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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
APT8052BFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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APT8052BFLLGMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS 7 800 V 520 mOhm TO-247
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APT8052BFLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2035 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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APT8052BFLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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APT8052BLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT8052BLLGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS 7 800 V 520 mOhm TO-247
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1+26.87 EUR
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APT8052BLLGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2035 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT8052BLLGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 800V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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7+28.08 EUR
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APT8052SFLL
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APT8052SLL
auf Bestellung 8639 Stücke:
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APT8056
auf Bestellung 1200 Stücke:
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APT8056BVFR
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APT8056BVRAPT
auf Bestellung 2100 Stücke:
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APT8056BVRGMICROSEMITO247/POWER MOSFET - MOS5 APT8056
Anzahl je Verpackung: 30 Stücke
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APT8056BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT8056BVRGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS 5 800 V 560 mOhm TO-247
auf Bestellung 142 Stücke:
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1+26.81 EUR
10+25.87 EUR
25+24.82 EUR
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APT8056BVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT8058HVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT8065
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT8065AVRAPT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT8065BVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT8065BVFRGMicrochip TechnologyMOSFETs FREDFET MOS5 800 V 65 Ohm TO-247
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APT8065BVFRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT8065BVRAPT
auf Bestellung 2100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT8065BVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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APT8065BVRGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS5 800 V 65 Ohm TO-247
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APT8065BVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Supplier Device Package: TO-247 [B]
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 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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APT8065SVRGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS5 800 V 65 Ohm TO-268
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APT8065SVRGMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT8065SVRGMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT8067HVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT8075
auf Bestellung 1200 Stücke:
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APT8075BNMicrosemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD
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APT8075BNAPT08+ QFP
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT8075BN
Produktcode: 127466
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APT8075BNGMicrochip Technology FG, MOSFET, 800V, 0.75_OHM, TO-247, RoHS
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APT8075BNGMicrosemiTrans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
auf Bestellung 305 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+39.86 EUR
10+34.61 EUR
50+30.65 EUR
100+28 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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APT8075BVFR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT8075BVFRGMicrochip / MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS5
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 Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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APT8075BVR
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT8075BVRGMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET MOS5 800 V 75 Ohm TO-247
auf Bestellung 34 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+29.3 EUR
100+25.35 EUR
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APT8075BVRGMicrochip Technology / AtmelMOSFET FG, MOSFET, 800V, TO-247, RoHS
auf Bestellung 39 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+32.55 EUR
10+32.52 EUR
100+29.95 EUR
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APT8090BN
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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APT80F60JMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, FREDFET, 600V, SOT-227
auf Bestellung 8 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT80F60JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP
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 Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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APT80GA60BMicrochip TechnologyIGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-247
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APT80GA60BMicrochip TechnologyDescription: IGBT 600V 143A 625W TO247
Power - Max: 625 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Collector (Ic) (Max): 143 A
Gate Charge: 230 nC
Test Condition: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 840µJ (on), 751µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/158ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
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APT80GA60BMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 143A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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APT80GA60LD40MICROSEMITO-264/143 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT APT80GA60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT80GA60LD40Microchip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 143A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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APT80GA60LD40Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 80 A TO-264
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+23.48 EUR
100+20.28 EUR
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APT80GA60LD40Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 143A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 47A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/158ns
Switching Energy: 840µJ (on), 751µJ (off)
Test Condition: 400V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 230 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 143 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 625 W
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+25.05 EUR
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APT80GA90BMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT, 900V, TO-247
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GA90BMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 145A TO247
Power - Max: 625 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 239 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1652µJ (on), 1389µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/149ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
Input Type: Standard
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+18.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GA90BMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Single 900 V 80 A TO-247
auf Bestellung 65 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GA90B2SC50Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 80 A TO-247 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GA90LD40Microchip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-264
