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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
BUK9880-55A/CUXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.37 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9880-55A/CUXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9880-55A/CUX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 7 A, 0.062 ohm, SC-73, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 8W
Bauform - Transistor: SC-73
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2203 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
195+1.29 EUR
228+1.02 EUR
328+0.65 EUR
370+0.58 EUR
500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 195 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9880-55A/CUXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.37 EUR
2000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1000+0.36 EUR
2000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9880-55A/CUXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9880-55A/CUXNexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 7A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK988055NXP
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK988055A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9907-40ATC
auf Bestellung 526 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9907-40ATC,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-5
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5836 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9907-55ATE,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220-5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5836 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220-5
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
FET Feature: Temperature Sensing Diode
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK990740ATC
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK990755ATE
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9C07-65BIT,118Nexperia USA Inc.Description: TRANS D2PAK-7
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK-7
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9C10-55BIT/A,11Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4667 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 194W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9C10-65BITNexperia
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9C10-65BIT,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 65V 75A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4170 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9C1R3-40EJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 190A D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 90A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9C1R3-40EJNexperiaMOSFET BUK9C1R3-40E/D2PAK/REEL13
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BUK9C2R2-60EJNexperiaMOSFET BUK9C2R2-60E/D2PAK/REEL 13" Q1
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9C2R2-60EJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9C3R8-80EJNexperiaMOSFET BUK9C3R8-80E/D2PAK/REEL 13" Q1
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9C3R8-80EJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9C5R3-100EJNexperiaMOSFET BUK9C5R3-100E/D2PAK/REEL 13" Q
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9C5R3-100EJNXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V D2PAK-7
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK-7
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9D120-60PXNexperia USA Inc.Description: BUK9D120-60P/SOT1220/SOT1220
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 713 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 8A (Tc)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9D23-40E,115Nexperia USA Inc.Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9D23-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9D23-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.018 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 15W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2 EUR
203+1.14 EUR
316+0.68 EUR
500+0.51 EUR
1500+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9D23-40EXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 40V 8A
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9D23-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2093 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
27+0.77 EUR
50+0.57 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
754+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 754 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 1073 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
417+0.42 EUR
491+0.33 EUR
591+0.27 EUR
667+0.23 EUR
1000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 417 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9D23-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 637 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 754 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
754+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 754 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9D23-40EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9D23-40EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.018 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3085 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
282+0.89 EUR
414+0.56 EUR
519+0.42 EUR
672+0.32 EUR
1500+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 282 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9D23-40EXNexperiaBUK9D23-40EX MOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6 Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9D23-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E04-30BNexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E04-30B,127NXP USA Inc.Description: PFET, 75A I(D), 30V, 0.0044OHM,
auf Bestellung 811 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
258+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E04-30B,127NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E04-30B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E04-40A,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E04-40A,127NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 40V 198A 3Pin(3+Tab)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E0430B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E0440A
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E06-55ANexperiaNexperia
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BUK9E06-55A,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 154A Automotive 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BUK9E06-55A,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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BUK9E06-55A,127NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 154A 3Pin(3+Tab)
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BUK9E06-55A,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9E06-55BNXP SemiconductorsMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
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BUK9E06-55B,127NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
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BUK9E06-55B,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7565 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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BUK9E0655A
auf Bestellung 8639 Stücke:
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BUK9E0655A (Transistor)
Produktcode: 66851
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BUK9E0655B
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BUK9E08-55B,127NexperiaMOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3Pin(3+Tab)
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BUK9E08-55B,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK9E08-55B,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9E08-55B,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 0.0062 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 110
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 203
Bauform - Transistor: TO-262
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0062
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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BUK9E08-55B,127NXPТранзистори
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BUK9E08-55B,127-NXPRochester Electronics, LLCDescription: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0093OHM,
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 Mindestbestellmenge: 491 Stücke
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BUK9E0855B
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BUK9E15-60E,127Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK
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 Mindestbestellmenge: 290 Stücke
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BUK9E15-60E,127NexperiaMOSFET BUK9E15-60E/I2PAK/STANDARD MAR
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BUK9E15-60E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BUK9E1R6-30E,127NexperiaMOSFET BUK9E1R6-30E/I2PAK/STANDARD MA
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BUK9E1R6-30E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
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 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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BUK9E1R8-40E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
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BUK9E1R9-40ENXP USA Inc.Description: BUK9E1R9-40E - I2PAK
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BUK9E1R9-40E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
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BUK9E1R9-40E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V I2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 4974 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
317+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 317 Stücke
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BUK9E1R9-40E,127NexperiaMOSFET BUK9E1R9-40E/I2PAK/STANDARD MA
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BUK9E2R3-40E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
300+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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BUK9E2R3-40E,127NexperiaMOSFET BUK9E2R3-40E/I2PAK/STANDARD MA
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BUK9E2R3-40E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13160 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
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BUK9E2R8-60E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
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BUK9E2R8-60E,127NexperiaMOSFET BUK9E2R8-60E/I2PAK/STANDARD MA
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BUK9E3R2-40B,127Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
211+2.92 EUR
Mindestbestellmenge: 211 Stücke
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BUK9E3R2-40B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
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BUK9E3R2-40B,127NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
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BUK9E3R2-40E,127NexperiaMOSFET BUK9E3R2-40E/I2PAK/STANDARD MA
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BUK9E3R2-40E,127Rochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E3R2-40E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
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BUK9E3R240B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BUK9E3R7-60E,127NexperiaMOSFET BUK9E3R7-60E/I2PAK/STANDARD MA
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BUK9E3R7-60E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
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BUK9E4R4-40B,127NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
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BUK9E4R4-40B,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7124 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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BUK9E4R4-80E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 349W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17130 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E4R4-80E,127NexperiaMOSFET BUK9E4R4-80E/I2PAK/STANDARD MA
Produkt ist nicht verfügbar
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BUK9E4R440B
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E4R9-60E,127NexperiaMOSFET BUK9E4R9-60E/I2PAK/STANDARD MA
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E4R9-60E,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9710 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BUK9E6R1-100E,127NexperiaMOSFET BUK9E6R1-100E/I2PAK/STANDARD M
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