Produkte > DMN

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN62D4LFB-7B

Trans MOSFET N-CH 60V 0.407A 3-Pin X1-DFN T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN62D4LFB-7B

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006

auf Bestellung 6535 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

35+	0.61 EUR
57+	0.37 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.15 EUR
2000+	0.13 EUR
5000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 35 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN62D4LFB-7B транзисто
Produktcode: 221994

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN62D4LFB4-7B

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

auf Bestellung 280000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN62D4LFB4-7B

Description: IC

auf Bestellung 280000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

10000+	0.07 EUR
20000+	0.063 EUR
30000+	0.06 EUR
50000+	0.057 EUR

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN62D4LFB4-7B

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V X2-DFN1006-3 T&R 10K

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D0LT-7

Description: MOSFET N-CH 100V SOT523

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D0LT-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-10 V-100V SOT523 T&R 3K

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D0LT-7

Description: MOSFET N-CH 100V SOT523

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

26+	0.82 EUR
35+	0.61 EUR
100+	0.35 EUR
500+	0.23 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 26 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1L-13

Description: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1L-13

MOSFETs MOSFET BVDSS

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1L-7

MOSFET MOSFET BVDSS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1L-7

Description: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

auf Bestellung 153000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1LDW-13

MOSFET MOSFET BVDSS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1LDW-13

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1LDW-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

24+	0.88 EUR
34+	0.62 EUR
100+	0.31 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.19 EUR

Mindestbestellmenge: 24 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1LDW-7

MOSFET MOSFET BVDSS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1LDW-7

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-363

auf Bestellung 120000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.15 EUR
9000+	0.13 EUR
75000+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1LT-13

Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 392 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1LT-13

MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V

auf Bestellung 16288 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.9 EUR
10+	0.61 EUR
100+	0.31 EUR
1000+	0.26 EUR
2500+	0.24 EUR
10000+	0.21 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1LT-13

Description: MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 392 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1LT-7

MOSFET MOSFETBVDSS: 41V-60V

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1LV-13

MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V

auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

4+	0.94 EUR
10+	0.64 EUR
100+	0.4 EUR
500+	0.25 EUR
1000+	0.23 EUR
2500+	0.2 EUR
5000+	0.17 EUR

Mindestbestellmenge: 4 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1LV-7

MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V

auf Bestellung 8061 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

5+	0.7 EUR
10+	0.43 EUR
100+	0.27 EUR
500+	0.2 EUR
1000+	0.18 EUR

Mindestbestellmenge: 5 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1LW-13

Description: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1LW-13

MOSFET MOSFET BVDSS

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1LW-7

MOSFETs MOSFET BVDSS

auf Bestellung 2968 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.65 EUR
10+	0.38 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.14 EUR
3000+	0.086 EUR
6000+	0.077 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D1LW-7

Description: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT323

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8L-13

Description: MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8L-13

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW

auf Bestellung 19547 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

7+	0.55 EUR
10+	0.44 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 7 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 219000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.061 EUR
9000+	0.049 EUR
24000+	0.043 EUR
45000+	0.039 EUR
99000+	0.035 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2439 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

1603+	0.11 EUR
1616+	0.11 EUR

Mindestbestellmenge: 1603 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8L-7

Description: DIODES INC. - DMN63D8L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 350 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 3825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

498+	0.5 EUR
878+	0.26 EUR
1357+	0.15 EUR
1898+	0.11 EUR
2050+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 498 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8L-7

MOSFET N-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgss 350mW

auf Bestellung 92137 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	0.46 EUR
11+	0.31 EUR
100+	0.13 EUR
1000+	0.092 EUR
3000+	0.069 EUR
9000+	0.058 EUR
24000+	0.055 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 2439 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

480+	0.37 EUR
686+	0.25 EUR
694+	0.24 EUR
1588+	0.099 EUR
1603+	0.094 EUR
1616+	0.089 EUR

Mindestbestellmenge: 480 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8L-7

auf Bestellung 3825 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.5 EUR
878+	0.26 EUR
1357+	0.15 EUR
1898+	0.11 EUR
2050+	0.1 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8L-7

