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BezeichnungHerstellerBeschreibungVerfügbarkeitPrivatkunde
STD96N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD96N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD96N3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD96N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 14299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
52+4.82 EUR
80+2.9 EUR
130+1.65 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.18 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 52 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD96N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD96N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2405 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.08 EUR
11+1.95 EUR
100+1.3 EUR
500+1.02 EUR
1000+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD96N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD96N3LLH6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 320A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2402 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD96N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD96N3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD96N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
auf Bestellung 14299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
130+1.65 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.18 EUR
5000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD96N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD98705
auf Bestellung 32670 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD98705FB
auf Bestellung 62800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD98707
auf Bestellung 1899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD991-3GlenairCircular MIL Spec Backshells
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD991-5GlenairCircular MIL Spec Backshells
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD991-5GlenairSTD991-5
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9916LST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD992-3GlenairCircular MIL Spec Backshells
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD992-4GlenairCircular MIL Spec Backshells
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9HN65M2STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 0.71 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
auf Bestellung 2199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9HN65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9HN65M2STMMOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N10STTO-252/D-PAK
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N10STMicroelectronicsMOSFET RO 511-STD10NF10 TO-252 N-CH 100V 9A
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N10-1ST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N10-T4
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N10-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N10ET4
auf Bestellung 55000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N10LST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N10LT4STMTO-252
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N10T4ST07+ TO-252/D-PAK
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N40M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 400 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.39 EUR
10+1.89 EUR
100+1.39 EUR
500+1.09 EUR
1000+0.98 EUR
2500+0.79 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N40M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
auf Bestellung 2012 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.12 EUR
11+1.98 EUR
50+1.48 EUR
100+1.31 EUR
500+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N40M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
auf Bestellung 4460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.65 EUR
84+2.78 EUR
135+1.59 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2 EUR
95+1.8 EUR
123+1.36 EUR
200+1.24 EUR
500+1.06 EUR
1000+0.95 EUR
2500+0.93 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2STMSTD9N60M2 MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.5A; Idm: 22A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 22A
Gate charge: 10nC
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD9N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
auf Bestellung 4460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.78 EUR
135+1.59 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2
Produktcode: 108710
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STMicroelectronicsTransistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
auf Bestellung 66 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.42 EUR
10+2.18 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.99 EUR
2500+0.84 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2STMicroelectronics
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 100 V
auf Bestellung 3610 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.47 EUR
10+2.21 EUR
50+1.65 EUR
100+1.48 EUR
500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 13.4A; 76W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 76W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 13.4A
Gate charge: 10nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M6STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 273 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD9N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.67 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 76W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.67ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.84 EUR
101+2.32 EUR
121+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 670 mOhm typ., 6 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N60M6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD9N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.67 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.67ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 123 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
88+2.84 EUR
101+2.32 EUR
121+1.77 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N65DM6AGSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9A; Idm: 28A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 11.7nC
Application: automotive industry
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N65DM6AGSTMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N65DM6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
auf Bestellung 2295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+3.19 EUR
100+2.45 EUR
500+1.98 EUR
1000+1.96 EUR
2500+1.76 EUR
5000+1.73 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N65M2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 20A; 60W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 60W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A
Gate charge: 10.3nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD9N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.79 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.83 EUR
122+1.77 EUR
500+1.3 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N65M2STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N65M2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD9N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 5 A, 0.79 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.79ohm
auf Bestellung 1444 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+5 EUR
79+2.95 EUR
117+1.83 EUR
500+1.34 EUR
1000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 730 mOhm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 100 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NF10-TR
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NF10L-TR
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM40NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM40NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM40NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 400V 0.73Ohm 5.6A pwr Mdmesh II
auf Bestellung 1888 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.69 EUR
10+3.01 EUR
100+2.05 EUR
500+1.71 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.38 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM50N
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
auf Bestellung 7194 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+1.74 EUR
100+1.56 EUR
500+1.23 EUR
1000+1.17 EUR
2500+0.99 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 790mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1309 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.53 EUR
11+2 EUR
100+1.39 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM50N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 7.5A IPAK
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 50 V
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM60NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD9NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.5 A, 0.63 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 82 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
 Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 452 pF @ 50 V
auf Bestellung 2312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.28 EUR
10+4.08 EUR
100+2.83 EUR
500+2.3 EUR
1000+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 22470 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
129+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 129 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM60NSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.5A; Idm: 26A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 745mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 26A
Gate charge: 17.4nC
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
auf Bestellung 2141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.34 EUR
10+3.09 EUR
100+2.31 EUR
500+2.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STD9NM60N-1
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STDA112S
auf Bestellung 1342 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STDAS001ST09+ SOP8
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STDB3STПИїЖ
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STDC-002OKI/MetcalDescription: TIP REPL DESOLDR ID=.025" 600SER
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STDC-002MetcalDesoldering Braid / Solder Removal Desolder Cartridge ID=0.64mm(0.025in)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STDC-003MetcalDesoldering Braid / Solder Removal Desolder Cartridge ID=0.76mm(0.03in)
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STDC-003OKI/MetcalDescription: TIP REPL DESOLDER ID=.03" 600SER
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STDC-004OKI/MetcalDescription: TIP REPL DESOLDER ID=.04" 600SER
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STDC-004MetcalSoldering Irons Desolder Cartridge ID=1.02mm(0.04in)
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STDC-005MetcalDescription: DESOLDER CARTRIDGE, ID=1.27MM (0
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STDC-005MetcalDesoldering Braid / Solder Removal Desolder Cartridge ID=1.27mm(0.05in)
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STDC-006OKI/MetcalDescription: TIP REPL DESOLDER ID=.06" 600SER
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STDC-006MetcalDesoldering Braid / Solder Removal Desolder Cartridge ID=1.52mm(0.06in)
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STDC-007OKI/MetcalDescription: TIP REPL DESOLDR ID=.095" 600SER
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STDC-007MetcalDesoldering Braid / Solder Removal Desolder Cartridge ID=2.41mm(0.095in)
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STDC-102MetcalDesoldering Braid / Solder Removal Desolder Cartridge ID=0.64mm(0.025in)
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STDC-102METCALCategory: Desoldering Tips
Description: Tip: for desoldering irons; 0.64x1.4mm; 413°C; SmartHeat®
Type of tip: for desoldering irons
Tip dimensions: 0.64x1.4mm
Tip temperature: 413°C
Related items: MX-DS1
Applications of soldering equipment: for desoldering iron
Technology: SmartHeat®
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