auf Bestellung 195 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GA90LD40Microchip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 900V 145A 625W 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GA90LD40Microchip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 145A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
Supplier Device Package: TO-264
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/149ns
Switching Energy: 1652µJ (on), 1389µJ (off)
Test Condition: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 239 A
Power - Max: 625 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GA90LD40MICROSEMITO-264 APT80GA90
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GA90LD40Microchip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 80 A TO-264
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GA90SMicrochip / MicrosemiIGBT Transistors FG, IGBT, 900V, TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GA90SMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 900V 145A 625W 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GA90SMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 900V 145A D3PAK
Power - Max: 625 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 239 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V
Current - Collector (Ic) (Max): 145 A
Part Status: Active
Gate Charge: 200 nC
Test Condition: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
Switching Energy: 1.625mJ (on), 1.389mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/149ns
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: D3Pak
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
auf Bestellung 128 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+20 EUR
100+17.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GA90SMicrochip TechnologyIGBTs IGBT PT MOS 8 Single 900 V 80 A TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GP60B2GMicrochip TechnologyTrans IGBT Chip N-CH 600V 100A 1041W 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GP60B2GMicrochip TechnologyDescription: IGBT PT 600V 100A TMAX
Power - Max: 1041 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
IGBT Type: PT
Supplier Device Package: T-MAX™ [B2]
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
Input Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GP60B2GMicrochip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 80 A TO-247 MAX
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GP60JMicrochip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Single 600 V 80 A SOT-227
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GP60JMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 151 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 462 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.84 nF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
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APT80GP60JDF3
auf Bestellung 8639 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GP60JDQ3MICROSEMIISOTOP/POWER MOS 7 IGBT APT80GP60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
APT80GP60JDQ3Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: ISOTOP
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: ISOTOP®
IGBT Type: PT
Current - Collector (Ic) (Max): 151 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 462 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.25 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.84 nF @ 25 V
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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APT80GP60JDQ3Microchip TechnologyIGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 80 A SOT-227
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APT80GP60JDQ3Microchip TechnologyTrans IGBT Module N-CH 600V 151A 462000mW
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APT80M50JVR
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APT80M60JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP
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APT80M60JMicrochip / MicrosemiDiscrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 600V, SOT-227
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APT80M60JMICROSEMISOT227/POWER MOSFET - MOS8 APT80M60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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APT80M60JMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET MOS 8 600 V 80 A SOT-227
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1+95.99 EUR
10+94.11 EUR
100+86.44 EUR
250+85.76 EUR
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APT80SM120BMicrosemi CorporationDescription: SICFET N-CH 1200V 80A TO247
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APT80SM120JMicrosemi CorporationDescription: SICFET N-CH 1200V 51A SOT227
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APT80SM120SMicrosemiMOSFET Power MOSFET - SiC
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APT80SM120SMicrosemi CorporationDescription: SICFET N-CH 1200V 80A D3PAK
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APT84F50B2Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 84A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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 Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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APT84F50B2Microsemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 500V 84A TO-247
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APT84F50B2Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 500V 84A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
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APT84F50B2MicrosemiMOSFET Power FREDFET - MOS8
auf Bestellung 49 Stücke:
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APT84F50LMicrochip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 500V 84A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 340 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264 [L]
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA
Power Dissipation (Max): 1135W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 42A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
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 Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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APT84F50LMicrochip TechnologyMOSFET FREDFET MOS8 500 V 84 A TO-264
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APT84M50B2Microchip TechnologyMOSFET FG, MOSFET, 500V, TO-247 T-MAX
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+36.76 EUR
10+36.74 EUR
100+33.76 EUR
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APT84M50B2Microsemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX
auf Bestellung 4 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT84M50LMicrosemi Power Products GroupDescription: MOSFET N-CH 500V 84A TO-264
auf Bestellung 22 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT84M50LMicrosemiMOSFET Power MOSFET - MOS8
auf Bestellung 29 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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APT85GR120B2MICROSEMIUltra Fast NPT - IGBT APT85GR120
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 30 Stücke:
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APT85GR120B2Microchip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 85 A TO-247 MAX
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APT85GR120B2Microchip TechnologyDescription: IGBT NPT 1200V 170A TMAX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
Supplier Device Package: T-MAX™
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 43ns/300ns
Switching Energy: 6mJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 600V, 85A, 4.3Ohm, 15V
Gate Charge: 660 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 170 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 340 A
Power - Max: 962 W
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+30.98 EUR
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APT85GR120JMicrochip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.4 nF @ 25 V
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APT85GR120JMicrochip TechnologyIGBTs IGBT MOS 8 1200 V 85 A SOT-227
auf Bestellung 11 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+57.47 EUR
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APT85GR120JD60Microchip TechnologyDescription: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 543 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1.1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.4 nF @ 25 V
auf Bestellung 9 Stücke:
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