Description: MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V

auf Bestellung 1107 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

53+	0.39 EUR
87+	0.24 EUR
139+	0.15 EUR
500+	0.11 EUR
1000+	0.098 EUR

Mindestbestellmenge: 53 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8L-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.35A 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 219000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.061 EUR
9000+	0.05 EUR
24000+	0.045 EUR
45000+	0.042 EUR
99000+	0.037 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW

MOSFETs

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-13

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.058 EUR
20000+	0.05 EUR
30000+	0.043 EUR

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-13

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-13

Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 4040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

432+	0.58 EUR
667+	0.35 EUR
926+	0.23 EUR
1187+	0.18 EUR
1616+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 432 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-13

MOSFETs 30V DUAL N-CH MOSFET

auf Bestellung 490034 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

11+	0.31 EUR
16+	0.21 EUR
100+	0.11 EUR
500+	0.096 EUR
1000+	0.088 EUR
5000+	0.086 EUR
10000+	0.061 EUR

Mindestbestellmenge: 11 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-13

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 30000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.057 EUR
20000+	0.051 EUR
30000+	0.044 EUR

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-13

Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 4040 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

432+	0.58 EUR
667+	0.35 EUR
926+	0.23 EUR
1187+	0.18 EUR
1616+	0.13 EUR

Mindestbestellmenge: 432 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-13

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active

auf Bestellung 6077 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

42+	0.5 EUR
70+	0.3 EUR
112+	0.19 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR
2000+	0.11 EUR
5000+	0.093 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-13-52

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.06 EUR
6000+	0.052 EUR
9000+	0.049 EUR
15000+	0.048 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7

Diodes

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363 Транзистори

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7

Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 15313 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

439+	0.57 EUR
752+	0.31 EUR
1129+	0.19 EUR
1500+	0.14 EUR
1863+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 439 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7

auf Bestellung 108432 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

42+	0.5 EUR
69+	0.31 EUR
111+	0.19 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 42 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.067 EUR
6000+	0.058 EUR
9000+	0.056 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7

MOSFETs 30V DUAL N-CH MOSFET

auf Bestellung 168205 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	0.45 EUR
14+	0.25 EUR
100+	0.17 EUR
500+	0.13 EUR
1000+	0.12 EUR
3000+	0.074 EUR
6000+	0.065 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 81000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3746+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 3746 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 132000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2174+	0.081 EUR
3301+	0.051 EUR
6000+	0.043 EUR
9000+	0.04 EUR
15000+	0.039 EUR
21000+	0.037 EUR
30000+	0.033 EUR

Mindestbestellmenge: 2174 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.067 EUR
6000+	0.056 EUR
9000+	0.052 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7

auf Bestellung 105000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.1 EUR
6000+	0.092 EUR
9000+	0.086 EUR
15000+	0.08 EUR
21000+	0.076 EUR
30000+	0.073 EUR
75000+	0.065 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 18000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.064 EUR
6000+	0.054 EUR
9000+	0.051 EUR
15000+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7

Description: DIODES INC. - DMN63D8LDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C

auf Bestellung 15313 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

439+	0.57 EUR
752+	0.31 EUR
1129+	0.19 EUR
1500+	0.14 EUR
1863+	0.12 EUR

Mindestbestellmenge: 439 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 132000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

2174+	0.081 EUR

Mindestbestellmenge: 2174 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 81000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3746+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 3746 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDW-7-52

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-363 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDWQ-13

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDWQ-7

DIODES INCORPORATED

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry

auf Bestellung 105 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

105+	0.82 EUR

Mindestbestellmenge: 105 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDWQ-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3004+	0.058 EUR
9000+	0.056 EUR

Mindestbestellmenge: 3004 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDWQ-7

Description: DIODES INC. - DMN63D8LDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 400mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 400mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 6365 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.71 EUR
579+	0.4 EUR
1235+	0.18 EUR
1419+	0.15 EUR
1520+	0.14 EUR
5000+	0.094 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDWQ-7

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 803809 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

28+	0.75 EUR
41+	0.51 EUR
100+	0.25 EUR
500+	0.21 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 28 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDWQ-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDWQ-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3068+	0.057 EUR
9000+	0.056 EUR

Mindestbestellmenge: 3068 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDWQ-7

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 300mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive

auf Bestellung 801000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.13 EUR
6000+	0.12 EUR
9000+	0.098 EUR
30000+	0.096 EUR
75000+	0.086 EUR
150000+	0.075 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDWQ-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDWQ-7

MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA

auf Bestellung 47727 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.57 EUR
10+	0.35 EUR
100+	0.17 EUR
500+	0.14 EUR
1000+	0.13 EUR
3000+	0.075 EUR
6000+	0.071 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDWQ-7

auf Bestellung 6365 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

350+	0.71 EUR
579+	0.4 EUR
1235+	0.18 EUR
1419+	0.15 EUR
1520+	0.14 EUR
5000+	0.094 EUR

Mindestbestellmenge: 350 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LDWQ-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R

auf Bestellung 933000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.064 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LV-7

Description: DIODES INC. - DMN63D8LV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 260 mA, 260 mA, 2.8 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 1558 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

500+	0.71 EUR
582+	0.4 EUR
918+	0.24 EUR
1235+	0.18 EUR
1500+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 500 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LV-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R

auf Bestellung 180000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.077 EUR
6000+	0.058 EUR
9000+	0.055 EUR
24000+	0.052 EUR
30000+	0.05 EUR
45000+	0.048 EUR
75000+	0.045 EUR
99000+	0.043 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LV-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R

auf Bestellung 2193000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.064 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LV-7

MOSFETs Dual N-Ch Enh Mode 30V 4.2Ohm 200mA

auf Bestellung 84 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

6+	0.61 EUR
10+	0.37 EUR
100+	0.24 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 6 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LV-7

auf Bestellung 1558 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

350+	0.71 EUR
582+	0.4 EUR
918+	0.24 EUR
1235+	0.18 EUR
1500+	0.15 EUR

Mindestbestellmenge: 350 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LV-7

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563

auf Bestellung 2238000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

3000+	0.12 EUR
6000+	0.11 EUR
9000+	0.1 EUR
15000+	0.095 EUR
21000+	0.09 EUR
30000+	0.087 EUR
75000+	0.079 EUR
150000+	0.074 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LV-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.083 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LV-7

DIODES INCORPORATED

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.26A
Power dissipation: 0.45W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

auf Bestellung 294 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

218+	0.39 EUR
294+	0.29 EUR

Mindestbestellmenge: 218 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LV-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R

auf Bestellung 180000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.077 EUR
6000+	0.06 EUR
9000+	0.057 EUR
24000+	0.056 EUR
30000+	0.055 EUR
45000+	0.052 EUR
75000+	0.051 EUR
99000+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LV-7

Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.26A SOT563
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 450mW

auf Bestellung 2241572 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

36+	0.58 EUR
60+	0.36 EUR
100+	0.23 EUR
500+	0.17 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 36 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LV-7

Trans MOSFET N-CH 30V 0.26A 6-Pin SOT-563 T/R

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

3000+	0.076 EUR

Mindestbestellmenge: 3000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LW-13

MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgss 300mA 1.2A

auf Bestellung 56452 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

8+	0.45 EUR
14+	0.25 EUR
100+	0.12 EUR
1000+	0.075 EUR
2500+	0.063 EUR
10000+	0.048 EUR
20000+	0.046 EUR

Mindestbestellmenge: 8 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LW-13

Description: MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.2 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-323
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 250mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)

auf Bestellung 143628 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

77+	0.27 EUR
110+	0.19 EUR
215+	0.098 EUR
500+	0.095 EUR
1000+	0.086 EUR
2000+	0.077 EUR
5000+	0.068 EUR

Mindestbestellmenge: 77 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LW-13

Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LW-13

Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm

auf Bestellung 9509 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

402+	0.62 EUR
690+	0.33 EUR
1129+	0.19 EUR
1789+	0.12 EUR
5000+	0.088 EUR

Mindestbestellmenge: 402 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LW-13

Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R

auf Bestellung 1180000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.039 EUR

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LW-13

Trans MOSFET N-CH 30V 0.38A 3-Pin SOT-323 T/R

auf Bestellung 330000 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

10000+	0.046 EUR
20000+	0.039 EUR
100000+	0.035 EUR

Mindestbestellmenge: 10000 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LW-13

Description: DIODES INC. - DMN63D8LW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 380 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm

auf Bestellung 9509 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

402+	0.62 EUR
690+	0.33 EUR
1129+	0.19 EUR
1789+	0.12 EUR
5000+	0.088 EUR

Mindestbestellmenge: 402 Stücke

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

DMN63D8LW-13