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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN6R4-30MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 30V 66A
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
1500+0.38 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R4-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R4-30MLDXNexperiaN-Channel 30V 66A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount LFPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 64A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 12 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-25YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN6R5-25YLC/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 3174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+1.07 EUR
100+0.67 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.48 EUR
1500+0.43 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 64A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 12 V
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.78 EUR
19+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 65A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-30MLDXNexperiaMOSFET PSMN6R5-30MLD/MLFPAK/REEL 7" Q
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 65A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R5-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 210W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
auf Bestellung 1878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+15.45 EUR
27+8.84 EUR
100+5.89 EUR
500+4.2 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.14 EUR
10+3.97 EUR
100+2.75 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.12 EUR
1600+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R5-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.89 EUR
500+4.2 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN6R5-80BS/SOT404/D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS118Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN6R5-80BS - POWE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80PS,127NXPPSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PS MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80PS,127NexperiaMOSFETs PSMN6R5-80PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+4.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 150 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
121+1.63 EUR
Mindestbestellmenge: 121 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MLD/2XNexperiaMOSFETs MOSFET-LOW VOLT SOT1210/MLFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN6R7-40MLD/SOT1210/MLFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.51 EUR
50+1.12 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R7-40MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
82+3.07 EUR
131+1.77 EUR
202+1.06 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 82 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 20 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.27 EUR
100+0.82 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
1500+0.4 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R7-40MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 993 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.07 EUR
131+1.77 EUR
202+1.06 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MSDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.56 EUR
100+1.02 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.7 EUR
1500+0.62 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 20 V
auf Bestellung 5998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.71 EUR
3000+0.65 EUR
4500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R8-40HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R8-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.23 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R8-40HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R8-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0058 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0058ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0058ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.62 EUR
68+3.46 EUR
100+2.23 EUR
500+1.77 EUR
1000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R8-40HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 64W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
10+2.61 EUR
100+2.08 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R8-40HSXNexperiaMOSFETs SOT1205 2NCH 40V 40A
auf Bestellung 745 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+3.01 EUR
100+2.09 EUR
500+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R8-40HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 64W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R9-100YSFQNexperia USA Inc.Description: PSMN6R9-100YSF/SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 98878 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+4.49 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
149+1.18 EUR
151+1.14 EUR
250+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 149 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R9-100YSFXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Power Dissipation (Max): 238W
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.3 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R9-100YSFXNexperiaMOSFETs PSMN6R9-100YSF/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.43 EUR
10+4.57 EUR
25+3.47 EUR
100+3.25 EUR
250+3.09 EUR
1500+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.3 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R9-100YSFXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Power Dissipation (Max): 238W
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.3 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
176+3.71 EUR
500+3.47 EUR
1000+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 176 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R9-100YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 90A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.3 EUR
142+1.19 EUR
144+1.13 EUR
146+1.07 EUR
149+1.01 EUR
151+0.95 EUR
250+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100BS,118NexperiaMOSFETs PSMN7R0-100BS/SOT404/D2PAK
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.39 EUR
10+4.19 EUR
100+2.89 EUR
500+2.24 EUR
800+2.18 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R0-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 269W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4800+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6686 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 269W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5016 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.97 EUR
10+4.53 EUR
50+3.49 EUR
100+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R0-100BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 5400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 269W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.04 EUR
36+6.47 EUR
100+4.55 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6686 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 269W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.43 EUR
1600+2.31 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
Packaging: Tube
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
245+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 245 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 4850 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
199+3.28 EUR
500+3.07 EUR
1000+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 199 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100ES,127NexperiaMOSFET Single NChannel 100V 475A 269W 12mOhms
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100ES,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R0-100ES,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
96+2.62 EUR
Mindestbestellmenge: 96 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
auf Bestellung 495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100PS
auf Bestellung 71 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100PSNexperiaMOSFET
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 1875 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.47 EUR
500+5.12 EUR
1000+4.71 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 269W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6686 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 450 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
120+5.47 EUR
Mindestbestellmenge: 120 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100PS,127NexperiaMOSFET PSMN7R0-100PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 1995 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.37 EUR
10+5.71 EUR
100+4.66 EUR
500+3.97 EUR
1000+3.36 EUR
2500+3.19 EUR
5000+3.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100PS127NXP SemiconductorsDescription: NOW NEXPERIA PSMN7R0-100PS - POW
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-100XS,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 55A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6686 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 57.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 15407 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.51 EUR
22+0.99 EUR
100+0.67 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30MLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R0-30MLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 67 A, 6050 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6050µohm
auf Bestellung 921 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
77+3.25 EUR
138+1.69 EUR
212+1.01 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30MLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1076 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.52 EUR
3000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30MLC,115NexperiaMOSFETs PSMN7R0-30MLC/SOT1210/mLFPAK
auf Bestellung 4639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.07 EUR
10+1.27 EUR
50+0.93 EUR
100+0.82 EUR
1500+0.56 EUR
3000+0.49 EUR
4500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YLNexperiaMOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL
Produktcode: 115636
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Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 76A; Idm: 260A; 51W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 76A
Pulsed drain current: 260A
Power dissipation: 51W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.97mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
90+0.95 EUR
125+0.68 EUR
154+0.55 EUR
167+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R0-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 7000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 51W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 1181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
72+3.47 EUR
123+1.89 EUR
186+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115
Produktcode: 143103
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 12 V
auf Bestellung 3900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.03 EUR
17+1.27 EUR
100+0.83 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.4 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN7R0-30YL,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 7000 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 51W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 1181 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
123+1.89 EUR
186+1.15 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 76A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 12 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.55 EUR
3000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 7500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.4 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115NexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 61A
auf Bestellung 3072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.36 EUR
10+0.99 EUR
100+0.69 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 76A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YL115/BKNNXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1057 pF @ 15 V
auf Bestellung 1153 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+2.01 EUR
17+1.25 EUR
100+0.82 EUR
500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.4 EUR
3000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN7R0-30YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN7R0-30YLC/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 12942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2 EUR
10+1.25 EUR
100+0.82 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.62 EUR
1500+0.48 EUR
3000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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