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PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1989 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
63+2.87 EUR
76+2.27 EUR
83+2.01 EUR
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500+1.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1989 Stücke:
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63+2.87 EUR
76+2.33 EUR
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Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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4000+1.51 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60BS,118NexperiaMOSFETs PSMN4R6-60BS/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 5105 Stücke:
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1+5.74 EUR
10+2.89 EUR
100+2.56 EUR
500+2 EUR
800+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 565A
auf Bestellung 689 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 45788 Stücke:
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180+3.71 EUR
500+3.46 EUR
1000+3.21 EUR
10000+2.95 EUR
Mindestbestellmenge: 180 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R6-60BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3740 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 211W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3740µohm
auf Bestellung 1004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.65 EUR
57+4.13 EUR
58+3.7 EUR
100+2.87 EUR
250+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.03 EUR
2400+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60PSNexperiaMOSFETs
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4426 pF @ 30 V
auf Bestellung 7704 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.9 EUR
10+4.05 EUR
100+2.94 EUR
500+2.44 EUR
1000+2.32 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R6-60PS,127NexperiaMOSFET PSMN4R6-60PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 1005 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.15 EUR
10+4.13 EUR
100+3.39 EUR
500+3.03 EUR
1000+2.49 EUR
2500+2.48 EUR
5000+2.4 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSE,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 50400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+4.02 EUR
25600+3.64 EUR
38400+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSE,118Nexperia USA Inc.Description: N CHANNEL 100V 4.8 MOHM STANDAR
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSE,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 436000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+4.02 EUR
217600+3.64 EUR
326400+3.33 EUR
435200+3.09 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+4.2 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.72 EUR
2400+3.4 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 405W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 405W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 278nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
auf Bestellung 14400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.7 EUR
2400+3.38 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.46 EUR
45+3.82 EUR
100+3.33 EUR
250+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNexperiaMOSFETs PSMN4R8-100BSE/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 25926 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+9.42 EUR
10+4.9 EUR
100+4.44 EUR
500+3.72 EUR
800+3.71 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R8-100BSEJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 4100 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 405W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
auf Bestellung 14229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.45 EUR
33+7.21 EUR
100+5.31 EUR
500+4.5 EUR
1000+4.18 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.55 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+4.46 EUR
45+3.68 EUR
100+3.15 EUR
250+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.71 EUR
2400+3.47 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.87 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 456 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+4.61 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
auf Bestellung 14434 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+9.38 EUR
10+6.22 EUR
50+4.87 EUR
100+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100BSEJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 392 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
188+3.56 EUR
Mindestbestellmenge: 188 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100PSEQNexperiaMOSFET PSMN4R8-100PSE/SOT78/SIL3P
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100PSEQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+8.81 EUR
100+8.25 EUR
500+7.64 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100PSEQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 278 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100PSEQNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+8.81 EUR
100+8.25 EUR
500+7.64 EUR
1000+7.07 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100YSEXNexperia USA Inc.Description: PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100YSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R8-100YSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3600 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100YSEXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN4R8-100YSEXNexperiaMOSFETs PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
Produkt ist nicht verfügbar
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PSMN4R8-100YSEXNexperia USA Inc.Description: PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 50 V
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PSMN4R8-100YSEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN4R8-100YSEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3600 µohm, LFPAK56E, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: LFPAK56E
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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PSMN4R8-100YSEXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 115A; Idm: 653A; 294W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 653A
Power dissipation: 294W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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PSMN5R0-100ESNXP USA Inc.Description: ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
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PSMN5R0-100ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+4.74 EUR
500+4.43 EUR
1000+4.07 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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PSMN5R0-100ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 100V 5 mOhms
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PSMN5R0-100ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 206 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
141+4.74 EUR
Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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PSMN5R0-100ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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PSMN5R0-100ES127Nexperia USA Inc.Description: 120A, 100V, 0.005OHM, N CHANNE
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PSMN5R0-100PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+7.03 EUR
100+6.58 EUR
500+6.09 EUR
1000+5.64 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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PSMN5R0-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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PSMN5R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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PSMN5R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+7.03 EUR
100+6.58 EUR
