M1ToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306PL,L1QToshibaMOSFET POWER MOSFET TRANS
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306PL1,LQToshibaPOWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV PD=170W F=1MHZ
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 4889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+7.09 EUR
55+4.25 EUR
100+2.44 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306PL1,LQ(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R306PL1,LQ(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 A, 1700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 170W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
auf Bestellung 4889 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.44 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R306PL1LQ(MToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QM,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QM,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QM,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
auf Bestellung 8864 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.96 EUR
10+3.21 EUR
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QM,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QM,L1QToshibaMOSFETs SOP8 N-CH 80V 120A
auf Bestellung 80459 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.5 EUR
10+2.89 EUR
100+1.98 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.5 EUR
5000+1.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QM,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 80V 120A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QM,L1Q(MToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QM,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 4459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.19 EUR
67+2.5 EUR
75+2.18 EUR
100+1.94 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QM,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 80V 120A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 4459 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+3.19 EUR
67+2.56 EUR
75+2.26 EUR
100+2.05 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QM,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: 80V U-MOS X-H SOP-ADVANCE(N) 2.4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8300 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
auf Bestellung 2601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+5.9 EUR
62+3.76 EUR
100+2.63 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QM,LQ(M1ToshibaTPH2R408QM,LQ(M1
auf Bestellung 3417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
71+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QM,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R408QM,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 200 A, 1900 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 210W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
auf Bestellung 2601 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.63 EUR
500+2.19 EUR
1000+2.02 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QML1Q(MToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QMLQToshibaMOSFETs SOPNC H AN80 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QMLQ(M1ToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R408QMLQ(TToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R506PLToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R506PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
auf Bestellung 58174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.21 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.33 EUR
2000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R506PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5435 pF @ 30 V
auf Bestellung 58000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.12 EUR
10000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R506PL,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R506PL,L1QToshibaMOSFETs N-Ch 60V 4180pF 60nC 160A 132W
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.19 EUR
10+2.68 EUR
100+1.82 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.3 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R506PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R506PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 3201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
68+2.56 EUR
86+2.01 EUR
96+1.76 EUR
103+1.61 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 68 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R506PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 60V 160A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 3201 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+4.12 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R506PL,LQ(M1ToshibaTPH2R506PL,LQ(M1
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+2.83 EUR
92+1.87 EUR
100+1.69 EUR
200+1.4 EUR
1000+1.31 EUR
2000+1.15 EUR
5000+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R506PL,LQ(M1ToshibaTPH2R506PL,LQ(M1
auf Bestellung 4819 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.3 EUR
60+2.89 EUR
66+2.57 EUR
73+2.25 EUR
100+1.96 EUR
250+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R506PL,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R506PL,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 132W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 3386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.22 EUR
250+2.89 EUR
1000+2.31 EUR
3000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R506PL,LQ(M1ToshibaTPH2R506PL,LQ(M1
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+2.57 EUR
100+2.24 EUR
250+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R506PL,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R506PL,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
auf Bestellung 3386 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+6.79 EUR
55+4.22 EUR
250+2.89 EUR
1000+2.31 EUR
3000+2.08 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R506PLL1Q(MToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R506PLLQ(M1ToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R608NHToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R608NH,L1QToshibaPWR MOSFET, 142 W, SOP8-ADV Діоди та діодні збірки
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R608NH,L1QToshibaMOSFETs Power MOSFET N-Channel Single
auf Bestellung 3704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.52 EUR
10+2.89 EUR
100+1.95 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.4 EUR
2500+1.31 EUR
5000+1.26 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R608NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R608NH,L1QToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R608NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 37.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R608NH,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 75V 168A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R608NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 142W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R608NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R608NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 150 A, 2100 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 142W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R608NH,L1Q(MToshiba
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R608NHL1Q(MToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R70AR5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R70AR5,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: N-CH MOSFET, 100 V, 0.0027 OHM@1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
auf Bestellung 10954 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.74 EUR
10+3.72 EUR
100+2.57 EUR
500+2.08 EUR
1000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R70AR5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R70AR5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 2700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
Verlustleistung: 210W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOS11-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
auf Bestellung 2648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+12.54 EUR
33+7.18 EUR
100+4.77 EUR
500+3.62 EUR
1000+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R70AR5,LQ(M1TOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R70AR5,LQ(M1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 2700 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.77 EUR
500+3.62 EUR
1000+3.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R805PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R805PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5175 pF @ 22.5 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R805PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5175 pF @ 22.5 V
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.53 EUR
100+1.71 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R805PLLQ(SToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R903PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
auf Bestellung 4487 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
11+1.94 EUR
50+1.45 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R903PL,L1QToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R903PL,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 200µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R903PL,L1Q(MToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 124A 8-Pin SOP Advance
auf Bestellung 1900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
354+0.49 EUR
363+0.48 EUR
500+0.45 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 354 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R903PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.02 EUR
115+1.87 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R903PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPH2R903PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 124 A, 2100 µohm, SOP Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 124A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 81W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOP Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm
auf Bestellung 1991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
33+7.62 EUR
77+3.02 EUR
115+1.87 EUR
500+1.38 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 33 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH2R903PLL1Q(MToshibaArray
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3202LDRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 600V 9A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3202LSRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 600V 9A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3202LSTransphormTransphorm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3202PDRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3202PSRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3205WSBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3205WSBQATransphormMOSFET GAN FET 650V 35A TO247
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+46.37 EUR
10+42.77 EUR
30+40.84 EUR
120+36.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3205WSBQATransphormDescription: GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 22A, 8V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 540 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3206LDRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3206LDBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerDFN
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3206LDG-TRRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3206LDGBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3206LSRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 240 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3206LSBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3206LSGBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3206PDRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3206PSRenesas ElectronicsMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3206PSRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 480 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3206PSBTransphormMOSFET 650V, 150mO
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3206PSBTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
Power Dissipation (Max): 81W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 480 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3207WSTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 8V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.65V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2197 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3207WS---TPH3207WS CASCODE GAN FET 650V 50A TO247 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3207WSTransphormMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3208LDRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 4-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3208LDGRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerDFN
Packaging: Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
auf Bestellung 9 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+21.24 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3208LSRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3208LSGTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Packaging: Tube
Package / Case: 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 14A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: 3-PQFN (8x8)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3208PDRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3208PSTransphormMOSFET GAN FET 650V 20A TO220
auf Bestellung 301 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3208PSRenesas Electronics CorporationDescription: GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13A, 8V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 300µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 400 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3212PSRenesas ElectronicsGaN FETs 650V, 72mOhm
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3212PSTransphormDescription: GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 17A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1130 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 400uA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3300CNHToshibaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3300CNH,L1QToshibaMOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS150V
auf Bestellung 15408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.27 EUR
10+2.07 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+1.01 EUR
2500+0.98 EUR
5000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3300CNH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 150V 18A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 300µA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 75 V
auf Bestellung 33215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.8 EUR
10+2.42 EUR
50+1.82 EUR
100+1.63 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TPH3300CNH,L1QToshibaTPH3300CNH,L1Q Toshiba MOSFETs Transistor N-CH Si 150V 29A 8-Pin SOP Advance T/R Si - Arrow.com
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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