Produkte > PSM

BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
PSMN6R0-25YLB,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 73A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1099 pF @ 12 V
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.82 EUR
19+1.14 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLB,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 73A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLB,115NexperiaMOSFETs PSMN6R0-25YLB/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 307 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.19 EUR
10+1.02 EUR
100+0.7 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.55 EUR
1500+0.48 EUR
3000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLD115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R0-25YLD115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLD115NXP USA Inc.Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12 V
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1429+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLD115NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PSMN6R0-25YLD - POWER F
Packaging: Bulk
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1429+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 1429 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 61A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLDXNXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 25V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 33585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
797+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
10000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 797 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLDXNexperiaMOSFETs PSMN6R0-25YLD/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.12 EUR
10+0.96 EUR
100+0.86 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.46 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 61A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.75mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-25YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 61A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaMOSFETs PSMN6R0-30YL/SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.44 EUR
3000+0.42 EUR
9000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 12 V
auf Bestellung 2072 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.32 EUR
15+1.45 EUR
100+0.95 EUR
500+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
489+1.37 EUR
543+1.21 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 489 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.44 EUR
3000+0.43 EUR
9000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425 pF @ 12 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 2146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.02 EUR
141+1.23 EUR
205+0.81 EUR
500+0.61 EUR
1500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YL,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 79A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLB,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 15 V
auf Bestellung 2942 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
20+1.11 EUR
100+0.76 EUR
500+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLB,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 71A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLB,115NexperiaMOSFETs PSMN6R0-30YLB/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 1477 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.31 EUR
10+1.11 EUR
100+0.76 EUR
500+0.64 EUR
1500+0.56 EUR
3000+0.45 EUR
9000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLB,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLB,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R0-30YLB,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 71 A, 5500 µohm, SC-100, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.48V
Verlustleistung: 58W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-100
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 8525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
67+3.75 EUR
139+1.68 EUR
197+1.09 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.74 EUR
5000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN6R0-30YLD/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLD/2XNexperiaMOSFETs SOT669 N CHAN 30V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 66A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
auf Bestellung 4731 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+1.52 EUR
23+0.94 EUR
50+0.69 EUR
100+0.61 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.42 EUR
4500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 66A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R0-30YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 30V 66A
auf Bestellung 5353 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.44 EUR
10+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.45 EUR
1500+0.38 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-25MLD,115Nexperia USA Inc.Description: PSMN6R1-25MLD - N-CHANNEL 25V, L
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-25MLD115Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN6R1-25MLD - POW
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-25MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 60A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.24mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 12 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-25MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 25V 60A
auf Bestellung 436 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.71 EUR
10+1.06 EUR
100+0.7 EUR
500+0.55 EUR
1500+0.43 EUR
3000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-25MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 60A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.24mOhm @ 15A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 702 pF @ 12 V
auf Bestellung 537 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.88 EUR
18+1.18 EUR
50+0.87 EUR
100+0.76 EUR
500+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-30YLDXNexperiaMOSFET PSMN6R1-30YLD/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 7401 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R1-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 66 A, 5050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
Verlustleistung: 47W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5050µohm
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
203+1.15 EUR
231+0.93 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-30YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R1-30YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 66 A, 5050 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.68V
Verlustleistung: 47W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5050µohm
auf Bestellung 858 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.52 EUR
203+1.15 EUR
231+0.93 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-30YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
auf Bestellung 2348 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
18+1.18 EUR
100+0.82 EUR
500+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-40HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.97 EUR
10+2.69 EUR
100+1.92 EUR
500+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-40HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0072 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5.07 EUR
77+3.03 EUR
123+1.75 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-40HLXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 40A 8-Pin LFPAK-D
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
239+2.8 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 239 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-40HLXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-40HLXNexperiaMOSFETs PSMN6R1-40HL/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 13469 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.96 EUR
10+2.51 EUR
100+1.69 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.23 EUR
1500+1.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R1-40HLXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R1-40HLX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0072 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0072ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.03 EUR