500+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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PSMN5R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 174 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+7.03 EUR
100+6.58 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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PSMN5R0-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN5R0-100PS/SOT78/SIL3P
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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PSMN5R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
95+7.03 EUR
100+6.58 EUR
500+6.09 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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PSMN5R0-100XS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 67.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 63.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 50 V
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PSMN5R0-30YLNexperiaMOSFETs
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PSMN5R0-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN5R0-30YL/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1372 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.39 EUR
10+1.5 EUR
100+1.21 EUR
1000+1.04 EUR
1500+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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PSMN5R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 91A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
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PSMN5R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 12 V
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PSMN5R0-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R0-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 84 A, 3630 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 61W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3630µohm
auf Bestellung 1070 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.07 EUR
140+1.67 EUR
173+1.25 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 91A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
499+1.34 EUR
554+1.19 EUR
1000+1.07 EUR
10000+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 499 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 91A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 12 V
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-40MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2649 pF @ 20 V
auf Bestellung 1244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.28 EUR
11+2.08 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-40MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2649 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-40MLHXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 85A
auf Bestellung 12361 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.28 EUR
10+2.12 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.8 EUR
3000+0.75 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-40MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-40MSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-40MSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-40MSHXNexperiaMOSFETs PSMN5R0-40MSH/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.45 EUR
10+2.03 EUR
100+1.58 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.08 EUR
1500+0.98 EUR
3000+0.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-40MSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 85A 8-Pin LFPAK EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-40MSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 85A LFPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6793 pF @ 40 V
auf Bestellung 4212 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.2 EUR
10+4.71 EUR
50+3.64 EUR
100+3.3 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6793 pF @ 40 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.56 EUR
2400+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-80BS,118NexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 5.2 mohm logic level MOSFET in LFPAK56
auf Bestellung 2842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+3.81 EUR
100+2.87 EUR
500+2.57 EUR
800+2.18 EUR
2400+2.14 EUR
4800+2.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-80BS118Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN5R0-80BS - POWE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-80PS
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 33950 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.6 EUR
500+5.24 EUR
1000+4.83 EUR
10000+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-80PS,127NexperiaMOSFET PSMN5R0-80PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 1020 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.97 EUR
10+6.28 EUR
100+5.13 EUR
500+4.36 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 74780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.6 EUR
500+5.24 EUR
1000+4.83 EUR
10000+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6793 pF @ 12 V
auf Bestellung 23033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.07 EUR
10+5.11 EUR
100+4.13 EUR
500+3.67 EUR
1000+3.14 EUR
2000+2.96 EUR
5000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 27461 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.6 EUR
500+5.24 EUR
1000+4.83 EUR
10000+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-80PS,127NexperiaPSMN5R0-80PS,127 PSMN5R0-80PS MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-80PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R0-80PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2895 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
39+6.52 EUR
53+4.45 EUR
100+3.47 EUR
500+3.21 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 39 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R0-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 29000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.6 EUR
500+5.24 EUR
1000+4.83 EUR
10000+4.45 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R2-60YLNexperiaMOSFETs
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R2-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R2-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 195W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 4649 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.93 EUR
112+1.92 EUR
200+1.68 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R2-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.31 EUR
107+1.61 EUR
122+1.36 EUR
500+1.01 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R2-60YLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6319 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R2-60YLXNexperiaMOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 Транзистори
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R2-60YLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN5R2-60YLX - Leistungs-MOSFET, TrenchMOS, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 195W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
auf Bestellung 4489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.9 EUR
80+2.93 EUR
112+1.92 EUR
200+1.68 EUR
500+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R2-60YLXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 479A; 195W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 479A
Power dissipation: 195W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 78.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R2-60YLXNexperiaMOSFETs PSMN5R2-60YL/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 30575 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.56 EUR
10+1.71 EUR
100+1.54 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.09 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN5R2-60YLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH