Produkte > IRL
| Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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| IRLS3036TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 380W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V | auf Bestellung 1896 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS3036TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 210A Power dissipation: 380W Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 1.9mΩ Pulsed drain current: 1kA Gate-source voltage: ±16V | auf Bestellung 254 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS3036TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS3036TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 380W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 180A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11270 pF @ 50 V | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2PAK-7 | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1166 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS3036TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl | auf Bestellung 3092 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V | auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 101 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS3036TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 380W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS3036TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 380W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm | auf Bestellung 918 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLS3036TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS3036TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS3036TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS3813 | Infineon Technologies | Infineon | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS3813PBF | Infineon / IR | MOSFET 30V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 1046 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS3813PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS3813TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8020 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D²PAK (TO-263AB) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 148A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS3813TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 247A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 14 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS3813TRLPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V Single N-Channel HEXFET | auf Bestellung 7730 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLS3813TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 247A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS4030 Produktcode: 99541
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK (TO-263) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 190 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 11490/93 Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRLS4030 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLS4030-7P Produktcode: 99542
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Lieblingsprodukt
| IR | Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D2PAK-7 (TO-263-7) Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 190 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 3,2 mOhm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 11490/93 Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung Montage: SMD | Produkt ist nicht verfügbar
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| IRLS4030-7PPBF | Infineon / IR | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 3.9mOhms 93nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS4030-7PPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS4030-7PPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS4030PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS4030PBF Produktcode: 130902
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Lieblingsprodukt
| Transistoren > MOSFET N-CH | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLS4030PBF | Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 4.3mOhms 87nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS4030PBF | International Rectifier | IRLS 4030 PBF TO263 IRF Транзистори | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS4030TRL | International Rectifier | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C~175°C; Substitute: IRLS4030; IRLS4030TRL; IRLS4030-GURT; IRLS4030TRL obsolete; IRLS4030 TIRLS4030 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke | auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| IRLS4030TRL7PP | Infineon | auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLS4030TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 190A 3.9mOhm 93nC-7 | auf Bestellung 781 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 426 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS4030TRL7PP | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | auf Bestellung 116 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS4030TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS4030TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 370W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V | auf Bestellung 5086 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS4030TRLPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLS4030TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4300 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 370W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm | auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 20 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC | auf Bestellung 1399 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | auf Bestellung 780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V | auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLS510A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Power Dissipation (Max): 23W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 2.25A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS540A | ON Semiconductor | IRLS540A | auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS540A | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRLS540A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | auf Bestellung 12350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS540A | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 8.5A, 5V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 25 V | auf Bestellung 12350 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLS620A | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: TO-220F Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.05A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | auf Bestellung 1494 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLS630A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 6.5A TO220-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.25A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 36W (Tc) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS640A | ONSEMI | Description: ONSEMI - IRLS640A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 40W SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm | auf Bestellung 736 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS640A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS640A | onsemi | MOSFETs 200V N-Channel a-FET Logic Level | auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLS640A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS640A | onsemi | Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220F Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1705 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: TO-220F-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.9A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLS640A | FAIRCHILD | auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLS640A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLS640A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) | Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLSL3034PBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 40V 343A 1.7mOhm 108nC | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLSL3034PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLSL3036 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLSL3036PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLSL3036PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLSL3036PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 0.0019 ohm, TO-262, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 195 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 380 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 380 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0019 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLSL3036PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLSL3036PBF Transistor Produktcode: 56838
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Lieblingsprodukt
| Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2 | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLSL4030 | Infineon Technologies | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLSL4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 22000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLSL4030PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLSL4030PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0034 ohm, TO-262, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 180 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 370 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 370 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLSL4030PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11360 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 110A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLSL4030PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC | Produkt ist nicht verfügbar | Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLSL4030PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube | auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLTS2242 | Infineon Technologies | MOSFETs | Produkt ist nicht verfügbar | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLTS2242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 474000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLTS2242TRPBF | ON Semiconductor | P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 905 @ 10, Qg, нКл = 12, Rds = 32 мОм, Ugs(th) = 1,1, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-6 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke | verfügbar 40 Stücke: | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLTS2242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 2600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLTS2242TRPBF | MOSFET 20V 6.9A (55A pulse), P Channel TSOP-6 | auf Bestellung 62 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) | Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||||||||||
| IRLTS2242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 34588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLTS2242TRPBF Produktcode: 106324
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Lieblingsprodukt
| International Rectifier | Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP | Produkt ist nicht verfügbar
| Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
| IRLTS2242TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 6.9A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6.9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | auf Bestellung 22448 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRLTS2242TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin TSOP T/R | auf Bestellung 34588 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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