123+1.75 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R3-120ESQNexperiaMOSFET 120V 6.7mOhm stndrd level MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R3-120ESQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11384 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R3-120PSNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11384 pF @ 60 V
auf Bestellung 2222 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
57+9.65 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R3-120PSNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 120V 70A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 405W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 207.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11384 pF @ 60 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R3-120PSNexperiaMOSFET N-Channel MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R3-120PSNexperiaTrans MOSFET N-CH 120V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
auf Bestellung 2222 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+8.4 EUR
100+7.87 EUR
500+7.29 EUR
1000+6.74 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R4-30MLD,115Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R4-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R4-30MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 30V 66A
auf Bestellung 284 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.62 EUR
10+1 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.43 EUR
1500+0.38 EUR
3000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R4-30MLDXNexperiaN-Channel 30V 66A (Tc) 51W (Tc) Surface Mount LFPAK33
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R4-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 832 pF @ 15 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
15+1.49 EUR
23+0.93 EUR
100+0.6 EUR
500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-25YLC,115NexperiaMOSFETs PSMN6R5-25YLC/SOT669/LFPAK
auf Bestellung 3174 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+1.07 EUR
100+0.67 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.48 EUR
1500+0.43 EUR
3000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 64A LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 12 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-25YLC,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 25V 64A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-25YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 64A LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 12 V
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.78 EUR
19+1.11 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-25YLC,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R5-25YLC,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 64 A, 5500 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.54V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 65A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-30MLDXNexperiaMOSFET PSMN6R5-30MLD/MLFPAK/REEL 7" Q
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-30MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 65A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 51W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 817 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R5-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 210W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
21+12.2 EUR
34+6.96 EUR
100+4.63 EUR
500+3.53 EUR
1000+3.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
auf Bestellung 2163 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.14 EUR
10+3.99 EUR
50+3.06 EUR
100+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN6R5-80BS/SOT404/D2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R5-80BS,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5900 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+5.89 EUR
500+4.2 EUR
1000+3.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 470A
Power dissipation: 210W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 71nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80BS118Nexperia USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PSMN6R5-80BS - POWE
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4461 pF @ 40 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; Idm: 470A; 210W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 210W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 470A
auf Bestellung 21 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80PS,127NexperiaMOSFETs PSMN6R5-80PS/SOT78/SIL3P
auf Bestellung 1815 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.89 EUR
10+4.49 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R5-80PS,127NXPPSMN6R5-80PS,127 PSMN6R5-80PS MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MLD/2XNexperiaMOSFETs MOSFET-LOW VOLT SOT1210/MLFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MLD/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN6R7-40MLD/SOT1210/MLFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 20 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 20 V
auf Bestellung 2470 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.51 EUR
50+1.12 EUR
100+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R7-40MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.45 EUR
223+1.05 EUR
252+0.86 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2071 pF @ 20 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R7-40MLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 5500 µohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 65W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.77V
Verlustleistung: 65W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1210
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 893 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
102+2.45 EUR
223+1.05 EUR
252+0.86 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 102 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MLDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A
auf Bestellung 190 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.03 EUR
10+1.27 EUR
100+0.82 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
1500+0.4 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 20 V
auf Bestellung 5998 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
14+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MSDXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 50A
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.51 EUR
10+1.56 EUR
100+1.02 EUR
500+0.81 EUR
1000+0.7 EUR
1500+0.62 EUR
3000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R7-40MSDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1642 pF @ 20 V
auf Bestellung 4500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1500+0.71 EUR
3000+0.65 EUR
4500+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R8-40HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R8-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0068 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.31 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R8-40HSXNexperiaMOSFETs PSMN6R8-40HS/SOT1205/LFPAK56D
auf Bestellung 753 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.66 EUR
10+3.01 EUR
100+2.09 EUR
500+1.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R8-40HSXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN6R8-40HSX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 40 A, 40 A, 0.0068 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 64W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56D
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0068ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 64W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 1253 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+6.72 EUR
58+4.03 EUR
100+2.31 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R8-40HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
auf Bestellung 1551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.14 EUR
10+2.61 EUR
100+2.08 EUR
500+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R8-40HSXNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 64W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1947pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56D
Part Status: Active
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PSMN6R9-100YSFQNexperia USA Inc.Description: PSMN6R9-100YSF/SOT669/LFPAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH